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單TO封裝BOSA的制作方法

文檔序號(hào):12539494閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種單TO封裝BOSA,其特征在于,包括:

底座,所述底座包括一底座平臺(tái)以及凸設(shè)于所述底座平臺(tái)上的一底座凸臺(tái),所述底座凸臺(tái)包括一正向凸臺(tái)和與所述正向凸臺(tái)垂直設(shè)置的一側(cè)向凸臺(tái);

發(fā)光芯片,設(shè)置在所述正向凸臺(tái)上;

接收探測(cè)器芯片,設(shè)置在所述側(cè)向凸臺(tái)上,且所述發(fā)光芯片發(fā)射的激光的光路與所述接收探測(cè)器芯片接收的激光的光路位于同一個(gè)平面內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的單TO封裝BOSA,其特征在于:所述發(fā)光芯片通過(guò)一發(fā)光芯片熱沉貼裝于所述正向凸臺(tái)上,所述接收探測(cè)器芯片通過(guò)一探測(cè)器芯片墊片貼裝于所述側(cè)向凸臺(tái)上。

3.如權(quán)利要求1所述的單TO封裝BOSA,其特征在于:所述正向凸臺(tái)和所述側(cè)向凸臺(tái)之間形成一拐角,所述發(fā)光芯片和所述接收探測(cè)器芯片均位于所述拐角內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的單TO封裝BOSA,其特征在于:進(jìn)一步包括一分光棱鏡,所述分光棱鏡貼裝于所述正向凸臺(tái)上且位于所述發(fā)光芯片上方。

5.如權(quán)利要求4所述的單TO封裝BOSA,其特征在于:所述分光棱鏡內(nèi)部具有一45度反射面,所述接收探測(cè)器芯片接收的激光經(jīng)過(guò)所述45度反射面。

6.如權(quán)利要求1所述的單TO封裝BOSA,其特征在于:進(jìn)一步包括一跨阻放大器,所述跨阻放大器固定于所述底座凸臺(tái)的頂部并與所述接收探測(cè)器芯片相連接。

7.如權(quán)利要求1所述的單TO封裝BOSA,其特征在于:進(jìn)一步包括一背光探測(cè)器芯片,所述背光探測(cè)器芯片固定于所述底座平臺(tái)上且位于所述發(fā)光芯片下方。

8.如權(quán)利要求1所述的單TO封裝BOSA,其特征在于:所述底座平臺(tái)上方具有與底座平臺(tái)下方的管腳對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)可伐引線,多個(gè)所述可伐引線與底座上的元件對(duì)應(yīng)連接。

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