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一種基于Si/TiOx異質(zhì)結(jié)的雙面晶體硅太陽(yáng)電池的制作方法

文檔序號(hào):12736496閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
一種基于Si/TiOx異質(zhì)結(jié)的雙面晶體硅太陽(yáng)電池。包括前電極、TiOx層、晶體硅吸收層、p型晶體硅重?fù)诫s層、鈍化層、金屬柵狀電極。其結(jié)構(gòu)從迎光面開始依次為:前電極、TiOx層、晶體硅吸收層、p型晶體硅重?fù)诫s層、鈍化層、金屬柵狀電極。迎光面使用n型摻雜的TiOx與晶體硅形成異質(zhì)結(jié),而背面使用基于擴(kuò)散的傳統(tǒng)晶體硅制備工藝。TiOx可良好鈍化硅片表面且與硅形成良好異質(zhì)結(jié),有助于增加異質(zhì)結(jié)電池的開路電壓和轉(zhuǎn)換效率。背面?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體硅制備工藝可充分利用現(xiàn)有晶體硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)設(shè)備。雙面結(jié)構(gòu)可充分利用太陽(yáng)光,增加實(shí)際發(fā)電量,降低光伏發(fā)電成本。

技術(shù)研發(fā)人員:高超;黃海賓;周浪;岳之浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者:南昌大學(xué)
文檔號(hào)碼:201621054523
技術(shù)研發(fā)日:2016.09.14
技術(shù)公布日:2017.06.20

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