技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及元件集合體臨時(shí)固定片。

背景技術(shù)：

以往，公知有利用熒光體層等覆蓋層覆蓋多個(gè)LED來制作覆蓋LED的方法。

例如，提出了如下方法：準(zhǔn)備具有硬質(zhì)的支承板的支承片，將半導(dǎo)體元件配置于支承片的上表面，用密封層覆蓋半導(dǎo)體元件，之后，將密封層與半導(dǎo)體元件相對(duì)應(yīng)地切斷(例如，參照日本特開2014－168036號(hào)公報(bào)。)。

在日本特開2014－168036號(hào)公報(bào)中，在支承板上設(shè)置有基準(zhǔn)標(biāo)記，以該基準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)切斷密封層。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

然而，支承板是硬質(zhì)的，因此，存在難以設(shè)置標(biāo)記這樣的不良情況。

本實(shí)用新型的目的在于，提供一種能夠在支承層上容易地設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的、元件集合體臨時(shí)固定片的制造方法以及由該制造方法獲得的元件集合體臨時(shí)固定片。

本實(shí)用新型[1]是一種元件集合體臨時(shí)固定片，其特征在于，該元件集合體臨時(shí)固定片包括：元件集合體固定層，其用于對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件排列配置而成的元件集合體進(jìn)行臨時(shí)固定；支承層，其由合成樹脂形成，用于對(duì)所述元件集合體固定層進(jìn)行支承，在所述支承層上設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由碳材料形成。

在該元件集合體臨時(shí)固定片中，在由合成樹脂形成的支承層設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，因此，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可容易地形成于支承層。

本實(shí)用新型[2]包括根據(jù)[1]所記載的元件集合體臨時(shí)固定片，其特征在于，所述元件集合體固定層以及所述支承層是透明的，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是不透明的。

根據(jù)該元件集合體臨時(shí)固定片，能夠切實(shí)地視覺確認(rèn)不透明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。因此，能夠以對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)切實(shí)地臨時(shí)固定元件集合體，或者能夠切實(shí)地切斷用于對(duì)元件集合體進(jìn)行密封的密封層。

本實(shí)用新型[3]包括[1]所記載的元件集合體臨時(shí)固定片，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是從由熱轉(zhuǎn)印和噴墨印刷形成的組選擇的至少一個(gè)方法設(shè)置的圖案。

根據(jù)該元件集合體臨時(shí)固定片，能夠容易地設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

本實(shí)用新型[4]包括[1]或[3]所記載的元件集合體臨時(shí)固定片，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由銀形成。

根據(jù)該元件集合體臨時(shí)固定片，所述碳材料由碳黑形成，因此，能夠提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的可視性。

本實(shí)用新型[5]包括[1]所記載的元件集合體臨時(shí)固定片，其特征在于，所述元件集合體固定層的厚度小于120μm。

該元件集合體臨時(shí)固定片的元件集合體固定層的厚度薄達(dá)小于120μm，因此，處理性優(yōu)異。

本實(shí)用新型[6]包括[1]所記載的元件集合體臨時(shí)固定片，其特征在于，所述元件集合體固定層設(shè)置于所述支承層的至少一個(gè)面。

在該元件集合體臨時(shí)固定片中，元件集合體固定層設(shè)置于支承層的至少一個(gè)面，因此，能夠提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的可視性。

附圖說明

圖1是表示本實(shí)用新型的元件集合體臨時(shí)固定片的第1實(shí)施方式的俯視圖。

圖2是表示圖1所示的元件集合體臨時(shí)固定片的沿著A－A線的剖視圖。

圖3A～圖3C是使用光刻法來設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法的工序圖，

圖3A表示準(zhǔn)備具有支承層以及感光層的帶感光層的支承層的工序(1)，

圖3B表示對(duì)感光層進(jìn)行曝光的工序，

圖3C表示對(duì)感光層進(jìn)行顯影的工序(2)。

圖4A～圖4E是使用圖2所示的元件集合體臨時(shí)固定片的方法的工序圖，

圖4A表示將載體設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片之下的工序，

圖4B表示將多個(gè)光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于臨時(shí)固定構(gòu)件的工序，

圖4C表示利用密封層對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封的工序，

圖4D表示將密封層切斷而將密封光半導(dǎo)體元件從元件集合體臨時(shí)固定片剝離的工序，

圖4E表示將密封光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖5表示第1實(shí)施方式的變形例的元件集合體臨時(shí)固定片的剖視圖。

圖6A以及圖6B是第1實(shí)施方式的元件集合體臨時(shí)固定片的使用方法的變形例，

圖6A表示不將密封元件集合體切斷就從臨時(shí)固定構(gòu)件剝離的工序，

圖6B表示將密封元件集合體倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖7表示本實(shí)用新型的元件集合體臨時(shí)固定片的第2實(shí)施方式的俯視圖。

圖8A～圖8E是使用圖7所示的元件集合體臨時(shí)固定片的方法的工序圖，

圖8A表示將載體設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片之上、并將第2壓敏粘接層設(shè)置于載體之上來準(zhǔn)備臨時(shí)固定構(gòu)件的工序，

圖8B表示將多個(gè)光半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于第2壓敏粘接層的工序，

圖8C表示利用密封層對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件進(jìn)行密封的工序，

圖8D表示將密封層切斷的工序，

圖8E將密封光半導(dǎo)體元件從第2壓敏粘接層剝離的工序，

圖8F表示將密封光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

圖9表示第2實(shí)施方式的變形例的元件集合體臨時(shí)固定片。

圖10A～圖10C是第2實(shí)施方式的元件集合體臨時(shí)固定片的使用方法的變形例，

圖10A表示不將密封元件集合體切斷、就將第2壓敏粘接層從元件集合體臨時(shí)固定片剝離的工序，

圖10B將光半導(dǎo)體元件以及密封層從第2壓敏粘接層剝離的工序，

圖10C表示將光半導(dǎo)體元件倒裝芯片安裝于基板的工序。

具體實(shí)施方式

在圖2中，紙面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，紙面上側(cè)是上側(cè)(第1方向的一側(cè)、厚度方向的一側(cè))，紙面下側(cè)是下側(cè)(第1方向的另一側(cè)、厚度方向的另一側(cè))。在圖2中，紙面左右方向是左右方向(與第1方向正交的第2方向、寬度方向)，紙面右側(cè)是右側(cè)(第2方向的一側(cè)、寬度方向的一側(cè))，紙面左側(cè)是左側(cè)(第2方向的另一側(cè)、寬度方向的另一側(cè))。在圖2中，紙厚方向是前后方向(與第1方向以及第2方向正交的第3方向)，紙面近前側(cè)是前側(cè)(第3方向的一側(cè))，紙面進(jìn)深側(cè)是后側(cè)(第3方向的另一側(cè))。具體以各圖的方向箭頭為準(zhǔn)。

