本實用新型屬于半導體器件的一種鈍化結構，適用于鋁金屬引線的半導體器件。

背景技術：

在半導體器件競爭如此激烈的今天，制造工藝每減少一步就是制造成本降低一步，就能占據(jù)成本優(yōu)勢，搶占產品的市場，半導體器件的設計工程師們也是想盡辦法減小器件的尺寸，減少制造工藝步驟，節(jié)省制造成本。此實用新型針對鋁金屬引線的半導體器件，巧妙的利用光刻、注入技術對鋁金屬層做局部氧化，只用一步光刻就完成常規(guī)工藝需要兩步光刻才能完成的鋁金屬布線及鈍化，大幅度降低半導體器件生產成本，提高成品率，且氧化鋁材料致密，化學穩(wěn)定性極好，提高了器件可靠性。

技術實現(xiàn)要素：

1、一種氧化鋁鈍化結構，其結構包括：引線孔區(qū)域，單晶硅101上面是鋁金屬301；非引線孔區(qū)域，單晶硅101上面是SiO₂氧化層102，SiO₂氧化層102上面是氧化鋁501。

2、一種氧化鋁鈍化結構，其結構優(yōu)點是：只用一步光刻就完成常規(guī)工藝需要兩步光刻才能完成的鋁金屬布線及鈍化，大幅度降低半導體器件生產成本，提高成品率且氧化鋁材料致密，化學穩(wěn)定性極好，提高了器件可靠性。

附圖說明

圖1是引線孔前氧化之后的截面圖；

圖2是引線孔光刻、刻蝕及去膠之后的截面圖；

圖3是鋁金屬淀積之后的截面圖；

圖4是鋁金屬光刻、氧原子注入及去膠之后的截面圖；

圖5是氧原子鋁原子退火之后的截面圖。

編號說明

101：單晶硅，引線孔的區(qū)域，表面通常是經(jīng)過重摻雜的，為了單晶硅和鋁金屬能夠形成良好的歐姆接觸；

102：SiO₂氧化層，常規(guī)工藝用SiO₂層做阻擋層，但不限于SiO₂層；

201：引線孔，鋁金屬與單晶硅的接觸孔；

301：鋁金屬，用于半導體器件的布線，及將來的打線封裝；

401：經(jīng)過氧原子注入的鋁金屬，將鋁金屬布線以外的區(qū)域注入氧原子；

501：氧化鋁，氧原子鋁原子經(jīng)過退火后，化學反應生成絕緣的氧化鋁。

具體實施方式

1．引線孔前氧化，氧化層用做鋁金屬和單晶硅之間的阻隔層，可以通過熱氧化的方法，也可以通過化學淀積的方法。

2．引線孔光刻、刻蝕及去膠，將需要做鋁金屬和單晶硅連接的區(qū)域打開，其他部分保留。

3．鋁金屬淀積，淀積一層鋁金屬，此實用新型適用于鋁金屬作為引線的半導體器件。

4．鋁金屬光刻、氧原子注入及去膠，將鋁金屬布線以外的區(qū)域注入氧原子，氧原子的注入劑量：鋁原子的數(shù)量=3：2，能量可以分多個檔次，盡量讓注入的氧原子均勻分布在鋁金屬層中，具體根據(jù)鋁金屬厚度計算。

5．退火，3：2的氧原子和鋁原子經(jīng)過高溫退火，化學反應生成絕緣的氧化鋁，完成鋁金屬布線，同時化學性質非常穩(wěn)定的氧化鋁還可以用做器件的鈍化層，提高器件可靠性。

通過上述實施例闡述了本實用新型，同時也可以采用其它實施例實現(xiàn)本實用新型。本實用新型不局限于上述具體實施例，因此本實用新型由所附權利要求范圍限定。