本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制冷技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種制冷片，具體的說(shuō)是涉及一種調(diào)節(jié)式圓孔散熱半導(dǎo)體制冷片。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，集成電路芯片的引腳不斷的增加。集成電路芯片的功耗與發(fā)熱量也會(huì)急劇增加，對(duì)集成電路散熱降溫就變得尤其重要。對(duì)芯片的封裝耐高溫也具有很高的要求。由于現(xiàn)在半導(dǎo)體的耐高溫程度較低，并且制冷效果和散熱效果都不是很好，不能滿足集成電路的封裝要求，而且溫度也不可控制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對(duì)上述現(xiàn)有半導(dǎo)體耐高溫程度低、制冷效果和散熱效果差以及不能滿足集成電路封裝要求等缺陷和不足，提出一種調(diào)節(jié)式圓孔散熱半導(dǎo)體制冷片，可提高半導(dǎo)體的耐高溫程度，可滿足半導(dǎo)體的特殊場(chǎng)合的使用性能。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：一種調(diào)節(jié)式圓孔散熱半導(dǎo)體制冷片，包括P形半導(dǎo)體粒子和N形半導(dǎo)體粒子；其特征在于：所述制冷片還由上基片層、下基片層、高溫導(dǎo)電膠層和電流調(diào)節(jié)器組成，所述P形半導(dǎo)體粒子與N形半導(dǎo)體粒子通過(guò)高溫導(dǎo)電膠相互粘接，并在所述P形半導(dǎo)體粒子與N形半導(dǎo)體粒子的頂部和底部形成高溫導(dǎo)電膠層，所述上基片層和下基片層設(shè)置在所述高溫導(dǎo)電膠層的外部，所述電流調(diào)節(jié)器固定設(shè)置在所述上基片層上，外部電源通過(guò)上基片層上的正極引線和負(fù)極引線與所述制冷片作用相連，所述上基片層和下基片層上均設(shè)有散熱孔。

所述上基片層和下基片層為硅片層或者陶瓷層，上基片層和下基片層厚度相同。

所述的散熱孔為直徑為6～8mm的圓形通孔，散熱孔在上基片層和下基片層上呈10×10的矩形陣列排列。

所述高溫導(dǎo)電膠層的厚度為3～6mm。

本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型提出的一種調(diào)節(jié)式圓孔散熱半導(dǎo)體制冷片，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，一方面可通過(guò)調(diào)節(jié)電流的大小從而起到制冷作用，另一方面在基片上設(shè)置散熱孔可極大提高半導(dǎo)體的耐高溫作用，溫度可以得到有效控制，使用安全可靠，滿足了集成電路的封裝要求，也滿足了半導(dǎo)體在特殊場(chǎng)合下的使用。

附圖說(shuō)明

圖1 為本實(shí)用新型全剖結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2 為本實(shí)用新型俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：上基片層1、下基片層2、P形半導(dǎo)體粒子3、N形半導(dǎo)體粒子4、電流調(diào)節(jié)器5、正極引線6、負(fù)極引線7、高溫導(dǎo)電膠層8、散熱孔9。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明：

如圖1-2所示，一種調(diào)節(jié)式圓孔散熱半導(dǎo)體制冷片，包括P形半導(dǎo)體粒子3和N形半導(dǎo)體粒子4；制冷片還由上基片層1、下基片層2、高溫導(dǎo)電膠層8和電流調(diào)節(jié)器5組成，P形半導(dǎo)體粒子3與N形半導(dǎo)體粒子4通過(guò)高溫導(dǎo)電膠相互粘接，并在P形半導(dǎo)體粒子3與N形半導(dǎo)體粒子4的頂部和底部形成高溫導(dǎo)電膠層8，上基片層1和下基片層2設(shè)置在高溫導(dǎo)電膠層8的外部，電流調(diào)節(jié)器5固定設(shè)置在上基片層1上，外部電源通過(guò)上基片層1上的正極引線6和負(fù)極引線7與制冷片作用相連，上基片層1和下基片層2上均設(shè)有散熱孔9。

如圖1-2所示，一種調(diào)節(jié)式圓孔散熱半導(dǎo)體制冷片，上基片層1和下基片層2為硅片層或者陶瓷層，上基片層1和下基片層2厚度相同；散熱孔9為直徑為6～8mm的圓形通孔，散熱孔9在上基片層1和下基片層2上呈10×10的矩形陣列排列；高溫導(dǎo)電膠層8的厚度為3～6mm。

如圖1-2所示，一種調(diào)節(jié)式圓孔散熱半導(dǎo)體制冷片的工作原理如下：工作時(shí)，正負(fù)極線與外部電源連接，然后可以調(diào)節(jié)電流調(diào)節(jié)器電流的大小，從而控制上下基端的溫度。當(dāng)溫度達(dá)到一定的程度，可以通過(guò)圓形散熱孔進(jìn)行散熱。從而提高了半導(dǎo)體的耐熱溫度，對(duì)促進(jìn)半導(dǎo)體制冷領(lǐng)域有很大的作用。