1.第1實(shí)施方式

如圖1以及圖2所示，元件集合體臨時(shí)固定片1具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著與厚度方向正交的面方向(左右方向以及前后方向)延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。此外，在元件集合體臨時(shí)固定片1中，具有前后方向長(zhǎng)度比左右方向長(zhǎng)度(寬度)長(zhǎng)的平板形狀?；蛘?，元件集合體臨時(shí)固定片1具有前后方向較長(zhǎng)的長(zhǎng)條形狀。

如圖2所示，元件集合體臨時(shí)固定片1依次具有元件集合體固定層3、支承層2和第1壓敏粘接層4。具體而言，元件集合體臨時(shí)固定片1具有：支承層2；設(shè)置于支承層2之上的元件集合體固定層3；設(shè)置于支承層2之下的第1壓敏粘接層4。另外，在該元件集合體臨時(shí)固定片1中，元件集合體固定層3具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。以下，說明各構(gòu)件。

1－1.支承層

支承層2位于元件集合體臨時(shí)固定片1的厚度方向中央。也就是說，支承層2介于元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4之間。元件集合體臨時(shí)固定片1具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。另外，支承層2具有撓性。支承層2支承著元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4。

支承層2由合成樹脂形成。作為合成樹脂，可列舉出例如聚乙烯(例如、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯等)、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-C4以上的α-烯烴共聚物等烯烴聚合物、例如、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸正丁酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、例如、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、例如聚碳酸酯、例如聚氨酯等聚合物。共聚物也可以是無規(guī)共聚物以及嵌段共聚物中的任一種。合成樹脂也可以單獨(dú)使用或組合使用兩種以上。另外，支承層2也可以是上述的合成樹脂的多孔質(zhì)。

優(yōu)選的是，支承層2由PET、聚碳酸酯形成。

另外，支承層2也可以由單層或多個(gè)層構(gòu)成。

另外，上述的合成樹脂例如是透明的。也就是說，支承層2是透明的。具體而言，支承層2的全光線透過率例如是80％以上，優(yōu)選的是90％以上，更優(yōu)選的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

支承層2的線膨脹系數(shù)例如是500×10^-6K^-1以下，優(yōu)選的是300×10^-6K^-1以下，另外，例如是2×10^-6K^-1以上，優(yōu)選的是10×10^-6K^-1％以上。支承層2的線膨脹系數(shù)只要是上述的上限以下，則能夠達(dá)成以對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7為基準(zhǔn)的光半導(dǎo)體元件11的排列、和/或密封層12的切斷。支承層2的線膨脹系數(shù)可由線膨脹系數(shù)測(cè)定裝置測(cè)定。對(duì)于以下的各構(gòu)件的線膨脹系數(shù)也可通過同樣的方法測(cè)定。

支承層2的25℃時(shí)的拉伸彈性模量E例如是200MPa以下，優(yōu)選的是100MPa以下，更優(yōu)選的是80MPa以下，另外，例如是50MPa以上。支承層2的拉伸彈性模量E只要是上述的上限以下，就能夠確保撓性，能夠容易地設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

支承層2的厚度例如是10μm以上，優(yōu)選的是30μm以上，另外，例如是350μm以下，優(yōu)選的是100μm以下。

1－2.元件集合體固定層

元件集合體固定層3位于元件集合體臨時(shí)固定片1的上端部。元件集合體固定層3配置于支承層2的上表面。也就是說，元件集合體固定層3形成了元件集合體臨時(shí)固定片1的上表面。元件集合體固定層3具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面(除了與后述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7相對(duì)應(yīng)的部分之外)。另外，元件集合體固定層3具有壓敏粘接性(粘合性)。

元件集合體固定層3由壓敏粘接劑形成。作為壓敏粘接劑，可列舉出例如丙烯酸系壓敏粘接劑、橡膠系壓敏粘接劑、SIS(苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯·嵌段共聚物)系壓敏粘接劑、有機(jī)硅系壓敏粘接劑、乙烯基烷基醚系壓敏粘接劑、聚乙烯醇系壓敏粘接劑、聚乙烯吡咯烷酮系壓敏粘接劑、聚丙烯酰胺系壓敏粘接劑、纖維素系壓敏粘接劑、氨基甲酸酯系壓敏粘接劑、聚酯系壓敏粘接劑、聚酰胺系壓敏粘接劑、環(huán)氧系壓敏粘接劑等。優(yōu)選的是，可列舉出有機(jī)硅系壓敏粘接劑。

另外，元件集合體固定層3是透明的。元件集合體固定層3的全光線透過率例如是80％以上，優(yōu)選的是90％以上，更優(yōu)選的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

元件集合體固定層3的線膨脹系數(shù)例如是500×10^-6K^-1以下，優(yōu)選的是300×10^-6K^-1以下，另外，例如還是2×10^-6K^-1以上、優(yōu)選的是100×10^-6K^-1以上。

將元件集合體固定層3與硅板壓敏粘接，在25℃時(shí)將元件集合體固定層3以180度從硅板剝離時(shí)的剝離力(參照日本標(biāo)準(zhǔn)JIS-Z-0237:2009)例如是0.1N/mm以上，優(yōu)選的是0.3N/mm以上，另外，例如是1N/mm以下。元件集合體固定層3的剝離力只要是上述的下限以上，就能夠切實(shí)地臨時(shí)固定多個(gè)光半導(dǎo)體元件11。

元件集合體固定層3的厚度例如是5μm以上，優(yōu)選的是10μm以上，另外，例如是小于120μm，優(yōu)選的是小于100μm，更優(yōu)選的是80μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選的是60μm以下。在元件集合體固定層3的厚度超過上述的下限的情況下，能夠?qū)υ象w臨時(shí)固定片1的上表面切實(shí)地賦予壓敏粘接性。因此，能夠簡(jiǎn)便地制造元件集合體臨時(shí)固定片1。在元件集合體固定層3的厚度低于上述的上限的情況下，能夠提高元件集合體固定層3的處理性。

