本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，特別涉及一種便于加工的LED芯片。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode，LED)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件。這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低光度的紅光，之后發(fā)展出其他單色光的版本，時(shí)至今日能發(fā)出的光已遍及可見(jiàn)光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛取Ｓ捎谄渚哂泄?jié)能、環(huán)保、安全、壽命長(zhǎng)、低功耗、低熱、高亮度、防水、微型、防震、易調(diào)光、光束集中、維護(hù)簡(jiǎn)便等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領(lǐng)域。

傳統(tǒng)的LED芯片封裝工藝步驟如下：第一，將LED芯片通過(guò)界面導(dǎo)熱材料固定在支架內(nèi)，即固晶工藝，此時(shí)LED芯片的金屬電極面朝上；第二，通過(guò)金線鍵合工藝實(shí)現(xiàn)芯片電極與外電路的連接，然后使用高透明的樹(shù)脂將LED芯片包裝起來(lái)，以保護(hù)發(fā)光器件和封裝結(jié)構(gòu)。

傳統(tǒng)的LED芯片封裝工藝主要存在以下三點(diǎn)不足：芯片的傳熱效率低，多芯片組裝的復(fù)雜性高，并且封裝效率低。具體表現(xiàn)如下：第一，芯片的傳熱性能受到界面材料的導(dǎo)熱能力的限制，尤其是市場(chǎng)對(duì)大功率的LED芯片的需求越來(lái)越大，而采用傳統(tǒng)封裝工藝的LED芯片的散熱問(wèn)題越發(fā)突出；第二，隨著多芯片構(gòu)成的大功率、多色彩的LED模組所應(yīng)用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，采用傳統(tǒng)引線鍵合工藝，引線會(huì)占據(jù)相當(dāng)一部分空間，導(dǎo)致封裝體積過(guò)大，不利于產(chǎn)品的小型化，同時(shí)生產(chǎn)效率低；第三，傳統(tǒng)封裝工藝流程復(fù)雜，生產(chǎn)效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種便于加工的LED芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致的上述多項(xiàng)缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供以下的技術(shù)方案：一種便于加工的LED芯片，所述LED芯片包括：

襯底，所述襯底有上表面和下表面；

位于所述襯底上表面上的N型半導(dǎo)體層，所述N型半導(dǎo)體層為階梯型，N型半導(dǎo)體層包括頂端平鋪的第一表面、豎直的第二表面和底端平鋪的第三表面，所述第二表面為鋸齒狀；

位于所述N型半導(dǎo)體上的發(fā)光層，所述發(fā)光層位于第一表面上；

位于所述發(fā)光層上的P型半導(dǎo)體層；

位于所述P型半導(dǎo)體層上和N型半導(dǎo)體第三表面上的電流阻擋層；

形成于所述電流阻擋層中處于P型半導(dǎo)體層上的P型電極；

形成與所述電流阻擋層中處于N型半導(dǎo)體層第三表面上的N型電極。

優(yōu)選的，所述電流阻擋層上設(shè)有金屬犧牲層。

優(yōu)選的，所述P型電極與N型電極之間的所述電流阻擋層的面積與整個(gè)電極面的面積之比處于1/3-1/2的范圍內(nèi)。

優(yōu)選的，所述襯底下表面設(shè)有絕緣導(dǎo)熱層。

優(yōu)選的，所述絕緣導(dǎo)熱層下表面設(shè)有鋁制散熱片。

采用以上技術(shù)方案的有益效果是：本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的一種LED燈，通過(guò)將N型電極和P型電極的面積之比控制在合理的范圍內(nèi)，解決了表面張力導(dǎo)致偏位虛焊的缺陷；通過(guò)在P型電極和N型電極的焊盤(pán)上生長(zhǎng)凸點(diǎn)，有效地抵消了電極焊盤(pán)之間的高度差，有效地減小了偏位虛焊，改善了封裝效果；同時(shí)，由于將電極之間的鈍化層的面積(絕緣間距)控制在合理的范圍內(nèi)，有效防止了SMT中的短路失效，N型半導(dǎo)體層的第二表面呈鋸齒狀，使得從LED內(nèi)部發(fā)光區(qū)發(fā)出的光在鋸齒狀的界面多次散射，改變了全反射的出射角，增加了光出射的幾率，從而能提高了LED的發(fā)光效率。本方案LED芯片的亮度比傳統(tǒng)方法提高了3％，且絕緣導(dǎo)熱層和鋁制散熱片可以有效的給LED芯片散熱，增強(qiáng)其使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，1-襯底，2-N型半導(dǎo)體層，3-發(fā)光層，4-P型半導(dǎo)體層，5-P型電極，6-電流阻擋層，7-絕緣導(dǎo)熱層，8-N型電極，9-金屬犧牲層，10-鋁制散熱片，21-第一表面，22-第二表面，23-第三表面。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式。

