技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供一種晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其中，包括依次層疊的鋁背電場(chǎng)、晶體硅襯底、發(fā)射結(jié)層、硅化物層、透明薄膜層和金屬電極，其中，所述硅化物層包括第一硅化物層和第二硅化物層，所述第二硅化物層含有硅量子點(diǎn)，所述第一硅化物層和第二硅化物層交替堆疊形成多層結(jié)構(gòu)，從發(fā)射結(jié)層至透明薄膜層所述多層結(jié)構(gòu)中第一硅化物層的層厚度漸變，從發(fā)射結(jié)層至透明薄膜層所述多層結(jié)構(gòu)中第二硅化物層的層厚度漸變。本實(shí)用新型提供的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)電池能有效提高光生電流和開(kāi)路電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：徐華畢;孫翔;姜占鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：惠州比亞迪實(shí)業(yè)有限公司
文檔號(hào)碼：201620940863
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.25
技術(shù)公布日：2017.03.22