1.一種使用高耐濕性肖特基勢(shì)壘芯片的功率二極管，其特征在于：包括封裝體(1)和二極管本體(2)，所述二極管本體(2)置于封裝體(1)內(nèi)部，所述二極管本體(2)包括芯片(3)、T型結(jié)構(gòu)的引腳裝置(4)、金屬觸點(diǎn)(5)和引線(6)，所述引腳裝置(4)分別固定在芯片(3)的左右兩側(cè)，所述金屬觸點(diǎn)(5)分別設(shè)在芯片(3)的上下表面，所述芯片(3)的上表面金屬觸點(diǎn)(5)通過(guò)引線(6)和位于芯片(3)左側(cè)的引腳裝置(4)電性連接，所述芯片(3)的下表面金屬觸點(diǎn)(5)通過(guò)引線(6)和位于芯片(3)右側(cè)的引腳裝置(4)電性連接，所述引腳裝置(4)的末端貫穿封裝體(1)并延伸至封裝體(1)外部，所述封裝體(1)的內(nèi)部填充有環(huán)氧樹(shù)脂(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用高耐濕性肖特基勢(shì)壘芯片的功率二極管，其特征在于：所述芯片(3)包括N型重?fù)诫s硅襯底(31)，所述N型重?fù)诫s硅襯底(31)的上表面設(shè)有N型輕摻雜外延層(32)，所述N型輕摻雜外延層(32)的上表面靠中間部分的左右兩側(cè)朝內(nèi)分別設(shè)有P型重?fù)诫s環(huán)區(qū)(33)，所述P型重?fù)诫s環(huán)區(qū)(33)的上表面兩側(cè)均設(shè)有薄氧化層(34)，所述兩側(cè)薄氧化層(34)的外側(cè)均設(shè)有和薄氧化層(34)形成階梯狀的場(chǎng)氧化層(35)，所述兩薄氧化層(34)之間設(shè)置有與N型輕摻雜外延層(32)上表面接觸的肖特基勢(shì)壘層(36)，所述場(chǎng)氧化層(35)、薄氧化層(34)、肖特基勢(shì)壘層(36)的上表面設(shè)有正面多層金屬層(37)，所述N型重?fù)诫s硅襯底(31)的下表面設(shè)有背面多層金屬層(38)，所述場(chǎng)氧化層(35)和薄氧化層(34)與正面多層金屬層的接觸面設(shè)有高密度介質(zhì)層(39)，所述高密度介質(zhì)層(39)位于薄氧化層(34)內(nèi)側(cè)的部分覆蓋所述P型重?fù)诫s環(huán)區(qū)(33)的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用高耐濕性肖特基勢(shì)壘芯片的功率二極管，其特征在于：所述引腳裝置(4)依次設(shè)有引腳(41)、墩頭(44)、防護(hù)層(42)和連接層(43)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用高耐濕性肖特基勢(shì)壘芯片的功率二極管，其特征在于：所述芯片(3)和引腳裝置(4)的連接處通過(guò)設(shè)置DAF膜(7)固定。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種使用高耐濕性肖特基勢(shì)壘芯片的功率二極管，其特征在于：所述DAF膜(7)設(shè)為耐高溫絕緣膜，所述DAF膜(7)的厚度設(shè)為不大于25μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種使用高耐濕性肖特基勢(shì)壘芯片的功率二極管，其特征在于：所述高密度介質(zhì)層(39)的厚度設(shè)為50nm-500nm。