1－3.第1壓敏粘接層

第1壓敏粘接層4位于元件集合體臨時(shí)固定片1的下端部。另外，第1壓敏粘接層4配置于支承層2的下表面。也就是說、第1壓敏粘接層4形成了元件集合體臨時(shí)固定片1的下表面。而且，第1壓敏粘接層4沿著厚度方向與元件集合體固定層3一起夾著支承層2。第1壓敏粘接層4具有平板形狀，具體而言，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。

元件集合體固定層3以對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置而成的元件集合體16(后述。參照?qǐng)D1以及圖4B)進(jìn)行臨時(shí)固定的方式構(gòu)成。具體而言，第1壓敏粘接層4具有壓敏粘接性(粘合性)。

第1壓敏粘接層4由與元件集合體固定層3相同的壓敏粘接劑形成。

第1壓敏粘接層4是透明的。第1壓敏粘接層4的全光線透過率例如是80％以上，優(yōu)選的是90％以上，更優(yōu)選的是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

第1壓敏粘接層4的線膨脹系數(shù)例如是500×10^-6K^-1以下，優(yōu)選的是300×10^-6K^-1以下，另外，例如還是2×10^-6K^-1以上，優(yōu)選的是10×10^-6K^-1％以上。第1壓敏粘接層4的厚度例如是5μm以上，優(yōu)選的是10μm以上，另外，例如小于100μm，優(yōu)選的是80μm以下，更優(yōu)選的是60μm以下。

1－4.對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記

如圖2所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。

如圖1以及圖2所示，具體而言，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7在支承層2的上表面的右端部設(shè)置有多個(gè)。詳細(xì)而言，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于被劃分在元件集合體形成區(qū)域17的右側(cè)(寬度方向一側(cè)的一個(gè)例子)的標(biāo)記形成區(qū)域18，在該元件集合體形成區(qū)域17設(shè)有后述的元件集合體16。標(biāo)記形成區(qū)域18沿著前后方向配置于元件集合體臨時(shí)固定片1的右端部。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7是用于將元件集合體16臨時(shí)固定于元件集合體固定層3、且用于對(duì)密封元件集合體16的密封層12進(jìn)行切斷的基準(zhǔn)標(biāo)記。具體而言，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7具有排列標(biāo)記8以及切斷標(biāo)記9。排列標(biāo)記8以及切斷標(biāo)記9與沿著左右方向排列成一列的多個(gè)光半導(dǎo)體元件11(后述)相對(duì)應(yīng)地各配置有1個(gè)，排列標(biāo)記8以及切斷標(biāo)記9沿著左右方向彼此隔開間隔地排列配置。

排列標(biāo)記8是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7中的位于左側(cè)的標(biāo)記，沿著前后方向彼此隔開間隔地配置有多個(gè)。多個(gè)排列標(biāo)記8各自具有例如大致圓形狀。

切斷標(biāo)記9是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7中的位于右側(cè)的標(biāo)記，沿著前后方向彼此隔開間隔地配置有多個(gè)。具體而言，多個(gè)切斷標(biāo)記9分別以在左右方向投影時(shí)不與各個(gè)排列標(biāo)記8重疊的方式配置。也就是說，多個(gè)排列標(biāo)記8和多個(gè)切斷標(biāo)記9配置成交錯(cuò)狀，也就是說，在左右方向投影時(shí)沿著前后方向交替地配置。各切斷標(biāo)記9與各排列標(biāo)記8隔開間隔地配置于各排列標(biāo)記8的右前側(cè)。多個(gè)切斷標(biāo)記9各自具有例如沿著左右方向延伸的大致棒(直線)形狀。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7是不透明的。

因此，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7由不透明(后述)的材料形成。作為那樣的材料，可列舉出例如銀(金屬銀)等金屬材料、碳黑等碳材料等。優(yōu)選的是，可列舉出金屬材料，更優(yōu)選的是，可列舉出銀。只要是銀，就能夠更進(jìn)一步提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的可視性。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的尺寸被適當(dāng)設(shè)定。排列標(biāo)記8的直徑(最大長(zhǎng)度)例如是0.05mm以上，優(yōu)選的是0.0mm以上，另外，例如是1mm以下，優(yōu)選的是0.5mm以下。

相鄰的排列標(biāo)記8的中心間的距離(即，間距)例如是0.05mm以上，優(yōu)選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優(yōu)選的是0.8mm以下。

切斷標(biāo)記9的左右方向長(zhǎng)度例如是0.05mm以上，優(yōu)選的是0.1mm以上，另外，例如是1mm以下，優(yōu)選的是0.5mm以下。切斷標(biāo)記9的寬度(前后方向長(zhǎng)度)例如是0.05mm以上，優(yōu)選的是0.1mm以上，另外，例如是1mm以下，優(yōu)選的是0.25mm以下。在前后方向投影時(shí)左右相鄰的排列標(biāo)記8以及切斷標(biāo)記9之間的間隔例如是0.1mm以上，優(yōu)選的是0.2mm以上，另外，例如是1mm以下，優(yōu)選的是0.8mm以下。切斷標(biāo)記9的中心間的間距例如是0.05mm以上，優(yōu)選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優(yōu)選的是0.8mm以下。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的厚度例如是0.5μm以上，優(yōu)選的是1μm以上，另外，例如是10μm以下，優(yōu)選的是5μm以下。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的全光線透過率例如是40％以下，優(yōu)選的是20％以下，更優(yōu)選的是10％以下，另外，例如是0.1％以上。

1－5.第1剝離層以及第2剝離層

如圖2所示，元件集合體臨時(shí)固定片1還具有第1剝離層5以及第2剝離層6。

如參照?qǐng)D4A以及圖4B那樣，第1剝離層5為了在直到利用元件集合體固定層3將光半導(dǎo)體元件11臨時(shí)固定為止的期間內(nèi)保護(hù)元件集合體固定層3而以可剝離的方式貼合于元件集合體固定層3的表面。也就是說，第1剝離層5是由樹脂形成的撓性膜，在元件集合體臨時(shí)固定片1的出廠、輸送、保管時(shí)，該撓性膜以覆蓋元件集合體固定層3的表面的方式疊合于元件集合體固定層3的表面，在元件集合體固定層3即將使用之前，該撓性膜能夠從元件集合體固定層3的表面以呈大致U字狀彎曲的方式剝下來。另外，撓性膜的貼合面根據(jù)需要進(jìn)行了剝離處理。作為撓性膜，可列舉出例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜等。第1剝離層5的厚度例如是1μm以上，優(yōu)選的是10μm以上，另外，例如是2000μm以下，優(yōu)選的是1000μm以下。

