本發(fā)明涉及一種加工方法，尤其是涉及一種平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法。

背景技術(shù)：

連續(xù)切向節(jié)(CTS)天線于二十世紀(jì)九十年代由美國(guó)Raytheon公司最先提出。CTS陣列天線，是在平板波導(dǎo)上連續(xù)開(kāi)貫通的橫向縫并在橫向縫上加枝節(jié)實(shí)現(xiàn)輻射，采用TEM模饋電。CTS陣列天線相對(duì)于其他平面陣列天線具有如下優(yōu)勢(shì)：連續(xù)切向節(jié)天線具有比較高的效率，可以達(dá)到90％以上；連續(xù)切向節(jié)天線具有比較低的剖面，可以有效地與載體平臺(tái)貼合；連續(xù)切向節(jié)天線具有很高的饋電效率和口徑效率，是高增益天線一個(gè)極為重要的方向。同時(shí)CTS陣列天線易于實(shí)現(xiàn)波束控制、雙極化等多種功能，具有廣泛的應(yīng)用前景。

以空氣為介質(zhì)的平板波導(dǎo)CTS陣列天線現(xiàn)已成為一種成熟的產(chǎn)品，此CTS陣列天線除了包括能夠提供一路準(zhǔn)TEM模信號(hào)的饋電網(wǎng)絡(luò)外，還包括平行板功率分配網(wǎng)絡(luò)和連續(xù)切向的輻射單元陣列。平行板功率分配網(wǎng)絡(luò)是由N級(jí)一分為二的波導(dǎo)“E-T”分支所構(gòu)成的(N由具體的平行板功率分配網(wǎng)絡(luò)決定)，它用于將輸入的一路信號(hào)分配成多路信號(hào)；連續(xù)切向的輻射單元陣列用于將多路信號(hào)輻射到自由空間。在平板波導(dǎo)CTS陣列天線中，平行板功率分配網(wǎng)絡(luò)是通過(guò)在平板波導(dǎo)上開(kāi)設(shè)多個(gè)縱向的溝槽形成的。

傳統(tǒng)的以空氣為介質(zhì)的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法主要是分層加工方法。申請(qǐng)?zhí)枮閁S:97242197:A的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中公開(kāi)了一種平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法。該加工方法首先把整個(gè)陣列天線劃分為若干個(gè)水平層，然后對(duì)各個(gè)水平層分別實(shí)施加工，最后將各個(gè)相互獨(dú)立的水平層焊接和組裝在一起形成一個(gè)整體的天線。該加工方法在加工若干個(gè)水平層時(shí)具有兩種加工方案：第一種是先采用不導(dǎo)電的塑料作為材料加工得到若干個(gè)水平層的半成品，然后對(duì)若干個(gè)水平層的半成品實(shí)施金屬化操作得到若干個(gè)水平層的成品；第二種是直接采用金屬作為材料加工得到若干個(gè)水平層的成品。上述平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法中。但是，各個(gè)水平層之間在組裝時(shí)難免會(huì)出現(xiàn)細(xì)小的縫隙，這些縫隙的存在會(huì)導(dǎo)致信號(hào)在該平板波導(dǎo)CTS陣列天線中傳播時(shí)會(huì)出現(xiàn)漏磁現(xiàn)象，而且隨著頻率的增加，漏磁現(xiàn)象變得更加嚴(yán)重，難以被應(yīng)用于微波高頻段，使用受到限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可以減少信號(hào)傳輸時(shí)的漏磁現(xiàn)象，能被應(yīng)用于微波高頻段的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：一種平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法，包括以下步驟：

①將待加工的平板波導(dǎo)CTS陣列天線按照以下規(guī)則分為N+1個(gè)獨(dú)立層，N為波導(dǎo)“E-T”分支的級(jí)數(shù)：位于第N級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第1個(gè)獨(dú)立層，位于第N-1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N-1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第2個(gè)獨(dú)立層，位于第N-2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N-2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第3個(gè)獨(dú)立層，以此類(lèi)推，位于第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第N個(gè)獨(dú)立層，剩余部分為第N+1個(gè)獨(dú)立層，由于波導(dǎo)“E-T”分支為溝槽形式，每個(gè)獨(dú)立層分別由多個(gè)依次排列且互不連接的獨(dú)立塊組成。

②采用機(jī)械加工工藝分別加工步驟①中N+1個(gè)獨(dú)立層，在加工時(shí)，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層中，每個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且該獨(dú)立層中多個(gè)依次排列且互不連接的部件與其圍邊一體成型連接，第N+1個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且其圍邊上設(shè)置有尺寸與第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊匹配的卡槽；

