技術總結
若氫侵入半導體裝置，則柵極結構的柵極電壓閾值(Vth)會變化。本發(fā)明防止氫從位于半導體裝置的端部的耐壓結構部向半導體裝置侵入。提供半導體裝置，該半導體裝置具備半導體基板，其具有有源區(qū)域和設置在所述有源區(qū)域的周圍的耐壓結構部；第1下部絕緣膜，其在所述半導體基板上設置于所述耐壓結構部；以及第1保護膜，其設置在所述第1下部絕緣膜上，并且與所述半導體基板電絕緣，且對氫進行吸留。

技術研發(fā)人員：原田祐一;星保幸
受保護的技術使用者：富士電機株式會社
文檔號碼：201680002943
技術研發(fā)日：2016.04.06
技術公布日：2017.05.17