第2剝離層6為了在直到利用載體10支承第1壓敏粘接層4為止的期間內(nèi)保護(hù)第1壓敏粘接層4而以可剝離的方式貼合于第1壓敏粘接層4的背面。也就是說，第2剝離層6是由樹脂形成的撓性膜，在元件集合體臨時(shí)固定片1的出廠、輸送、保管時(shí)，該撓性膜以覆蓋第1壓敏粘接層4的背面的方式疊合于第1壓敏粘接層4的背面，在第1壓敏粘接層4即將使用之前，該撓性膜能夠從第1壓敏粘接層4的背面以呈大致U字狀彎曲的方式剝下來。另外，撓性膜的貼合面根據(jù)需要進(jìn)行了剝離處理。作為撓性膜，可列舉出例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜等。第2剝離層6的厚度例如是1μm以上，優(yōu)選的是10μm以上，另外，例如是2000μm以下，優(yōu)選的是1000μm以下。

并且，該元件集合體臨時(shí)固定片1不具有載體10以及光半導(dǎo)體元件11，依次包括第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5。優(yōu)選的是，元件集合體臨時(shí)固定片1僅由第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5構(gòu)成。

1－6.元件集合體臨時(shí)固定片的制造方法

接著，說明元件集合體臨時(shí)固定片1的制造方法。

參照?qǐng)D2，在該方法中，首先準(zhǔn)備支承層2，接下來設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的方法并沒有特別限定，可列舉出例如使用光刻法的方法、熱轉(zhuǎn)印(參照例如日本特開2000－135871號(hào)公報(bào))、壓印、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷(絲網(wǎng)印刷)、噴墨印刷(參照例如日本特開2014－10823號(hào)公報(bào))等。出于精度良好地配置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的方面考慮，優(yōu)選的是，可列舉出使用光刻法的方法、絲網(wǎng)印刷，更優(yōu)選的是，可列舉出使用光刻法的方法。

在使用光刻法的方法中，具體而言，如圖3A～圖3C所示，依次實(shí)施準(zhǔn)備已設(shè)有感光層21的支承層2的工序(1)(參照?qǐng)D3A)、以及利用光刻法由感光層21以顯影圖案23的形式形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的工序(2)(參照?qǐng)D3B以及圖3C)。

在工序(1)中，如圖3A所示，準(zhǔn)備具有支承層2、設(shè)置于支承層2的上表面的感光層21的帶感光層的支承層22。

感光層21設(shè)置于支承層2的整個(gè)上表面。感光層21由能夠利用光刻法形成顯影圖案23的感光材料形成。作為感光材料，可列舉出例如銀鹽乳劑。銀鹽乳劑含有例如銀鹽。作為銀鹽，可列舉出例如鹵化銀等無機(jī)銀鹽、例如醋酸銀等有機(jī)銀鹽，優(yōu)選的是，可列舉出對(duì)光的響應(yīng)性優(yōu)異的無機(jī)銀鹽。

感光層21的厚度例如是0.5μm以上，優(yōu)選的是1μm以上，另外，例如是10μm以下，優(yōu)選的是5μm以下。

在工序(2)中，如圖3B所示，隔著光掩模(未圖示)對(duì)感光層21照射活性能量射線。具體而言，使用由不銹鋼等金屬形成的金屬掩模對(duì)感光層21進(jìn)行局部地覆蓋，之后，對(duì)感光層21的從金屬掩模暴露的部分照射激光(峰值波長(zhǎng)150nm以上、250nm以下)。

由此，可在感光層21形成與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7相同的圖案的曝光部分和與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7相反的圖案的未曝光部分。

之后，如圖3C所示，將感光層21浸泡在顯影液中，保留曝光部分而去除未曝光部分(顯影)。由此，以顯影圖案23的形式形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

之后，支承層2之上設(shè)置元件集合體固定層3(工序(3)的一個(gè)例子)，并且，在支承層2之下設(shè)置第1壓敏粘接層4。

為了將元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4分別設(shè)置于支承層2，首先，分別準(zhǔn)備元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4。

將元件集合體固定層3設(shè)置于例如第1剝離層5的表面。

將第1壓敏粘接層4例如設(shè)置于第2剝離層6的表面。

接下來，將元件集合體固定層3配置于支承層2的上表面。此時(shí)，以埋設(shè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的方式將元件集合體固定層3配置于支承層2的上表面。

另外，將第1壓敏粘接層4配置于支承層2的下表面。

由此，獲得了包括支承層2、分別配置于支承層2的上下的元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4、分別配置于元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4的第1剝離層5以及第2剝離層6的元件集合體臨時(shí)固定片1。

元件集合體臨時(shí)固定片1的厚度例如是15μm以上，優(yōu)選的是40μm以上，另外，例如是550μm以下，優(yōu)選的是260μm以下。

另外，該元件集合體臨時(shí)固定片1具有撓性。

1－7.元件集合體臨時(shí)固定片的使用方法

接著，說明元件集合體臨時(shí)固定片1的使用方法。

如圖4A所示，首先，將載體10配置于第1壓敏粘接層4的下表面。

具體而言，首先，將圖2的以假想線所示的第2剝離層6從第1壓敏粘接層4剝離，之后，如圖4A所示，使載體10與第1壓敏粘接層4的下表面直接接觸。由此，使載體10與第1壓敏粘接層4壓敏粘接。

載體10是用于從下方支承元件集合體臨時(shí)固定片1的支承板。載體10形成為沿著前后方向以及左右方向延伸的大致平板狀。載體10在俯視時(shí)具有與元件集合體臨時(shí)固定片1的形狀相同的形狀。載體10的厚度例如是100μm以上，優(yōu)選的是350μm以上，另外，例如是1000μm以下，優(yōu)選的是600μm以下。載體10由硬質(zhì)材料形成。作為硬質(zhì)材料，可列舉出例如玻璃等透明材料、例如陶瓷、不銹鋼等不透明材料。硬質(zhì)材料的維氏硬度例如是0.5GPa以上，優(yōu)選的是1Pa以上，更優(yōu)選的是1.2GPa以上，另外，例如是10GPa以下。只要載體10由硬質(zhì)材料形成，具體而言，只要硬質(zhì)材料的維氏硬度是上述的下限以上，就能夠切實(shí)地支承元件集合體臨時(shí)固定片1。

