本實(shí)用新型涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，特別是一種單雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

目前，市面上銷售的用于無功補(bǔ)償?shù)闹悄苓^零投切復(fù)合開關(guān)、同步開關(guān)、智能電容器等產(chǎn)品中均廣泛使用了小型化的大功率磁保持繼電器。磁保持繼電器是一種小功率脈沖驅(qū)動(dòng)，永磁體狀態(tài)保持，大電流觸點(diǎn)的一種功率型繼電器，其觸點(diǎn)通流能力可分為60A，90A，120A等多個(gè)等級(jí)，線圈一般為6V、9V、12V等低壓直流線圈，通過給直流線圈的送正向或反向的脈沖驅(qū)動(dòng)電壓，可以合閘或分閘繼電器觸點(diǎn)，然后由永磁體保持住狀態(tài)。和傳統(tǒng)的交流或直流接觸器相比，它線圈電壓低、功耗低，體積小，接通電流大等優(yōu)點(diǎn)。

目前，在過零投切的開關(guān)中，特別是同步開關(guān)及智能電容器中，采用的磁保持繼電器一般分為單線圈和雙線圈兩種。常規(guī)技術(shù)中，單線圈繼電器采用單回路橋式驅(qū)動(dòng)電路正反驅(qū)動(dòng)，雙線圈繼電器采用的是雙回路驅(qū)動(dòng)。因線圈額定電壓一般為6V、9V、12V等，所以為了提高繼電器的動(dòng)作時(shí)間的穩(wěn)定性，驅(qū)動(dòng)電壓一般采用數(shù)倍于線圈額定電壓的，經(jīng)過穩(wěn)壓及電容儲(chǔ)能的直流24V和36V，最大不超過50V。在這樣的驅(qū)動(dòng)電壓下，磁保持繼電器的吸合及釋放時(shí)間會(huì)很穩(wěn)定，有利于通過精確控制驅(qū)動(dòng)時(shí)間節(jié)點(diǎn)的情況下，讓繼電器觸點(diǎn)在交流電壓的過零點(diǎn)閉合，在交流電流的過零點(diǎn)斷開，減少合閘涌流沖擊，減少觸點(diǎn)拉弧。上述的技術(shù)在正常的使用過程中，短時(shí)間內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)什么問題，但隨著繼電器運(yùn)動(dòng)件的磨損，觸點(diǎn)的機(jī)械磨損等各種不可控因素，造成了動(dòng)作時(shí)間的小偏差，正因?yàn)檫@些小偏差帶來了繼電器觸點(diǎn)的拉弧，有時(shí)觸點(diǎn)會(huì)輕輕的粘接在一起，上述常規(guī)技術(shù)中，低驅(qū)動(dòng)電壓帶來的驅(qū)動(dòng)力已經(jīng)不足以把輕輕粘接的觸點(diǎn)分開。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種單/雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，它解決了觸點(diǎn)粘接不易分開的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：

一種單線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：包含二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2、線圈J1和開關(guān)S1，高壓控制電源U1正極與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極和雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的1腳連接，雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳和開關(guān)S1一端連接，開關(guān)S1另一端和儲(chǔ)能電容C1負(fù)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，線圈J1一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的3腳和5腳連接，線圈J1另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的2腳和6腳連接。

進(jìn)一步地，還包含穩(wěn)壓管D1、電阻R1和電阻R2，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管D2陽(yáng)極和電阻R1一端連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，電阻R1另一端與高壓控制電源U1正極連接，電阻R2一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的1腳連接，電阻R2另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳連接。

進(jìn)一步地，所述高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。

進(jìn)一步地，所述開關(guān)S1采用可控硅開關(guān)，包含可控硅D3、電阻R3和電阻R4，可控硅D3陽(yáng)極與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳連接，可控硅D3陰極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，可控硅D3觸發(fā)門極與電阻R3和電阻R4的一端連接，電阻R4另一端連接控制信號(hào)正極，電阻R3另一端與控制信號(hào)負(fù)極連接。

