本實(shí)用新型涉及一種高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)，按國際專利分類表(IPC)劃分屬于開關(guān)柜內(nèi)高壓開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有開關(guān)柜中應(yīng)用的高壓開關(guān)的符合開關(guān)中，該高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)包括高壓開關(guān)及與其一端連接的上熔絲座，所述上熔絲座為鋁熔絲座。因現(xiàn)有上熔絲座為鋁熔絲座具有導(dǎo)電性，使得整個(gè)高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)的絕緣性能較差，如圖1所示現(xiàn)有鋁熔絲座A結(jié)構(gòu)，如圖所示現(xiàn)有鋁熔絲座A結(jié)構(gòu)復(fù)雜且表面粗糙，從而無法均衡電磁場，進(jìn)而降低耐壓能力。

因此在現(xiàn)有高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)上，如何能在提高整個(gè)高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)的絕緣性的基礎(chǔ)上達(dá)到電磁場平衡、提高耐壓能力是目前高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)中研發(fā)人員的重要課題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)，其主要針對現(xiàn)有技術(shù)上熔絲座為鋁熔絲座且結(jié)構(gòu)復(fù)雜且表面粗糙，絕緣性較差、電磁場不均衡，導(dǎo)致整體結(jié)構(gòu)安全性低。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)，其包括負(fù)荷開關(guān)及銅排，所述負(fù)荷開關(guān)的出線口處均連接有絕緣上熔絲座，而銅排穿過絕緣上熔絲座與出線口相連。

進(jìn)一步，所述絕緣上熔絲座為硅膠上熔絲座。

進(jìn)一步，所述絕緣上熔絲座包括外徑依次增大且一體相連的連接部、套接部及端部。

進(jìn)一步，所述連接部呈圓柱狀。

進(jìn)一步，所述套接部呈圓管狀且靠近連接部一端通過碗狀連接環(huán)與連接部一體相連。

進(jìn)一步，所述端部為環(huán)形體且其橫截面呈C形狀。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型所述的高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)中采用絕緣上熔絲座，而所述絕緣上熔絲座優(yōu)選為硅膠上熔絲座，所述硅膠上熔絲座為不導(dǎo)電性熔絲座，能極大地提高高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)的絕緣性能，從而提高整個(gè)開關(guān)柜的絕緣性能；另，本實(shí)用新型所述的絕緣上熔絲座包括圓柱狀的連接部、圓管狀的套接部及圓環(huán)狀的端部，所述絕緣上熔絲座的表面光滑，結(jié)構(gòu)整體光滑圓潤，無棱角實(shí)現(xiàn)，從而能有效的均衡電磁場，提高耐壓能力，從而提高整個(gè)開關(guān)柜的整體耐壓能力。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例結(jié)構(gòu)立體圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例中所述絕緣上熔絲座立體圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例中所述絕緣上熔絲座俯視圖；

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例中所述絕緣上熔絲座剖面圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。在附圖中，自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本技術(shù)方案的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明：

實(shí)施例：請參閱圖2所示，一種高壓開關(guān)結(jié)構(gòu)，其包括負(fù)荷開關(guān)1及銅排2，所述負(fù)荷開關(guān)1的出線口處均連接有絕緣上熔絲座3，而銅排2穿過絕緣上熔絲座3與出線口相連。

請參閱圖2至圖5所示，前述絕緣上熔絲座3優(yōu)選為硅膠上熔絲座。具體的說：所述絕緣上熔絲座3包括外徑依次增大且一體相連的連接部31、套接部32及端部33，所述連接部31呈圓柱狀，所述套接部32呈圓管狀且靠近連接部一端通過碗狀連接環(huán)34與連接部31一體相連，所述端部33為環(huán)形體且其橫截面呈C形狀。

請參閱圖2至圖5所示，前述絕緣上熔絲座3整體呈圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且其外側(cè)壁呈階梯狀結(jié)構(gòu)，所述套接部32側(cè)壁上開設(shè)有矩形通孔321，前述碗狀連接環(huán)34靠近連接部的一端內(nèi)壁沿徑向延伸形成限位臺341，該限位臺341上開設(shè)有內(nèi)徑小于連接部內(nèi)徑的圓形槽，該圓形槽的底面上六角形通孔342，用以配合鎖固銅排。

更有選的技術(shù)方案是：前述的端部33下端還可以連接一直壁環(huán)體（未示出），該直壁環(huán)體遠(yuǎn)離端部的一段間隔的開設(shè)有多個(gè)開口，各開口呈矩形，進(jìn)一步增加絕緣效果及增強(qiáng)耐壓強(qiáng)度。

以上所記載，僅為利用本創(chuàng)作技術(shù)內(nèi)容的實(shí)施例，任何熟悉本項(xiàng)技藝者運(yùn)用本創(chuàng)作所做的修飾、變化，皆屬本創(chuàng)作主張的專利范圍，而不限于實(shí)施例所揭示者。