由此，可獲得依次具有載體10和元件集合體臨時(shí)固定片1的臨時(shí)固定構(gòu)件30。另外，臨時(shí)固定構(gòu)件30具有被設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片1的支承層2的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

接下來，如圖4A的假想線箭頭所示，在將第1剝離層5從元件集合體固定層3的上表面剝離之后，如圖4B所示，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11臨時(shí)固定于元件集合體固定層3的上表面。此時(shí)，以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置(排列)于元件集合體固定層3的上表面。另外，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11設(shè)置于元件集合體固定層3中的元件集合體形成區(qū)域17。

具體而言，一邊視覺確認(rèn)排列標(biāo)記8來進(jìn)行多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的左右方向以及前后方向上的定位、一邊使多個(gè)光半導(dǎo)體元件11與元件集合體固定層3的上表面直接接觸。

為了視覺確認(rèn)排列標(biāo)記8，利用設(shè)置于臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方的照相機(jī)等從排列標(biāo)記8的上方視覺確認(rèn)排列標(biāo)記8。此時(shí)，元件集合體固定層3是透明的，因此，能夠從元件集合體固定層3的上方視覺確認(rèn)排列標(biāo)記8。

此外，光半導(dǎo)體元件11具有上表面、沿著厚度方向與上表面相對(duì)配置的下表面、將上表面以及下表面連接起來的周側(cè)面。在下表面上形成有電極。

在排列標(biāo)記8的上表面對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件11進(jìn)行排列配置，從而構(gòu)成元件集合體16。

相鄰的光半導(dǎo)體元件11的之間的間隔(前后方向和/或左右方向上的間隔)例如是0.05mm以上，優(yōu)選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優(yōu)選的是0.8mm以下。此外，多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的厚度(高度)例如是0.1μm以上，優(yōu)選的是0.2μm以上，另外，例如是500μm以下，優(yōu)選的是200μm以下。多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的左右方向長(zhǎng)度和/或前后方向長(zhǎng)度例如是0.05mm以上，優(yōu)選的是0.1mm以上，另外，例如是1.0mm以下，優(yōu)選的是0.8mm以下。

接下來，如圖4C的實(shí)線以及圖1的單點(diǎn)劃線所示，利用密封層12密封元件集合體16。

例如由半固態(tài)或固態(tài)的密封組成物形成的密封片密封元件集合體16?；蛘咄ㄟ^灌注液體狀的密封組成物來密封元件集合體16。密封組成物含有有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂等透明樹脂。密封組成物也能夠根據(jù)需要以適當(dāng)?shù)谋壤刑畛洳牧?、熒光體、光反射性粒子等粒子。

密封層12對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的上表面以及側(cè)面、元件集合體固定層3的分別從多個(gè)光半導(dǎo)體元件11暴露的上表面進(jìn)行覆蓋。密封層12以使元件集合體固定層3的上表面的處于標(biāo)記形成區(qū)域18的部分暴露的方式設(shè)置于元件集合體固定層3的上表面的處于元件集合體形成區(qū)域17的部分。

由此，可獲得包括多個(gè)光半導(dǎo)體元件11(元件集合體16)和1個(gè)密封層12的密封元件集合體19。也就是說，密封元件集合體19以臨時(shí)固定于元件集合體臨時(shí)固定片1的狀態(tài)制得。

密封層12的厚度例如是40μm以上，優(yōu)選的是50μm以上，另外，例如是500μm以下，優(yōu)選的是300μm以下。

如圖1的雙點(diǎn)劃線以及圖4D的單點(diǎn)劃線所示，接下來，以將光半導(dǎo)體元件11單片化的方式將密封層12切斷。也就是說，密封元件集合體19被單片化。

為了切斷密封層12，可使用例如具有切刀的切斷裝置、例如具有激光照射源的切斷裝置。

作為具有切刀的切斷裝置，可列舉出例如具有圓盤狀的切割鋸(切割刀片)的切割裝置、例如具有刀具的裁切裝置。

優(yōu)選的是使用具有切刀的切斷裝置、更優(yōu)選的是使用裁切裝置。

在利用上述的切斷裝置進(jìn)行的密封層12的切斷中，以對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)切斷密封層12。另外，利用與用于排列標(biāo)記8的視覺確認(rèn)的照相機(jī)相同的照相機(jī)一邊從上方視覺確認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的切斷標(biāo)記9、一邊切斷密封層12。

切斷后的密封層12的前后方向長(zhǎng)度和/或左右方向長(zhǎng)度例如是20mm以上，優(yōu)選的是40mm以上，另外，例如是150mm以下，優(yōu)選的是100mm以下。

由此，可制得多個(gè)具有1個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12的密封光半導(dǎo)體元件13，該多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13處于臨時(shí)固定于元件集合體固定層3(臨時(shí)固定構(gòu)件30)的狀態(tài)。

接下來，如圖4D的箭頭所示，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從元件集合體固定層3剝離。

接下來，在將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13剝離了的臨時(shí)固定構(gòu)件30中，將載體10從第1壓敏粘接層4剝離，對(duì)載體10進(jìn)行再利用。另一方面，將元件集合體臨時(shí)固定片1(支承層2、元件集合體固定層3以及第1壓敏粘接層4)廢棄。也就是說，元件集合體臨時(shí)固定片1是一次性的。

之后，如圖4E所示，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14。

基板14具有沿著前后方向以及左右方向延伸的平板形狀。在基板14的上表面形成有可與光半導(dǎo)體元件11的電極電連接的端子。

由此，可獲得具有密封光半導(dǎo)體元件13和基板14的光半導(dǎo)體裝置15。

2.第1實(shí)施方式的作用效果

并且，在該元件集合體臨時(shí)固定片1中，在由合成樹脂形成的支承層2上設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，因此，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7可容易地形成于支承層2。

然而，在日本特開2014－168036號(hào)公報(bào)中，在硬質(zhì)的支承板設(shè)置標(biāo)記，因此，無法對(duì)那樣的支承板進(jìn)行再利用。但是，在該元件集合體臨時(shí)固定片1中，不是在載體10而是另外在設(shè)置于元件集合體臨時(shí)固定片1的支承層2上設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，因此，能夠?qū)⒈容^低廉的包含支承層2的元件集合體臨時(shí)固定片1廢棄，而能夠?qū)d體10進(jìn)行再利用。因此，能夠抑制密封光半導(dǎo)體元件13的制造成本，進(jìn)而能夠抑制光半導(dǎo)體裝置15的制造成本。

