本實(shí)用新型涉及用于光通信領(lǐng)域的元器件，尤其涉及一種單TO封裝BOSA。
背景技術(shù)：
光通信領(lǐng)域中，同軸封裝工藝是非常成熟的。一般順序是：先制成接收PD TO CAN，發(fā)射LD TO CAN，然后再將PD TO CAN和LD TO CAN分析進(jìn)行耦合，最終制作成器件BOSA。
其中PD TO CAN用到的金屬材料包括——鍍金金屬材料的TO46 底座，金屬材料的TO52 Cap等。它們都屬于“金屬—玻璃”的封裝工藝。BOSA用到的材料包括——方件、膜片、插針等。光通信企業(yè)一般會(huì)分設(shè)兩個(gè)產(chǎn)線，分別來(lái)制成TO CAN和BOSA，封裝工藝比較復(fù)雜，導(dǎo)致封裝效率低。
所以需要設(shè)計(jì)一種簡(jiǎn)化工藝的的BOSA器件。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的在于提供一種單TO封裝BOSA，旨在用于解決現(xiàn)有的BOSA器件封裝工藝復(fù)雜，封裝效率低的問題。
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的：
本實(shí)用新型提供一種單TO封裝BOSA，其特征在于，包括：底座，所述底座包括一底座平臺(tái)以及凸設(shè)于所述底座平臺(tái)上的一底座凸臺(tái)，所述底座凸臺(tái)包括一正向凸臺(tái)和與所述正向凸臺(tái)垂直設(shè)置的一側(cè)向凸臺(tái)；發(fā)光芯片，設(shè)置在所述正向凸臺(tái)上；接收探測(cè)器芯片，設(shè)置在所述側(cè)向凸臺(tái)上，且所述發(fā)光芯片發(fā)射的激光的光路與所述接收探測(cè)器芯片接收的激光的光路位于同一個(gè)平面內(nèi)。
進(jìn)一步地，所述發(fā)光芯片通過一發(fā)光芯片熱沉貼裝于所述正向凸臺(tái)上，所述接收探測(cè)器芯片通過一探測(cè)器芯片墊片貼裝于所述側(cè)向凸臺(tái)上。
進(jìn)一步地，所述正向凸臺(tái)和所述側(cè)向凸臺(tái)之間形成一拐角，所述發(fā)光芯片和所述接收探測(cè)器芯片均位于所述拐角內(nèi)。
進(jìn)一步地，包括一分光棱鏡，所述分光棱鏡貼裝于所述正向凸臺(tái)上且位于所述發(fā)光芯片上方。
進(jìn)一步地，所述分光棱鏡內(nèi)部具有一45度反射面，所述接收探測(cè)器芯片接收的激光經(jīng)過所述45度反射面。
進(jìn)一步地，包括一跨阻放大器，所述跨阻放大器固定于所述底座凸臺(tái)的頂部并與所述接收探測(cè)器芯片相連接。
進(jìn)一步地，包括一背光探測(cè)器芯片，所述背光探測(cè)器芯片固定于所述底座平臺(tái)上且位于所述發(fā)光芯片下方。
進(jìn)一步地，所述底座平臺(tái)上方具有與底座平臺(tái)下方的管腳對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)可伐引線，多個(gè)所述可伐引線與底座上的元件對(duì)應(yīng)連接。
本實(shí)用新型具有以下有益效果：
本實(shí)用新型單TO封裝BOSA通過設(shè)置底座平臺(tái)和底座凸臺(tái)，將發(fā)光芯片和接收探測(cè)器芯片封裝于同一底座上，簡(jiǎn)化了封裝工藝，提高了封裝效率，且縮小了器件的整體尺寸，達(dá)到小型化的目的；且底座凸臺(tái)包括相互垂直的一正向凸臺(tái)和一側(cè)向凸臺(tái)，分別用來(lái)固定發(fā)光芯片和接收探測(cè)器芯片，使所述發(fā)光芯片發(fā)射的激光的光路與所述接收探測(cè)器芯片接收的激光的光路位于同一個(gè)平面內(nèi)，實(shí)現(xiàn)發(fā)光芯片發(fā)射的激光與接收探測(cè)器芯片接受的激光同軸化。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種單TO封裝BOSA的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明：1-底座平臺(tái)、10-底座凸臺(tái)、11-正向凸臺(tái)、12-側(cè)向凸臺(tái)、2-發(fā)光芯片、21-發(fā)光芯片熱沉、3-接收探測(cè)器芯片、31-探測(cè)器芯片墊片、4-分光棱鏡、41-45度反射面、5-跨阻放大器、6-背光探測(cè)器芯片、7-可伐引線、8-管腳。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
如圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種單TO封裝BOSA，包括：底座，所述底座包括一底座平臺(tái)1以及凸設(shè)于所述底座平臺(tái)1上的一底座凸臺(tái)10，所述底座凸臺(tái)10包括一底座凸臺(tái)11和與所述底座凸臺(tái)11垂直設(shè)置的一側(cè)向凸臺(tái)12；發(fā)光芯片2，設(shè)置在所述底座凸臺(tái)11的一側(cè)；接收探測(cè)器芯片3，設(shè)置在所述側(cè)向凸臺(tái)12的一側(cè)，且所述發(fā)光芯片2發(fā)射的激光的光路與所述接收探測(cè)器芯片3接受的激光的光路位于同一個(gè)平面內(nèi)。
具體地，所述發(fā)光芯片2通過一發(fā)光芯片熱沉21貼裝于所述底座凸臺(tái)11的一側(cè)，所述接收探測(cè)器芯片3通過一探測(cè)器芯片墊片31貼裝于所述側(cè)向凸臺(tái)12的一側(cè)，且所述發(fā)光芯片2和所述接收探測(cè)器芯片3均位于所述底座凸臺(tái)11和所述側(cè)向凸臺(tái)12形成的一拐角內(nèi)，所述發(fā)光芯片2的位置低于所述接收探測(cè)器芯片3的位置。
如圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)一步包括一分光棱鏡4，所述分光棱鏡4貼裝于所述底座凸臺(tái)11上且位于所述發(fā)光芯片2上方，與所述接收探測(cè)器芯片3的高度大致相等，所述分光棱鏡4的內(nèi)部具有一45度反射面41。所述分光棱鏡4的位置需精確貼裝，一方面，所述發(fā)光芯片2所發(fā)射的激光可以完全透射通過所述分光棱鏡4，在透射的過程中，該激光不改變方向，完全沿直線傳播，另一方面，所述接收探測(cè)器芯片3接收的激光經(jīng)過所述45度反射面41發(fā)生全反射后進(jìn)入所述接收探測(cè)器芯片3。
如圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例還包括一跨阻放大器5以及一背光探測(cè)器芯片6，所述跨阻放大器5與所述接收探測(cè)器芯片3相連接，用于優(yōu)化所述接收探測(cè)器芯片3的性能，所述跨阻放大器5固定于所述底座凸臺(tái)11的頂部，進(jìn)一步節(jié)約了空間。所述背光探測(cè)器芯片6固定于所述底座平臺(tái)1上且位于所述發(fā)光芯片2下方，用于接收所述發(fā)光芯片2產(chǎn)生的背光。所述底座平臺(tái)1上方具有與底座平臺(tái)1下方的管腳8對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)可伐引線7，多個(gè)所述可伐引線7與底座上的各元件對(duì)應(yīng)連接。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。