技術(shù)特征：

1.一種硅基包裹GaN納米線出射隨機(jī)激光的裝置,其特征是，包括順序疊接的底層硅基層、介電層和金屬層；

所述的硅基層為包裹GaN納米線的硅基層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基包裹GaN納米線出射隨機(jī)激光的裝置,其特征是，所述的介電層為MgF₂介電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基包裹GaN納米線出射隨機(jī)激光的裝置,其特征是，所述的金屬層材質(zhì)為Au。