另外，根據(jù)該元件集合體臨時(shí)固定片1，能夠隔著透明的元件集合體固定層3切實(shí)地視覺確認(rèn)不透明的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。因此，如圖4B所示，能夠以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)切實(shí)地臨時(shí)固定元件集合體16，或者，還如圖4D的單點(diǎn)劃線所示，能夠以切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)切實(shí)地切斷密封層12。

另外，根據(jù)該元件集合體臨時(shí)固定片1，如圖3B以及圖3C所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7是顯影圖案23，因此，能夠容易地設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

根據(jù)該元件集合體臨時(shí)固定片1，只要對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7由銀形成，就能夠提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的可視性。

另外，該元件集合體臨時(shí)固定片1的元件集合體固定層的厚度小于100μm時(shí)，其厚度較薄，因此元件集合體固定層3的處理性優(yōu)異。

根據(jù)該元件集合體臨時(shí)固定片1的制造方法，能夠簡(jiǎn)便地設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

3.第1實(shí)施方式的變形例

在第1實(shí)施方式中，如圖1所示，排列標(biāo)記8具有大致圓形狀，切斷標(biāo)記9具有大致直線形狀。不過，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7各自的形狀并沒有特別限定。

另外，首先，將元件集合體固定層3形成于第1剝離層5(參照?qǐng)D2的假想線)的表面之后，將元件集合體固定層3從第1剝離層5轉(zhuǎn)印于支承層2，但也能夠例如將元件集合體固定層3直接形成于支承層2的上表面。

另外，首先，將第1壓敏粘接層4形成于第2剝離層6(參照?qǐng)D2的假想線)的表面之后，將第1壓敏粘接層4從第2剝離層6轉(zhuǎn)印于支承層2，也能夠例如將第1壓敏粘接層4直接形成于支承層2的下表面。

另外，在第1實(shí)施方式中，如圖2所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。

在變形例中，如圖5所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面。

將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7埋設(shè)于第1壓敏粘接層4。

在參照?qǐng)D4B將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列于元件集合體固定層3時(shí)，或者參照?qǐng)D4D切斷密封層12時(shí)，利用被配置于臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方的照相機(jī)隔著元件集合體固定層3以及支承層2對(duì)排列標(biāo)記8或者切斷標(biāo)記9進(jìn)行視覺確認(rèn)。

并且，雖未圖示，但也能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上下兩面。

優(yōu)選的是，將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面，也就是說，僅設(shè)置于上表面或者僅設(shè)置于下表面。若將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面，與將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上下兩面的圖5的情況相比，能夠簡(jiǎn)易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，能夠相應(yīng)地降低制造成本。

更優(yōu)選的是，如第1實(shí)施方式的圖2所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。采用該結(jié)構(gòu)，與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面的圖5的情況相比，能夠從上方更切實(shí)地視覺確認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

另外，雖未圖示，但也能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置為沿著厚度方向貫通支承層2的貫通孔或凹部。

而且，在第1實(shí)施方式的使用方法中，如圖4D的單點(diǎn)劃線所示，切斷密封層12，將密封元件集合體19單片化。

不過，在變形例中，如圖6A所示，不切斷密封層12就使密封元件集合體19從元件集合體固定層3剝離，之后，如圖6B所示，將密封元件集合體19倒裝芯片安裝于基板14。

在該變形例中，不切斷密封層12，因此，雖未圖示，但對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7也可以不具有切斷標(biāo)記9而僅由排列標(biāo)記8構(gòu)成。

4.第2實(shí)施方式

在第2實(shí)施方式中，對(duì)于與第1實(shí)施方式相同的構(gòu)件以及工序，標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記，省略其詳細(xì)的說明。

4－1.元件集合體臨時(shí)固定片

如圖7所示，第2實(shí)施方式的元件集合體臨時(shí)固定片1不具有第1壓敏粘接層4(參照?qǐng)D2)而具有支承層2和元件集合體固定層3。另外，元件集合體臨時(shí)固定片1還能夠進(jìn)一步具有第1剝離層5。優(yōu)選的是，元件集合體臨時(shí)固定片1僅由支承層2以及元件集合體固定層3構(gòu)成，另外，根據(jù)需要，優(yōu)選的是，僅由支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5構(gòu)成。

為了制造元件集合體臨時(shí)固定片1，首先準(zhǔn)備支承層2，接下來利用上述的方法(圖3A～圖3C的方法)將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2。之后，將元件集合體固定層3設(shè)置于支承層2的整個(gè)上表面。

4－2.元件集合體臨時(shí)固定片的使用方法

接著，說明元件集合體臨時(shí)固定片1的使用方法。

如圖8A所示，首先將第1剝離層5(參照?qǐng)D7)從元件集合體固定層3剝離，接下來，將載體10配置于元件集合體固定層3的上表面。

載體10由玻璃等透明材料形成。

由此，可獲得依次包括支承層2、元件集合體固定層3以及載體10的臨時(shí)固定構(gòu)件30。優(yōu)選的是，臨時(shí)固定構(gòu)件30僅由支承層2、元件集合體固定層3以及載體10構(gòu)成。

接下來，將第2壓敏粘接層25配置于載體10的上表面。

第2壓敏粘接層25具有平板形狀，具有預(yù)定的厚度，沿著左右方向以及前后方向延伸，具有平坦的表面以及平坦的背面。第2壓敏粘接層25具有壓敏粘接性(粘合性)。第2壓敏粘接層25具有與圖2所示的上述的元件集合體臨時(shí)固定片1(支承層2、元件集合體固定層3、第1壓敏粘接層4)同樣的層結(jié)構(gòu)。另外，第2壓敏粘接層25也能夠由日本特開2014－168036號(hào)公報(bào)所記載的粘合層構(gòu)成。此外，第2壓敏粘接層25具有在俯視時(shí)比元件集合體臨時(shí)固定片1的尺寸小的尺寸，具體而言，第2壓敏粘接層25以在厚度方向投影時(shí)不與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7重疊的方式配置。具體而言，第2壓敏粘接層25配置于載體10的元件集合體形成區(qū)域17。第2壓敏粘接層25的厚度例如是30μm以上，優(yōu)選的是50μm以上，另外，例如是500μm以下，優(yōu)選的是300μm以下。

如圖8B所示，接下來，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11壓敏粘接于第2壓敏粘接層25的上表面。