③采用機(jī)械加工工藝加工第N個(gè)獨(dú)立層和第N-1個(gè)獨(dú)立層與第N+1個(gè)獨(dú)立層連接的連接接頭；

④使用連接接頭將第N-1個(gè)獨(dú)立層和第N個(gè)獨(dú)立層安裝在第N+1個(gè)獨(dú)立層上；

⑤將第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層按序依次安裝：第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊對(duì)準(zhǔn)第N+1個(gè)獨(dú)立層的圍邊的卡槽并卡入其內(nèi)，得到平板波導(dǎo)CTS陣列天線。

所述的步驟②中，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處分別設(shè)置有定位孔，當(dāng)安裝完成后，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處的定位孔上下對(duì)齊。

所述的步驟②中，每個(gè)獨(dú)立層及圍邊的加工材料為塑料或者金屬鋁，如果每個(gè)獨(dú)立層及圍邊的加工材料為塑料，在每個(gè)獨(dú)立層加工完成后分別對(duì)各個(gè)獨(dú)立層實(shí)施金屬化操作。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于首先將待加工的平板波導(dǎo)CTS陣列天線按照以下規(guī)則分為N+1個(gè)獨(dú)立層，N為波導(dǎo)“E-T”分支的級(jí)數(shù)：位于第N級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第1個(gè)獨(dú)立層，位于第N-1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N-1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第2個(gè)獨(dú)立層，位于第N-2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N-2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第3個(gè)獨(dú)立層，以此類(lèi)推，位于第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第N個(gè)獨(dú)立層，剩余部分為第N+1個(gè)獨(dú)立層，由于波導(dǎo)“E-T”分支為溝槽形式，每個(gè)獨(dú)立層分別由多個(gè)依次排列且互不連接的獨(dú)立塊組成，采用機(jī)械加工工藝分別加工步驟①中N+1個(gè)獨(dú)立層，在加工時(shí)，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層中，每個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且該獨(dú)立層中多個(gè)依次排列且互不連接的獨(dú)立塊與其圍邊一體成型連接，第N+1個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且其圍邊上設(shè)置有尺寸與第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊匹配的卡槽；接著采用機(jī)械加工工藝加工第N個(gè)獨(dú)立層和第N-1個(gè)獨(dú)立層與第N+1個(gè)獨(dú)立層連接的連接接頭；然后使用連接接頭將第N-1個(gè)獨(dú)立層和第N個(gè)獨(dú)立層安裝在第N+1個(gè)獨(dú)立層上；最后將第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層按序依次安裝：第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊對(duì)準(zhǔn)第N+1個(gè)獨(dú)立層的圍邊的卡槽并卡入其內(nèi)，由此得到平板波導(dǎo)CTS陣列天線，本發(fā)明的方法以波導(dǎo)“E-T”分支作為分割基準(zhǔn)，得到N+1個(gè)獨(dú)立層，由于波導(dǎo)“E-T”分支是開(kāi)設(shè)在平板波導(dǎo)上的溝槽，每個(gè)獨(dú)立層是由多個(gè)被溝槽分割開(kāi)的獨(dú)立塊組成，在加工第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層時(shí)，在其外圍加工形成圍邊使該獨(dú)立層中多個(gè)被溝槽分割開(kāi)的獨(dú)立塊通過(guò)圍邊連接為一個(gè)整體，在后續(xù)組裝時(shí)，通過(guò)連接接頭將第N-1個(gè)獨(dú)立層和第N個(gè)獨(dú)立層安裝在第N+1個(gè)獨(dú)立層上，通過(guò)第N+1個(gè)獨(dú)立層的圍邊上設(shè)置的卡槽來(lái)組裝第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層，由于各個(gè)獨(dú)立層的分割處本身就為用于形成波導(dǎo)“E-T”分支的溝槽，由此各個(gè)獨(dú)立層之間不會(huì)出現(xiàn)層間間隙問(wèn)題，可以減少信號(hào)傳輸時(shí)的漏磁現(xiàn)象，另外圍邊的設(shè)置，既有利于各個(gè)獨(dú)立層的的對(duì)齊和組裝，提高效率，又可以將四周封閉，防止了各個(gè)獨(dú)立層組裝完成后，電磁波從CTS陣列天線的橫截面泄露的可能性，由此本發(fā)明的方法可以減少信號(hào)傳輸時(shí)的漏磁現(xiàn)象，能被應(yīng)用于微波高頻段的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的剖視圖；

圖2(a)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第1個(gè)獨(dú)立層的結(jié)構(gòu)圖；

圖2(b)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第1個(gè)獨(dú)立層的俯視圖；

圖2(c)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第1個(gè)獨(dú)立層的剖視圖；

圖3(a)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第2個(gè)獨(dú)立層的結(jié)構(gòu)圖；