進(jìn)一步地，所述開關(guān)S1采用MOS管開關(guān)，包含MOS管Q1和電阻R5，MOS管Q1的柵極與控制信號(hào)正極和電阻R5一端連接，MOS管Q1的源極和電阻R5另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接，MOS管Q1的漏極與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳連接。

一種雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：包含二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、線圈J3A、線圈J3B、開關(guān)S2A和開關(guān)S2B，高壓控制電源U1正極與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極、線圈J3A一端、線圈J3B一端連接，線圈J3A另一端與開關(guān)S2A一端連接，線圈J3B另一端與開關(guān)S2B一端連接，儲(chǔ)能電容C1負(fù)極、開關(guān)S2A另一端和開關(guān)S2B另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接。

進(jìn)一步地，還包含穩(wěn)壓管D1和電阻R1，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管D2陽(yáng)極和電阻R1一端連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，電阻R1另一端與高壓控制電源U1正極連接。

進(jìn)一步地，所述高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。

進(jìn)一步地，所述開關(guān)S2A采用可控硅開關(guān)，包含可控硅D4A、電阻R5A和電阻R6A，可控硅D4A陽(yáng)極與線圈J3A另一端連接，可控硅D4A陰極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，可控硅D4A門極與電阻R5A和電阻R6A的一端連接，電阻R6A另一端連接控制信號(hào)正極，電阻R5A另一端與控制信號(hào)負(fù)極連接；開關(guān)S2B采用可控硅開關(guān)，包含可控硅D4B、電阻R5B和電阻R6B，可控硅D4B陽(yáng)極與線圈J3B另一端連接，可控硅D4B陰極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，可控硅D4B門極與電阻R5B和電阻R6B的一端連接，電阻R6B另一端連接控制信號(hào)正極，電阻R5B另一端與控制信號(hào)負(fù)極連接。

進(jìn)一步地，所述開關(guān)S2A采用MOS管開關(guān)，包含MOS管Q2A和電阻R7A，MOS管Q2A的柵極與控制信號(hào)正極和電阻R7A一端連接，MOS管Q2A的源極和電阻R7A另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接，MOS管Q2A的漏極與線圈J3A另一端連接；開關(guān)S2B采用MOS管開關(guān)，包含MOS管Q2B和電阻R7B，MOS管Q2B的柵極與控制信號(hào)正極和電阻R7B一端連接，MOS管Q2B的源極和電阻R7B另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接，MOS管Q2B的漏極與線圈J3B另一端連接。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)和效果：

1、采用高壓高能脈沖驅(qū)動(dòng)觸點(diǎn)，磁保持繼電器的吸合釋放時(shí)間明顯縮短，而且動(dòng)作機(jī)構(gòu)的磨損或小卡滯也可以在強(qiáng)大的沖擊力下忽視掉，從而進(jìn)一步的增強(qiáng)繼電器的動(dòng)作穩(wěn)定性；

2、繼電器的觸點(diǎn)在微粘接的情況下，可以憑借較大的沖擊力迅速分開，提高使用壽命。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的單線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路原理圖。

圖2是本實(shí)用新型的單線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路一種實(shí)施例電路圖。

圖3是本實(shí)用新型的單線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路另一種實(shí)施例電路圖。

圖4是本實(shí)用新型的雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路原理圖。

圖5是本實(shí)用新型的雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路一種實(shí)施例電路圖。

圖6是本實(shí)用新型的雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路另一種實(shí)施例電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以下實(shí)施例是對(duì)本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。

如圖1所示，一種單線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，包含電阻R1、二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2、線圈J1、電阻R2和開關(guān)S1，電阻R1一端與高壓控制電源U1正極連接，電阻R1另一端與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極、電阻R2一端和雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的1腳連接，電阻R2的另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳和開關(guān)S1一端連接，開關(guān)S1另一端和儲(chǔ)能電容C1負(fù)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，線圈J1一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的3腳和5腳連接，線圈J1另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的2腳和6腳連接。還包含穩(wěn)壓管D1，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管D2陽(yáng)極連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接。高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。

