本實(shí)用新型涉及顯示面板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種電漿蝕刻設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著信息社會的發(fā)展，人們對顯示設(shè)備的需求得到了增長，因而也推動了液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、以及有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器行業(yè)的快速發(fā)展。不論是LCD、還是OLED顯示器，均包括一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)。蝕刻制程是制造TFT陣列基板過程中的一個(gè)重要制程。蝕刻工藝根據(jù)蝕刻劑的物理狀態(tài)分為干蝕刻工藝和濕蝕刻工藝，其中干蝕刻工藝是在在電漿蝕刻機(jī)臺中通過激發(fā)或解離蝕刻氣體分子得到等離子體，利用等離子體做成射頻(Radio Frequency，RF)電漿轟擊薄膜進(jìn)行蝕刻的技術(shù)。

如圖1所示，傳統(tǒng)的電漿蝕刻機(jī)臺包括，上電極部100、與上電極部100相對間隔設(shè)置的下電極部200、設(shè)于下電極部200下方的冷卻板(未圖示)、及與上電極部100、下電極部200相連的電源(未圖示)，其中，所述下電極部200包括電極板210、覆蓋所述電極板210的陽極膜220、及設(shè)于所述陽極膜220上的吸附平臺230。其中，所述電極板210通過在四周邊緣上設(shè)置鏍釘而固定于其下方的冷卻板上；所述上電極部100與下電極部200之間形成高壓電場，驅(qū)動電漿對固定在吸附平臺230上的晶元或基板進(jìn)行轟擊，以達(dá)到蝕刻的目的。若電極板210和固定晶元或基板的吸附平臺230尺寸一樣大小，則會導(dǎo)致待蝕刻晶元或基板的邊緣上方的電漿能量減少，導(dǎo)致對晶元或基板的蝕刻不均勻。為解決上述問題，通常在電漿蝕刻設(shè)備中，電極板210的尺寸要大于吸附平臺230的尺寸。這種情況下，為了抵擋電漿轟擊電極板200、及鋪在電極板200上的陽極膜220，防止電流直接穿透至陽極膜220及電極板210引發(fā)的異常放電與停機(jī)，圖1所示的電漿蝕刻設(shè)備中還設(shè)置了包圍吸附平臺230四周邊緣的屏蔽環(huán)(Shield Ring)240，該屏蔽環(huán)240的材料通常采用絕緣的陶瓷材料。

另外，隨著智慧型手機(jī)的普及，使得以觸控為操作界面的相關(guān)技術(shù)蓬勃發(fā)展。其中，投射電容式觸控面板(Projected Capacitive Touch Panel，PCTP)由于具有輕、薄、防干擾的特性，以及能夠?qū)崿F(xiàn)真實(shí)多點(diǎn)觸控的使用效果，已成為現(xiàn)有觸控面板的主流。由于電容式觸控面板在制作時(shí)必須在很細(xì)的邊緣區(qū)中設(shè)置邊緣走線，為了維持觸控面板邊緣走線良好的可靠性并避免相鄰線路相接觸而發(fā)生短路導(dǎo)致使用時(shí)產(chǎn)生信號干擾或信號錯誤的情形，現(xiàn)有設(shè)置邊緣走線的方式也開始采用電漿蝕刻機(jī)臺在觸控面板的邊緣區(qū)形成所規(guī)劃的線路。

目前，在實(shí)際面板生產(chǎn)工藝中，所采用的電漿蝕刻機(jī)臺通常是對應(yīng)于尺寸規(guī)格較大的第6世代(G6)面板產(chǎn)品而設(shè)置的，即電漿蝕刻機(jī)臺的吸附平臺230與G6產(chǎn)品的尺寸相適應(yīng)，從而對于尺寸規(guī)格小于G6的產(chǎn)品，同樣可使用該電漿蝕刻機(jī)臺進(jìn)行生產(chǎn)，例如尺寸規(guī)格為G6對半規(guī)格的G4.5觸控產(chǎn)品，然而利用大規(guī)格的電漿蝕刻機(jī)臺同樣也只能每次對一片小規(guī)格的產(chǎn)品進(jìn)行處理，這就造成設(shè)備的浪費(fèi)，廠房空間的利用率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種電漿蝕刻設(shè)備，具有兩并列的吸附平臺單元，能夠同時(shí)對兩片基板進(jìn)行處理，從而使用該電漿蝕刻設(shè)備，能夠減少產(chǎn)線設(shè)備數(shù)量，提高廠房空間的利用率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種電漿蝕刻設(shè)備，包括上電極部、及與所述上電極部相對間隔設(shè)置的下電極部；

所述下電極部包括電極板、設(shè)于所述電極板上并覆蓋所述電極板的陽極膜、并列且相互間隔設(shè)于所述陽極膜上的兩吸附平臺單元、及設(shè)在所述陽極膜上并包圍每一吸附平臺單元四周邊緣的屏蔽環(huán)。

所述電極板包括并列設(shè)置的兩電極板單元，所述兩吸附平臺單元分別對應(yīng)設(shè)于所述兩電極板單元的上方。

所述兩電極板單元并列且相互接觸設(shè)置。

所述的電漿蝕刻設(shè)備，還包括設(shè)于所述下電極部下方的冷卻板。

對應(yīng)每一吸附平臺單元的外側(cè)，相應(yīng)的電極板單元的四周邊緣上及其上方的陽極膜上設(shè)有數(shù)個(gè)鏍孔，每一電極板單元通過對應(yīng)穿過所述數(shù)個(gè)鏍孔的數(shù)個(gè)鏍釘而固定于所述冷卻板上；

