1.一種抑制有源溝道區(qū)光致漏電流產(chǎn)生的MOS管，包括襯底，襯底上表面的中部沉積有柵絕緣層，在柵絕緣層上有多晶硅或金屬形成柵極，通過離子注入在襯底兩端形成的源極和漏極，其特征在于，在柵極、源極與漏極上方沉積有隔離層，源極和漏極上方的隔離層刻蝕有用于引出源極和漏極的接觸孔，在源極和漏極上的接觸孔中沉積有金屬，漏極上接觸孔中金屬刻蝕有用于隔離源極和漏極的隔離缺口，源極上的金屬直接延伸覆蓋過有源溝道區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制有源溝道區(qū)光致漏電流產(chǎn)生的MOS管，其特征在于，所述襯底為硅基材料襯底，玻璃石英襯底或氮化物襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制有源溝道區(qū)光致漏電流產(chǎn)生的MOS管，其特征在于，所述襯底和柵極之間的柵氧化層為SiO2、HfO、Al2O3或ZrO氧化物，隔離層為SiO2或SiNx隔離層。
4.一種應(yīng)用權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述抑制有源溝道區(qū)光致漏電流產(chǎn)生的MOS管的有源尋址電路，其特征在于，所述有源尋址電路中的MOS管為抑制有源溝道區(qū)光致漏電流產(chǎn)生的MOS管。