實(shí)施例1：

如圖2所示，一種單線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，包含電阻R1、二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2、線圈J1、電阻R2和開關(guān)S1，電阻R1一端與高壓控制電源U1正極連接，電阻R1另一端與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極、電阻R2一端和雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的1腳連接，電阻R2的另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳和開關(guān)S1一端連接，開關(guān)S1另一端和儲(chǔ)能電容C1負(fù)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，線圈J1一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的3腳和5腳連接，線圈J1另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的2腳和6腳連接。還包含穩(wěn)壓管D1，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管D2陽(yáng)極連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接。高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。開關(guān)S1采用可控硅開關(guān)，包含可控硅D3、電阻R3和電阻R4，可控硅D3陽(yáng)極與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳連接，可控硅D3陰極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，可控硅D3觸發(fā)門極與電阻R3和電阻R4的一端連接，電阻R4另一端連接控制信號(hào)正極，電阻R3另一端與控制信號(hào)負(fù)極連接。

150~500V高壓交、直流電壓經(jīng)過電阻R1和二極管D2對(duì)儲(chǔ)能電容C1充電，因?yàn)殡妷汉芨?，此時(shí)穩(wěn)壓管D1可有可無，實(shí)際測(cè)試證明儲(chǔ)能電容C1上的電壓超過一定門限（150V）時(shí)，電壓的波動(dòng)對(duì)繼電器動(dòng)作時(shí)間的影響可以忽略。后面只要用到一只開關(guān)S1即可，J2為一只雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器（雙刀雙擲），當(dāng)J2的觸點(diǎn)在1-2，4-5位置時(shí)，控制開關(guān)S1導(dǎo)通，磁保持繼電器J1（線圈J1）處于正向?qū)?，推?dòng)觸點(diǎn)閉合。當(dāng)輔助繼電器J2（雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器）觸點(diǎn)在1-3，4-6位置時(shí)，控制開關(guān)S1導(dǎo)通，磁保持繼電器J1處于反向?qū)?，推?dòng)觸點(diǎn)斷開。本實(shí)施例只用到了一只高壓電子開關(guān)S1，成本大縮小，可靠性大大提高！

具體地，高壓控制電源U1電壓為250V，充電電阻R1為1.5K，充電反向截止二級(jí)管D2型號(hào)為1N4007，儲(chǔ)能電容C1選用22UF/450V，輔助繼電器雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2選用HFD27-005/S，開關(guān)S1采用可控硅MCR100-8型。因?yàn)榭煽毓璧牟豢煽刂脐P(guān)斷性，所以要使用充電電阻及儲(chǔ)能電容，當(dāng)可控硅觸發(fā)后，儲(chǔ)能電容對(duì)繼電器線圈放電，電壓下降同時(shí)又因?yàn)橛谐潆婋娮柙谙蘖?，因此可控硅回路的電流?huì)低于維持電流，可控硅自然關(guān)斷。

實(shí)施例2：

如圖3所示，一種單線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，包含電阻R1、二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2、線圈J1、電阻R2和開關(guān)S1，電阻R1一端與高壓控制電源U1正極連接，電阻R1另一端與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極、電阻R2一端和雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的1腳連接，電阻R2的另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳和開關(guān)S1一端連接，開關(guān)S1另一端和儲(chǔ)能電容C1負(fù)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，線圈J1一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的3腳和5腳連接，線圈J1另一端與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的2腳和6腳連接。還包含穩(wěn)壓管D1，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管D2陽(yáng)極連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接。高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。開關(guān)S1采用MOS管開關(guān)，包含MOS管Q1和電阻R5，MOS管Q1的柵極與控制信號(hào)正極和電阻R5一端連接，MOS管Q1的源極和電阻R5另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接，MOS管Q1的漏極與雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2的4腳連接。

具體地，高壓控制電源U1電壓為250V，充電電阻R1為1.5K，充電反向截止二級(jí)管D2型號(hào)為1N4007，儲(chǔ)能電容C1選用22UF/450V，輔助繼電器雙觸點(diǎn)雙位置信號(hào)繼電器J2選用HFD27-005/S，S1可使用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管替換，因?yàn)镸OSFET場(chǎng)效應(yīng)管可以控制關(guān)斷，所以如果電源功率夠大且是直流電源的話，充電電容C1可以不用，控制MOSFET管開通2毫秒然后判斷即可。