此時(shí)，一邊從臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方視覺確認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的排列標(biāo)記8、一邊以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)而將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置(排列)于第2壓敏粘接層25的上表面。隔著透明的載體10以及元件集合體固定層3視覺確認(rèn)排列標(biāo)記8。

由此，可制得具有1個(gè)第2壓敏粘接層25和多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的元件集合體16，該元件集合體16為支承于載體10的狀態(tài)。也就是說，元件集合體16被支承于載體10。也就是說，元件集合體16借助載體10被臨時(shí)固定于元件集合體臨時(shí)固定片1(元件集合體固定層3)。

如圖8C所示，接下來，利用密封層12密封元件集合體16中的多個(gè)光半導(dǎo)體元件11。

密封層12對(duì)多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的上表面以及側(cè)面、第2壓敏粘接層25的上表面的從多個(gè)光半導(dǎo)體元件11分別暴露的部分進(jìn)行覆蓋。另一方面，密封層12未形成于載體10的上表面。

由此，可獲得包括元件集合體16、覆蓋元件集合體16的密封層12的密封元件集合體19。密封元件集合體19依次包括1個(gè)第2壓敏粘接層25、多個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12。優(yōu)選的是，密封元件集合體19僅由1個(gè)第2壓敏粘接層25、多個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12構(gòu)成。

如圖8D的單點(diǎn)劃線所示，接下來切斷密封層12。

由此，可制得多個(gè)具有1個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12的密封光半導(dǎo)體元件13，該密封光半導(dǎo)體元件13為臨時(shí)固定于第2壓敏粘接層25的狀態(tài)。

如圖8E的箭頭所示，將密封元件集合體19從載體10的上表面剝離。接下來，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從第2壓敏粘接層25剝離。

在臨時(shí)固定構(gòu)件30中，將載體10從元件集合體固定層3的上表面剝離，對(duì)載體10進(jìn)行再利用。另一方面，將元件集合體臨時(shí)固定片1(支承層2以及元件集合體固定層3)廢棄。也就是說，元件集合體臨時(shí)固定片1是一次性的。

如圖8F所示，之后，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14而獲得光半導(dǎo)體裝置15。

5.第2實(shí)施方式的作用效果

根據(jù)第2實(shí)施方式，也能夠起到與第1實(shí)施方式同樣的作用效果。

另外，如圖7所示，該元件集合體臨時(shí)固定片1不具有第1壓敏粘接層4(參照?qǐng)D2)，因此，與具有第1壓敏粘接層4的第1實(shí)施方式的元件集合體臨時(shí)固定片1相比，能夠使層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。

6.第2實(shí)施方式的變形例

在第2實(shí)施方式中，如圖7所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。

在變形例中，如圖9所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7朝向下方暴露。

在參照?qǐng)D8B將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列于第2壓敏粘接層25時(shí)，或者在參照?qǐng)D8D切斷密封層12時(shí)，利用被配置于臨時(shí)固定構(gòu)件30的上方的照相機(jī)隔著載體10、元件集合體固定層3以及支承層2對(duì)排列標(biāo)記8或者切斷標(biāo)記9進(jìn)行視覺確認(rèn)。

并且，雖未圖示，但也能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上下兩面。

優(yōu)選的是，將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面，也就是說，僅設(shè)置于上表面或者僅設(shè)置于下表面。若將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7僅設(shè)置于支承層2的一個(gè)面，則與將對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上下兩面的情況相比，能夠簡(jiǎn)易地形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7，能夠相應(yīng)地降低制造成本。

更優(yōu)選的是，如第2實(shí)施方式的圖7所示，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的上表面。采用該結(jié)構(gòu)，與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置于支承層2的下表面的圖9的情況相比，能夠從上方更切實(shí)地視覺確認(rèn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

另外，雖未圖示，但也能夠?qū)?duì)準(zhǔn)標(biāo)記7設(shè)置為沿著厚度方向貫通支承層2的貫通孔或凹部。

而且，在第2實(shí)施方式的使用方法中，如圖8D的單點(diǎn)劃線所示，切斷密封層12。

但是，在變形例中，如圖10A所示，不切斷密封層12就將第2壓敏粘接層25從載體10的上表面剝離。

接下來，如圖10B所示，將密封元件集合體19從多個(gè)光半導(dǎo)體元件11各自的下表面、以及密封層12的下表面剝離。

之后，如圖10C所示，將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11倒裝芯片安裝于基板14。

在該變形例中，如圖10A所示，不切斷密封層12，因此，雖未圖示，但對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7也可以不具有切斷標(biāo)記9而僅由排列標(biāo)記8構(gòu)成。

實(shí)施例

在以下的記載中所使用的配合比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等的具體的數(shù)值能夠替代為上述的“具體實(shí)施方式”中所記載的、與它們相對(duì)應(yīng)的配合比例(含有比例)、物性值、參數(shù)等該記載的上限值(被定義為“以下”、“小于”的數(shù)值)或下限值(被定義為“以上”、“超過”的數(shù)值)。

實(shí)施例1(與第1實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

1.元件集合體臨時(shí)固定片的制造

參照?qǐng)D3A，首先，準(zhǔn)備包括由PET形成的厚度175μm的支承層2、設(shè)置于該支承層2的上表面且由含有鹵化銀的銀鹽乳劑形成的厚度3μm的感光層21的帶感光層的支承層22(工序(1))。帶感光層的支承層22的前后方向長(zhǎng)度是600mm，左右方向長(zhǎng)度是500mm。

支承層2的全光線透過率是95％。支承層2的線膨脹系數(shù)是70×10^-6K^-1。支承層2的25℃時(shí)的拉伸彈性模量E是60MPa。

元件集合體固定層3的全光線透過率是95％。元件集合體固定層3的線膨脹系數(shù)是220×10^-6K^-1。

接下來，如圖3B所示，使用由不銹鋼形成的金屬掩模來局部地覆蓋感光層21，之后，對(duì)感光層21的從金屬掩模暴露的部分照射峰值波長(zhǎng)是193nm的激光。由此，以曝光圖案的形式形成排列標(biāo)記8和切斷標(biāo)記9。

之后，通過將帶感光層的支承層22浸泡在顯影液中，保留曝光部分而去除未曝光部分(進(jìn)行了顯影)。由此，如圖3C以及圖1所示，以顯影圖案23的形式形成具有圓形狀的排列標(biāo)記8和直線形狀的切斷標(biāo)記9的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7。

