1.智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：
電容器，包括投入狀態(tài)和切出狀態(tài)；
磁保持繼電器，包括斷開(kāi)與閉合兩種狀態(tài)，用于控制所述電容器處于投入狀態(tài)還是切出狀態(tài)；
驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)所述磁保持繼電器，以控制所述磁保持繼電器的狀態(tài)；
CPU回路，用于控制所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述CPU回路包括一個(gè)CPU芯片，用于集成CPU回路的控制電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述CPU芯片為ARM系列STM32芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述CPU芯片與所述驅(qū)動(dòng)電路連接，用于通過(guò)控制所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)控制所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路包括一個(gè)核心芯片，所述核心芯片為DMOS結(jié)構(gòu)的全橋直流機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片DRV8800。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述DMOS結(jié)構(gòu)的全橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片DRV8800包括三個(gè)輸入引腳，以用于作為所述驅(qū)動(dòng)電路的輸入引腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述DMOS結(jié)構(gòu)的全橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片DRV8800包括兩個(gè)輸出引腳，以用于作為所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出引腳與所述磁保持繼電器連接，所述兩個(gè)輸出引腳之間的電壓為8-36V，驅(qū)動(dòng)電流為2800mA。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述智能電容器的磁保持繼電器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：
電容器，與所述磁保持繼電器的接點(diǎn)連接，以用于當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)儲(chǔ)存電能。