圖3(b)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第2個(gè)獨(dú)立層的俯視圖；

圖3(c)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第2個(gè)獨(dú)立層的剖視圖；

圖4(a)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第3個(gè)獨(dú)立層的結(jié)構(gòu)圖；

圖4(b)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第3個(gè)獨(dú)立層的俯視圖；

圖4(c)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第3個(gè)獨(dú)立層的剖視圖；

圖5(a)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第6個(gè)獨(dú)立層的結(jié)構(gòu)圖；

圖5(b)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的第6個(gè)獨(dú)立層的俯視圖；

圖6(a)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的連接接頭的結(jié)構(gòu)圖；

圖6(b)為本發(fā)明的平板波導(dǎo)CTS陣列天線的連接接頭的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例一：一種平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法，包括以下步驟：

①將待加工的平板波導(dǎo)CTS陣列天線按照以下規(guī)則分為N+1個(gè)獨(dú)立層，N為波導(dǎo)“E-T”分支的級(jí)數(shù)：位于第N級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第1個(gè)獨(dú)立層，位于第N-1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N-1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第2個(gè)獨(dú)立層，位于第N-2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第N-2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第3個(gè)獨(dú)立層，以此類(lèi)推，位于第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第N個(gè)獨(dú)立層，剩余部分為第N+1個(gè)獨(dú)立層，由于波導(dǎo)“E-T”分支為溝槽形式，每個(gè)獨(dú)立層分別由多個(gè)依次排列且互不連接的獨(dú)立塊組成。

②采用機(jī)械加工工藝分別加工步驟①中N+1個(gè)獨(dú)立層，在加工時(shí)，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層中，每個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且該獨(dú)立層中多個(gè)依次排列且互不連接的部件與其圍邊一體成型連接，第N+1個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且其圍邊上設(shè)置有尺寸與第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊匹配的卡槽；

③采用機(jī)械加工工藝加工第N個(gè)獨(dú)立層和第N-1個(gè)獨(dú)立層與第N+1個(gè)獨(dú)立層連接的連接接頭；

④使用連接接頭將第N-1個(gè)獨(dú)立層和第N個(gè)獨(dú)立層安裝在第N+1個(gè)獨(dú)立層上；

⑤將第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層按序依次安裝：第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊對(duì)準(zhǔn)第N+1個(gè)獨(dú)立層的圍邊的卡槽并卡入其內(nèi)，得到平板波導(dǎo)CTS陣列天線。

本實(shí)施例中，步驟②中，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處分別設(shè)置有定位孔，當(dāng)安裝完成后，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處的定位孔上下對(duì)齊。

本實(shí)施例中，步驟②中，每個(gè)獨(dú)立層及圍邊的加工材料為塑料或者金屬鋁，如果每個(gè)獨(dú)立層及圍邊的加工材料為塑料，在每個(gè)獨(dú)立層加工完成后分別對(duì)各個(gè)獨(dú)立層實(shí)施金屬化操作。

實(shí)施例二：如圖所示，一種平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法，該平板波導(dǎo)CTS陣列天線波導(dǎo)的“E-T”分支的級(jí)數(shù)為5，包括以下步驟：

①將待加工的平板波導(dǎo)CTS陣列天線按照以下規(guī)則分為6個(gè)獨(dú)立層：位于第5級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第5級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第1個(gè)獨(dú)立層A，位于第4級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第4級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第2個(gè)獨(dú)立層B，位于第3級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第3級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第3個(gè)獨(dú)立層C，位于第2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第4個(gè)獨(dú)立層D，位于第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第5層個(gè)獨(dú)立層E，剩余部分為第6個(gè)獨(dú)立層F，由于波導(dǎo)“E-T”分支為溝槽形式，每個(gè)獨(dú)立層分別由多個(gè)依次排列且互不連接的組成；

②采用機(jī)械加工工藝分別加工步驟①中6個(gè)獨(dú)立層，在加工時(shí)，第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C中，每個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且該獨(dú)立層中多個(gè)依次排列且互不連接的部件與其圍邊一體成型連接，第6個(gè)獨(dú)立層F的外圍設(shè)置有圍邊且其圍邊上設(shè)置有尺寸與第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C的圍邊匹配的卡槽；

③采用機(jī)械加工工藝加工第5個(gè)獨(dú)立層E和第4個(gè)獨(dú)立層D與第6個(gè)獨(dú)立層F連接的連接接頭；

④使用連接接頭將第4個(gè)獨(dú)立層D和第5個(gè)獨(dú)立層E安裝在第6個(gè)獨(dú)立層F上；

⑤將第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C按序依次安裝：第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C的圍邊對(duì)準(zhǔn)第6個(gè)獨(dú)立層F的圍邊的卡槽并卡入其內(nèi)，得到平板波導(dǎo)CTS陣列天線。