一種雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，包含電阻R1、二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、線圈J3A、線圈J3B、開關(guān)S2A和開關(guān)S2B，電阻R1一端與高壓控制電源U1正極連接，電阻R1另一端與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極、線圈J3A一端、線圈J3B一端連接，線圈J3A另一端與開關(guān)S2A一端連接，線圈J3B另一端與開關(guān)S2B一端連接，儲(chǔ)能電容C1負(fù)極、開關(guān)S2A另一端和開關(guān)S2B另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接。還包含穩(wěn)壓管D1，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管2陽(yáng)極連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接。高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。

實(shí)施例3：

一種雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，包含電阻R1、二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、線圈J3A、線圈J3B、開關(guān)S2A和開關(guān)S2B，電阻R1一端與高壓控制電源U1正極連接，電阻R1另一端與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極、線圈J3A一端、線圈J3B一端連接，線圈J3A另一端與開關(guān)S2A一端連接，線圈J3B另一端與開關(guān)S2B一端連接，儲(chǔ)能電容C1負(fù)極、開關(guān)S2A另一端和開關(guān)S2B另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接。還包含穩(wěn)壓管D1，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管D2陽(yáng)極連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接。高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。開關(guān)S2A采用可控硅開關(guān)，包含可控硅D4A、電阻R5A和電阻R6A，可控硅D4A陽(yáng)極與線圈J3A另一端連接，可控硅D4A陰極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，可控硅D4A門極與電阻R5A和電阻R6A的一端連接，電阻R6A另一端連接控制信號(hào)正極，電阻R5A另一端與控制信號(hào)負(fù)極連接；開關(guān)S2B采用可控硅開關(guān)，包含可控硅D4B、電阻R5B和電阻R6B，可控硅D4B陽(yáng)極與線圈J3A另一端連接，可控硅D4B陰極與高壓控制電源U1負(fù)極連接，可控硅D4B門極與電阻R5B和電阻R6B的一端連接，電阻R6B另一端連接控制信號(hào)正極，電阻R5B另一端與控制信號(hào)負(fù)極連接。

實(shí)施例4：

一種雙線圈磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，包含電阻R1、二極管D2、儲(chǔ)能電容C1、線圈J3A、線圈J3B、開關(guān)S2A和開關(guān)S2B，電阻R1一端與高壓控制電源U1正極連接，電阻R1另一端與二極管D2陽(yáng)極連接，二極管D2陰極與儲(chǔ)能電容C1正極、線圈J3A一端、線圈J3B一端連接，線圈J3A另一端與開關(guān)S2A一端連接，線圈J3B另一端與開關(guān)S2B一端連接，儲(chǔ)能電容C1負(fù)極、開關(guān)S2A另一端和開關(guān)S2B另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接。還包含穩(wěn)壓管D1，穩(wěn)壓管D1陰極與二極管D2陽(yáng)極連接，穩(wěn)壓管D1陽(yáng)極與高壓控制電源U1負(fù)極連接。高壓控制電源U1為150-500V交、直流電源。開關(guān)S2A采用MOS管開關(guān)，包含MOS管Q2A和電阻R7A，MOS管Q2A的柵極與控制信號(hào)正極和電阻R7A一端連接，MOS管Q2A的源極和電阻R7A另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接，MOS管Q2A的漏極與線圈J3A另一端連接；開關(guān)S2B采用MOS管開關(guān)，包含MOS管Q2B和電阻R7B，MOS管Q2B的柵極與控制信號(hào)正極和電阻R7B一端連接，MOS管Q2B的源極和電阻R7B另一端與高壓控制電源U1負(fù)極連接，MOS管Q2B的漏極與線圈J3B另一端連接。

本說明書中所描述的以上內(nèi)容僅僅是對(duì)本實(shí)用新型所作的舉例說明。本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)所描述的具體實(shí)施例做各種修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，只要不偏離本實(shí)用新型說明書的內(nèi)容或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。