所述屏蔽環(huán)完全覆蓋對應(yīng)每一電極板單元的數(shù)個(gè)鏍釘。

所述吸附平臺單元的材料為氧化鋁。

所述屏蔽環(huán)的材料為絕緣陶瓷材料。

所述兩吸附平臺單元的尺寸及形狀相同。

所述的電漿蝕刻設(shè)備，還包括與所述上電極部、下電極部相連的電源。

所述的電漿蝕刻設(shè)備，用于觸控面板邊緣走線的制作。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型的電漿蝕刻設(shè)備，包括上電極部、與上電極部相對間隔設(shè)置的下電極部；所述下電極部包括電極板、設(shè)于所述電極板上并覆蓋所述電極板的陽極膜、并列且相互間隔設(shè)于所述陽極膜上的兩吸附平臺單元、及設(shè)在所述陽極膜上并包圍每一吸附平臺單元四周邊緣的屏蔽環(huán)；能夠同時(shí)對兩片基板進(jìn)行處理，從而使用該電漿蝕刻設(shè)備，與采用現(xiàn)有技術(shù)相比，在相同的產(chǎn)能下，能夠減少產(chǎn)線設(shè)備數(shù)量，提高廠房空間的利用率。

附圖說明

為了能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本實(shí)用新型加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的電漿蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的電漿蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型的電漿蝕刻設(shè)備中陽極膜與兩吸附平臺單元的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖2，本實(shí)用新型提供一種電漿蝕刻設(shè)備，包括上電極部10、與上電極部10相對間隔設(shè)置的下電極部20、設(shè)于所述下電極部20下方的冷卻板(未圖示)、及與所述上電極部10、下電極部20相連的電源(未圖示)；

所述下電極部20包括電極板21、設(shè)于所述電極板21上并覆蓋所述電極板21的陽極膜22、并列且相互間隔設(shè)于所述陽極膜22上的兩吸附平臺單元231、及設(shè)在所述陽極膜22上并包圍每一吸附平臺單元231四周邊緣的屏蔽環(huán)24。

具體地，所述上電極部10、下電極部20連接電源，二者之間形成高壓電場，驅(qū)動電漿對固定在吸附平臺單元231上的基板進(jìn)行轟擊。

具體地，所述電極板21包括并列且相互接觸設(shè)置的兩電極板單元211，所述兩吸附平臺單元231分別對應(yīng)設(shè)于兩電極板單元211的上方。

具體地，如圖3所示，對應(yīng)每一吸附平臺單元231的外側(cè)，相應(yīng)的電極板單元211的四周邊緣及其上方的陽極膜22上設(shè)有數(shù)個(gè)鏍孔212，每一電極板單元211通過對應(yīng)穿過所述數(shù)個(gè)鏍孔212的數(shù)個(gè)鏍釘而固定于所述冷卻板30上。

具體地，所述屏蔽環(huán)24完全覆蓋對應(yīng)每一電極板單元211的數(shù)個(gè)鏍釘，從而避免能夠?qū)щ姷逆犪斨g形成電弧(arcing)。

具體地，所述吸附平臺單元231的材料為氧化鋁(Al₂O₃)。

具體地，所述屏蔽環(huán)24的材料為絕緣陶瓷材料。

具體地，所述兩吸附平臺單元231的尺寸及形狀相同。

具體地，本實(shí)用新型的電漿蝕刻設(shè)備用于觸控面板邊緣走線的制作。

具體地，本實(shí)用新型的電漿蝕刻設(shè)備，可以由現(xiàn)有的對應(yīng)G6產(chǎn)品規(guī)格的電漿蝕刻機(jī)臺通過切割后制得，其具體制作方法包括如下步驟：

步驟1、將現(xiàn)有電漿蝕刻機(jī)臺的下電極部的電極板進(jìn)行切割，得到兩個(gè)并列的電極板單元211。

步驟2、在兩個(gè)電極板單元211上進(jìn)行陽極膜再生，得到覆蓋兩個(gè)電極板單元211的陽極膜22，然后在陽極膜22上對應(yīng)每一電極板單元211形成氧化鋁的吸附平臺單元231。

步驟3、在兩電極板單元211的切割處的兩側(cè)增加鏍孔212，通過鏍釘分別將兩電極板單元211進(jìn)行固定。

步驟4、在所述陽極膜22上形成包圍每一吸附平臺單元231四周邊緣的屏蔽環(huán)24，此時(shí)所述屏蔽環(huán)24覆蓋兩電極板單元211之間的切割處，并覆蓋用于固定兩電極板單元211的鏍釘。

綜上所述，本實(shí)用新型的電漿蝕刻設(shè)備，包括上電極部、與上電極部相對間隔設(shè)置的下電極部；所述下電極部包括電極板、設(shè)于所述電極板上并覆蓋所述電極板的陽極膜、并列且相互間隔設(shè)于所述陽極膜上的兩吸附平臺單元、及設(shè)在所述陽極膜上并包圍每一吸附平臺單元四周邊緣的屏蔽環(huán)；能夠同時(shí)對兩片基板進(jìn)行處理，從而使用該電漿蝕刻設(shè)備，與采用現(xiàn)有技術(shù)相比，在相同的產(chǎn)能下，能夠減少產(chǎn)線設(shè)備數(shù)量，提高廠房空間的利用率。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。