技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種使用高耐濕性肖特基勢壘芯片的功率二極管，包括封裝體和二極管本體，二極管本體置于封裝體內(nèi)部，二極管本體包括芯片、T型結(jié)構(gòu)的引腳裝置、金屬觸點(diǎn)和引線，引腳裝置分別固定在芯片的左右兩側(cè)，金屬觸點(diǎn)分別設(shè)在芯片的上下表面，芯片的上表面金屬觸點(diǎn)通過引線和位于芯片左側(cè)的引腳裝置電性連接，芯片的下表面金屬觸點(diǎn)通過引線和位于芯片右側(cè)的引腳裝置電性連接，引腳裝置的末端貫穿封裝體并延伸至封裝體外部，封裝體內(nèi)部填充有環(huán)氧樹脂。本實(shí)用新型的有益效果是：增加高密度介質(zhì)層，對(duì)二極管終端結(jié)構(gòu)中的Si?SiO界面進(jìn)行保護(hù)，提高抵抗潮濕環(huán)境下的可靠性；改進(jìn)二極管的封裝結(jié)構(gòu)，提升二極管承受反向電壓的能力，延長二極管壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：劉忠玉;駱宗友
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市佳駿電子科技有限公司
文檔號(hào)碼：201620910578
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.19
技術(shù)公布日：2017.02.22