實(shí)施例三：如圖所示，一種平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法，該平板波導(dǎo)CTS陣列天線波導(dǎo)的“E-T”分支的級(jí)數(shù)為5，包括以下步驟：

①將待加工的平板波導(dǎo)CTS陣列天線按照以下規(guī)則分為6個(gè)獨(dú)立層：位于第5級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第5級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第1個(gè)獨(dú)立層A，位于第4級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第4級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第2個(gè)獨(dú)立層B，位于第3級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第3級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第3個(gè)獨(dú)立層C，位于第2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第4個(gè)獨(dú)立層D，位于第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第5層個(gè)獨(dú)立層E，剩余部分為第6個(gè)獨(dú)立層F，由于波導(dǎo)“E-T”分支為溝槽形式，每個(gè)獨(dú)立層分別由多個(gè)依次排列且互不連接的組成；

②采用機(jī)械加工工藝分別加工步驟①中6個(gè)獨(dú)立層，在加工時(shí)，第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C中，每個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且該獨(dú)立層中多個(gè)依次排列且互不連接的部件與其圍邊一體成型連接，第6個(gè)獨(dú)立層F的外圍設(shè)置有圍邊且其圍邊上設(shè)置有尺寸與第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C的圍邊匹配的卡槽；

③采用機(jī)械加工工藝加工第5個(gè)獨(dú)立層E和第4個(gè)獨(dú)立層D與第6個(gè)獨(dú)立層F連接的連接接頭；

④使用連接接頭將第4個(gè)獨(dú)立層D和第5個(gè)獨(dú)立層E安裝在第6個(gè)獨(dú)立層F上；

⑤將第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C按序依次安裝：第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C的圍邊對(duì)準(zhǔn)第6個(gè)獨(dú)立層F的圍邊的卡槽并卡入其內(nèi)，得到平板波導(dǎo)CTS陣列天線。

本實(shí)施例中，步驟②中，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處分別設(shè)置有定位孔，當(dāng)安裝完成后，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處的定位孔上下對(duì)齊。

實(shí)施例四：如圖所示，一種平板波導(dǎo)CTS陣列天線的加工方法，該平板波導(dǎo)CTS陣列天線波導(dǎo)的“E-T”分支的級(jí)數(shù)為5，包括以下步驟：

①將待加工的平板波導(dǎo)CTS陣列天線按照以下規(guī)則分為6個(gè)獨(dú)立層：位于第5級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第5級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第1個(gè)獨(dú)立層A，位于第4級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第4級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第2個(gè)獨(dú)立層B，位于第3級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第3級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第3個(gè)獨(dú)立層C，位于第2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第2級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第4個(gè)獨(dú)立層D，位于第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支以上且與第1級(jí)波導(dǎo)“E-T”分支的上端面相交的部分作為第5層個(gè)獨(dú)立層E，剩余部分為第6個(gè)獨(dú)立層F，由于波導(dǎo)“E-T”分支為溝槽形式，每個(gè)獨(dú)立層分別由多個(gè)依次排列且互不連接的組成；

②采用機(jī)械加工工藝分別加工步驟①中6個(gè)獨(dú)立層，在加工時(shí)，第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C中，每個(gè)獨(dú)立層的外圍設(shè)置有圍邊且該獨(dú)立層中多個(gè)依次排列且互不連接的部件與其圍邊一體成型連接，第6個(gè)獨(dú)立層F的外圍設(shè)置有圍邊且其圍邊上設(shè)置有尺寸與第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C的圍邊匹配的卡槽；

③采用機(jī)械加工工藝加工第5個(gè)獨(dú)立層E和第4個(gè)獨(dú)立層D與第6個(gè)獨(dú)立層F連接的連接接頭；

④使用連接接頭將第4個(gè)獨(dú)立層D和第5個(gè)獨(dú)立層E安裝在第6個(gè)獨(dú)立層F上；

⑤將第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C按序依次安裝：第1個(gè)獨(dú)立層A至第3個(gè)獨(dú)立層C的圍邊對(duì)準(zhǔn)第6個(gè)獨(dú)立層F的圍邊的卡槽并卡入其內(nèi)，得到平板波導(dǎo)CTS陣列天線。

本實(shí)施例中，步驟②中，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處分別設(shè)置有定位孔，當(dāng)安裝完成后，第1個(gè)獨(dú)立層至第N-2個(gè)獨(dú)立層的圍邊處的定位孔上下對(duì)齊。

本實(shí)施例中，步驟②中，每個(gè)獨(dú)立層及圍邊的加工材料為塑料或者金屬鋁，如果每個(gè)獨(dú)立層及圍邊的加工材料為塑料，在每個(gè)獨(dú)立層加工完成后分別對(duì)各個(gè)獨(dú)立層實(shí)施金屬化操作。