1.一種光電器件，其特征在于，包括：
復(fù)合襯底，包括硅襯底層以及鍵合在所述硅襯底層上的藍寶石襯底層；
器件主體結(jié)構(gòu)，形成所述藍寶石襯底層上；
以及驅(qū)動芯片，位于所述硅襯底層遠離所述藍寶石襯底層的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述器件主體結(jié)構(gòu)包括由氮化鎵晶體形成的外延層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述復(fù)合襯底還包括生長在所述藍寶石襯底層上的硅膜；所述藍寶石襯底層通過所述硅膜與所述硅襯底層鍵合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電器件，其特征在于，所述硅膜的厚度為1～5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述藍寶石襯底層的厚度為20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述硅襯底層的厚度為600～1500μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述驅(qū)動芯片為硅基芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件為LED器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件為LD器件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件為光電探測器。