1.一種晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括依次層疊的鋁背電場(chǎng)、晶體硅襯底、發(fā)射結(jié)層、硅化物層、透明薄膜層和金屬電極，其中，所述硅化物層包括第一硅化物層和第二硅化物層，所述第二硅化物層含有硅量子點(diǎn)，所述第一硅化物層和第二硅化物層交替堆疊形成多層結(jié)構(gòu)，從發(fā)射結(jié)層至透明薄膜層所述多層結(jié)構(gòu)中第一硅化物層的層厚度漸變，從發(fā)射結(jié)層至透明薄膜層所述多層結(jié)構(gòu)中第二硅化物層的層厚度漸變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述硅量子點(diǎn)的粒徑隨著第二硅化物層厚度的變化而變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，每個(gè)所述第二硅化物層中的硅量子點(diǎn)的粒徑大小大致相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第二硅化物層中多個(gè)所述硅量子點(diǎn)有序排列，相鄰所述硅量子點(diǎn)的間距為1-8 nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，相鄰兩層所述第二硅化物層中，近透明薄膜層的第二硅化物層中硅量子點(diǎn)在遠(yuǎn)透明薄膜層的第二硅化物層上的投影是在相鄰兩硅量子點(diǎn)之間的空隙上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，從發(fā)射結(jié)層至透明薄膜層所述多層結(jié)構(gòu)中第一硅化物層的層厚度逐漸減薄，多層結(jié)構(gòu)中第二硅化物層的層厚度逐漸減薄。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一硅化物層的層厚度最厚為6-8nm，最薄為1-3 nm；所述第二硅化物層的層厚度最厚為8-10 nm，最薄為1-3nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，從發(fā)射結(jié)層至透明薄膜層所述第二硅化物層中硅量子點(diǎn)的粒徑逐漸減?。凰龉枇孔狱c(diǎn)的粒徑最大為6-8 nm，最小為1-3 nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述交替堆疊的第一硅化物層和第二硅化物層中第一層所述第二硅化物層與發(fā)射結(jié)層接觸。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述發(fā)射結(jié)層的層厚度為50-500 nm；所述硅化物層的層厚度為20-200 nm；所述透明薄膜層的層厚度為20-100nm。