圖1出示本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式：一種便于加工的LED芯片，所述LED芯片包括：

襯底1，所述襯底1有上表面和下表面，襯底1可以是藍(lán)寶石、SiC、GaN等；

位于所述襯底1上表面上的N型半導(dǎo)體層2，所述N型半導(dǎo)體層2為階梯型，N型半導(dǎo)體層2包括頂端平鋪的第一表面21、豎直的第二表面22和底端平鋪的第三表面23，所述第二表面22為鋸齒狀，鋸齒的三角形頂角為40°-47°，鋸齒的三角形邊長(zhǎng)為1um-1.3um,LED芯片內(nèi)部還設(shè)置有內(nèi)部發(fā)光層3，如量子阱發(fā)光區(qū)，從該LED芯片內(nèi)部發(fā)光區(qū)發(fā)出的光在鋸齒狀的界面多次散射，改變了全反射的出射角，增加了光出射的幾率，從而能提高LED的發(fā)光效率，本方案的LED芯片亮度比傳統(tǒng)方法提高了3％；

位于所述N型半導(dǎo)體上的發(fā)光層3，所述發(fā)光層3位于第一表面21上，N形半導(dǎo)體層的材料是N型GaN；

位于所述發(fā)光層3上的P型半導(dǎo)體層4，P形半導(dǎo)體層的材料是P型GaN等；

位于所述P型半導(dǎo)體層4上和N型半導(dǎo)體第三表面23上的電流阻擋層6，由于將電極之間的電流阻擋層6的面積控制在合理的范圍內(nèi)，有效防止了SMT中的短路失效；

形成于所述電流阻擋層6中處于P型半導(dǎo)體層4上的P型電極5；

形成與所述電流阻擋層6中處于N型半導(dǎo)體層2第三表面23上的N型電極8，電極材料可以是鋁、硅、鈦、鎢、銅、銀、鎳、金、銀、銦、錫等中的一種金屬材料或者多種金屬材料形成的多層膜或合金。

本實(shí)施例中，所述電流阻擋層6上設(shè)有金屬犧牲層9，保護(hù)LED芯片，在進(jìn)行SMT工藝的時(shí)候，除去金屬犧牲層9。

本實(shí)施例中，所述P型電極5與N型電極8之間的所述電流阻擋層6的面積與整個(gè)電極面的面積之比處于1/3-1/2的范圍內(nèi)。

本實(shí)施例中，所述襯底1下表面設(shè)有絕緣導(dǎo)熱層7，可以傳遞LED工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，且可以絕緣，防止發(fā)生短路。

本實(shí)施例中，所述絕緣導(dǎo)熱層7下表面設(shè)有鋁制散熱片10，將絕緣導(dǎo)熱層7傳遞過(guò)來(lái)的熱量散發(fā)掉，降低LED芯片的熱量，優(yōu)化LED芯片的工作溫度。

以上所說(shuō)的“電極面”的面積指兩電極的面積與絕緣部分和電流阻擋層6的面積之和。

基于上述：本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的一種LED燈，通過(guò)將N型電極8和P型電極5的面積之比控制在合理的范圍內(nèi)，解決了表面張力導(dǎo)致偏位虛焊的缺陷；通過(guò)在P型電極5和N型電極8的焊盤(pán)上生長(zhǎng)凸點(diǎn)，有效地抵消了電極焊盤(pán)之間的高度差，有效地減小了偏位虛焊，改善了封裝效果；同時(shí)，由于將電極之間的鈍化層的面積(絕緣間距)控制在合理的范圍內(nèi)，有效防止了SMT中的短路失效，N型半導(dǎo)體層2的第二表面22呈鋸齒狀，使得從LED內(nèi)部發(fā)光區(qū)發(fā)出的光在鋸齒狀的界面多次散射，改變了全反射的出射角，增加了光出射的幾率，從而能提高了LED的發(fā)光效率。本方案LED芯片的亮度比傳統(tǒng)方法提高了3％，且絕緣導(dǎo)熱層7和鋁制散熱片10可以有效的給LED芯片散熱，增強(qiáng)其使用壽命。

以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。