技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的填充方法具備：減壓工序，對處理室(11)內(nèi)進行減壓；接觸工序，使填充材料(3)與晶片(1)的表面接觸；填充工序，通過對填充材料的與晶片相反側(cè)的面(3a)的整面進行加壓，而將填充材料差壓填充至晶片的微細空間(2)；以及煅燒工序，遍及晶片整體而煅燒填充材料。

技術(shù)研發(fā)人員：松元俊二
受保護的技術(shù)使用者：住友精密工業(yè)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.27
技術(shù)公布日：2017.09.26