技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體發(fā)光器件制作的方法，包括如下步驟：在襯底上生產(chǎn)緩沖層和第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上制作周期性圖案，并將周期性圖案轉(zhuǎn)移到襯底表面，在襯底表面獲取表面改性區(qū)域；去除緩沖層和第一半導(dǎo)體層；在襯底上重新生長第二半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第三半導(dǎo)體層。本發(fā)明還公開一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：襯底，以及襯底表面具有改性區(qū)域，以及依次在襯底結(jié)構(gòu)上生長出的第二半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第三半導(dǎo)體層。本發(fā)明通過外延工藝將部分半導(dǎo)體層區(qū)域改性處理，獲得表面粗化的LED外延片的同時，且不會增加LED芯片的工作電壓，提高了LED芯片的發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：劉碩;劉治;萬小承
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東量晶光電科技有限公司
文檔號碼：201611230364
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.06.09