排列標(biāo)記8的直徑是0.5mm，相鄰的排列標(biāo)記8之間的間隔是1.14mm，相鄰的排列標(biāo)記8的間距是1.64mm。切斷標(biāo)記9的左右方向長(zhǎng)度是0.5mm，前后方向長(zhǎng)度是0.2mm。相鄰的切斷標(biāo)記9之間的間隔是1.62mm，相鄰的切斷標(biāo)記9的間距是1.64mm。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7是不透明的，具體而言，全光線透過率是10％。

另外，在第1剝離層5的表面設(shè)置由有機(jī)硅系粘接劑形成的厚度25μm的元件集合體固定層3，而在第2剝離層6的表面設(shè)置由有機(jī)硅系粘接劑形成的厚度15μm的第1壓敏粘接層4。

接下來，將元件集合體固定層3以包含對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記7的方式配置于支承層2的上表面，同時(shí)將第1壓敏粘接層4配置于支承層2的下表面。

由此，如圖2所示，獲得依次包括第2剝離層6、第1壓敏粘接層4、支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5的元件集合體臨時(shí)固定片1。

2.元件集合體臨時(shí)固定片的使用(密封光半導(dǎo)體元件以及光半導(dǎo)體裝置的制造)

之后，使用元件集合體臨時(shí)固定片1來制造密封光半導(dǎo)體元件13，接下來制造光半導(dǎo)體裝置15。

即，將第2剝離層6從第1壓敏粘接層4剝離，之后如圖4A所示，在第1壓敏粘接層4的下表面配置由玻璃形成的厚度700μm的載體10。

如圖4A～圖4E的假想線箭頭所示，將第1剝離層5從元件集合體固定層3的上表面剝離，之后如圖4B所示，以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置于元件集合體固定層3。此時(shí)，照相機(jī)從上方視覺確認(rèn)排列標(biāo)記8。

光半導(dǎo)體元件11的厚度是150μm，光半導(dǎo)體元件11的左右方向長(zhǎng)度以及前后方向長(zhǎng)度是1.14mm，相鄰的光半導(dǎo)體元件11的之間的間隔是0.5mm以上。

如圖4C所示，接下來，利用密封層12密封元件集合體16。密封層12由含有100質(zhì)量份的有機(jī)硅樹脂以及15質(zhì)量份的熒光體的密封組成物形成。密封層12的厚度是400μm。由此，獲得包括多個(gè)光半導(dǎo)體元件11和1個(gè)密封層12的密封元件集合體19。

如圖1以及圖4D的單點(diǎn)劃線所示，接下來，以切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)，用切割鋸切斷密封層12，將密封元件集合體19單片化。此時(shí)，照相機(jī)從上方視覺確認(rèn)切斷標(biāo)記9。切斷后的密封層12的左右方向長(zhǎng)度以及前后方向長(zhǎng)度分別是100mm。

由此，制得包括光半導(dǎo)體元件11和密封層12的密封光半導(dǎo)體元件13，該密封光半導(dǎo)體元件13為臨時(shí)固定于臨時(shí)固定構(gòu)件30的狀態(tài)。

接下來，如圖4D的箭頭所示，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從元件集合體固定層3剝離下來。

之后，如圖4E所示，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14。

實(shí)施例2(與第2實(shí)施方式相對(duì)應(yīng)的實(shí)施例)

1.元件集合體臨時(shí)固定片的制造

除了不具有第2剝離層6以及第1壓敏粘接層4以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行處理而獲得元件集合體臨時(shí)固定片1。

也就是說，如圖7所示，該元件集合體臨時(shí)固定片1依次包括支承層2、元件集合體固定層3以及第1剝離層5。元件集合體臨時(shí)固定片1的厚度是100μm。

2.元件集合體臨時(shí)固定片的使用(密封光半導(dǎo)體元件以及光半導(dǎo)體裝置的制造)

之后，使用元件集合體臨時(shí)固定片1來制造密封光半導(dǎo)體元件13，接下來制造光半導(dǎo)體裝置15。

即、首先將第1剝離層5從元件集合體固定層3剝離，接下來如圖8A所示，在元件集合體固定層3的上表面配置由玻璃形成的厚度700μm的載體10。另外，將由元件集合體臨時(shí)固定片1形成的厚度90μm的第2壓敏粘接層25配置到載體10的上表面，該元件集合體臨時(shí)固定片1由支承層2、元件集合體固定層3和第1壓敏粘接層4形成。

如圖8B所示，接下來，以排列標(biāo)記8為基準(zhǔn)將多個(gè)光半導(dǎo)體元件11排列配置到第2壓敏粘接層25的上表面。此時(shí)，照相機(jī)從上方視覺確認(rèn)排列標(biāo)記8。光半導(dǎo)體元件11的尺寸以及相鄰的光半導(dǎo)體元件11之間的尺寸與實(shí)施例1是同樣的。

由此，獲得包括第2壓敏粘接層25和多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的元件集合體16，該元件集合體16為借助載體10支承于元件集合體臨時(shí)固定片1的狀態(tài)。

如圖8C所示，接下來，利用密封層12密封元件集合體16中的多個(gè)光半導(dǎo)體元件11。密封層12由含有100質(zhì)量份的有機(jī)硅樹脂以及15質(zhì)量份的熒光體的密封組成物形成。密封層12的厚度是400μm。

由此，獲得包括元件集合體16和覆蓋多個(gè)光半導(dǎo)體元件11的密封層12的密封元件集合體19。

如圖8D的單點(diǎn)劃線所示，接下來，以切斷標(biāo)記9為基準(zhǔn)用切割鋸切斷密封層12。此時(shí)，照相機(jī)從上方對(duì)切斷標(biāo)記9進(jìn)行視覺確認(rèn)。切斷后的密封層12的左右方向長(zhǎng)度以及前后方向長(zhǎng)度均為1.62mm。

之后，如圖8E的箭頭那樣，將密封元件集合體19從載體10的上表面剝離下來。接下來，將多個(gè)密封光半導(dǎo)體元件13分別從第2壓敏粘接層25剝離下來。

之后，如圖8F所示，將密封光半導(dǎo)體元件13倒裝芯片安裝于基板14而獲得光半導(dǎo)體裝置15。

此外，作為本實(shí)用新型的例示的實(shí)施方式提供了上述說明，但這只不過是例示，并不能進(jìn)行限定性的解釋。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的本實(shí)用新型的變形例包含在權(quán)利要求書中。