1.一種高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體和至少一個電路基板，所述固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體的至少一端面為出光面，所述固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體上鍍有與出光波長匹配的反射膜，且所述出光面上未鍍有反射膜，所述電路基板設(shè)于所述固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體的至少一側(cè)面上，所述電路基板上設(shè)有LED芯片陣列，所述LED芯片陣列與固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體的入光面的外形相匹配，并與其耦合連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述出光面上還設(shè)有與出光波長相匹配的增透膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括散熱系統(tǒng)，所述散熱系統(tǒng)包括第一散熱基板和第二散熱基板，所述第一散熱基板設(shè)在所述電路基板上與所述LED芯片陣列相對的一面，所述第二散熱基板設(shè)在所述反射膜外，所述散熱系統(tǒng)與所述固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體的外形相適配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED芯片陣列中的芯片為倒裝芯片、正裝芯片或垂直芯片，或：
所述LED芯片陣列中的芯片為紫外光芯片、藍光芯片或綠光芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體的縱截面為矩形或梯形，所述固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體的橫截面為圓形或方形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射膜包括介質(zhì)膜，所述介質(zhì)膜外設(shè)有金屬膜，所述介質(zhì)膜為20～90層的多層膜，所述金屬膜的厚度為0.2～2微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述固態(tài)熒光轉(zhuǎn)化材料基體由選自黃綠光熒光材料、藍光熒光材或紅光熒光材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高密度LED光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述黃綠光熒光材料為Ce離子摻雜的YAG，LuAG，LuYAG，YAGG晶體、透明陶瓷或玻璃，所述藍光熒光材為BGO、PWO或Ce離子摻雜的YSO、LSO或GSO，所述紅光熒光材料為Cr、Ce、Eu、Bi、Si離子摻雜的鋁酸鹽、硅酸鹽或者氟化物晶體、陶瓷、玻璃材料，或摻雜氮化物紅光熒光粉的透明玻璃。