1.一種可配置ROM，其特征在于，包括電可編程反熔絲(42，44)以及通過掩蔽編程的反熔絲(46)。
2.根據(jù)權利要求1所述的可配置ROM，其特征在于，至少一個電可編程反熔絲包括電容器(1)，所述電容器與存取晶體管(3)串聯(lián)連接，所述電容器包括駐留在絕緣材料層(23)上的極板(25)，電接觸件被形成在所述存取晶體管的柵極(7)上、被形成在晶體管的與所述電容器相對的主區(qū)域(5)上以及被形成在所述電容器的極板(25)上。
3.根據(jù)權利要求2所述的可配置ROM，其特征在于，通過掩蔽編程的至少一個反熔絲包括電可編程反熔絲的部件，并且進一步包括在所述晶體管(3)和所述電容器(1)之間在襯底(11)上的電接觸件。
4.根據(jù)權利要求2所述的可配置ROM，其特征在于，所述電接觸件中的每個電接觸件經(jīng)由通孔連接至在第一金屬化層中形成的電極。
5.根據(jù)權利要求4所述的可配置ROM，其特征在于，電可編程反熔絲的所述電容器(1)的電極的形狀和尺寸與通過掩蔽編程的反熔絲的電容器(1)的電極的形狀和尺寸等同。
6.根據(jù)權利要求2所述的可配置ROM，其特征在于，所述絕緣材料層具有與所述存取晶體管的柵極絕緣體層相同的厚度，并且由與所述存取晶體管的柵極絕緣體層相同的材料制成。
7.根據(jù)權利要求6所述的可配置ROM，其特征在于，所述絕緣材料層和所述柵極絕緣體層具有在從1nm至10nm范圍內(nèi)的厚度。