本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種陣列基板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，觸控顯示面板已經(jīng)廣泛地被人們所接受及使用，如智能手機(jī)、平板電腦等均使用了觸控顯示面板。觸控顯示面板采用嵌入式觸控技術(shù)將觸控面板和液晶顯示面板結(jié)合為一體，使得液晶顯示面板同時(shí)具備顯示和感知觸控輸入的功能，被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

通常液晶顯示面板由彩色濾光(CF，Color Filter)基板、陣列(TFT，T陣列基板in Film Transistor)基板、夾于彩色濾光基板與陣列基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。

觸控顯示面板根據(jù)結(jié)構(gòu)不同可劃分為觸控電極覆蓋于液晶盒上式(On Cell)、觸控電極內(nèi)嵌在液晶盒內(nèi)式(In Cell)、以及外掛式。其中，In Cell式具有成本低、超薄、和窄邊框的優(yōu)點(diǎn)，主要應(yīng)用在高端觸控產(chǎn)品中，已演化為觸控技術(shù)的主要發(fā)展方向。

如圖1所示，現(xiàn)有的用于內(nèi)嵌式觸控顯示面板中的TFT基板，其包括：襯底100、遮光層200、緩沖層300、多晶硅層400、柵極絕緣層500、柵極520、第一層間絕緣層600、源/漏極610、平坦層700、第一透明導(dǎo)電層810與觸控電極(M3層)820、第二層間絕緣層(IL)850和鈍化層900、及像素電極950。其中，所述觸控電極與第一透明導(dǎo)電層810位于同一層，且與第一透明導(dǎo)電層與像素電極之間間隔有第二層間絕緣層850以及鈍化層，因此，這會(huì)造成TFT基板的制程時(shí)間較長(zhǎng)，厚度增大，且生產(chǎn)本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板，能夠進(jìn)一得到結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。

這種陣列基板包括：襯底、設(shè)置于所述襯底上的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)和柵極線(xiàn)以及由所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)圍成的多個(gè)子像素單元；所述子像素單元包括：

像素電極，以及

薄膜晶體管，其包括柵極和源/漏極，所述柵極與所述柵極線(xiàn)電連接，所述源/漏極分別與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述像素電極電連接；

設(shè)置于所述薄膜晶體管和所述像素電極之間的透明電極層；

設(shè)置于所述源/漏極同一層上的觸控線(xiàn)路，所述觸控線(xiàn)路通過(guò)第一過(guò)孔與所述透明電極層電連接。

其中，所述觸控線(xiàn)路與所述源/漏極之間相互絕緣。

其中，所述透明電極層被分割成若干個(gè)相互絕緣的自電容電極，所述自電容電極通過(guò)所述觸控線(xiàn)路與所述陣列基板的驅(qū)動(dòng)電路電連接；

所述驅(qū)動(dòng)電路用于為所述自電容電極提供觸控信號(hào)，以使所述自電容電極作為觸控電極；

所述驅(qū)動(dòng)電路用于為所述自電容電極提供公共電壓，以使所述自電容電極作為公共電極。

其中，所述驅(qū)動(dòng)電路還與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述柵極線(xiàn)電連接，用于為柵極線(xiàn)提供掃描信號(hào)、為數(shù)據(jù)線(xiàn)提供數(shù)據(jù)信號(hào)。

其中，所述觸控線(xiàn)路對(duì)應(yīng)于所述子像素單元內(nèi)的光阻空白區(qū)布設(shè)。

其中，所述觸控線(xiàn)路對(duì)應(yīng)于藍(lán)色子像素單元內(nèi)的光阻空白區(qū)布設(shè)。

其中，所述觸控線(xiàn)路對(duì)應(yīng)于白色子像素單元內(nèi)的光阻空白區(qū)布設(shè)。

還提供這種顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的彩色濾光基板、陣列基板，以及設(shè)置于所述彩色濾光基板、陣列基板之間的液晶層；

所述陣列基板包括：襯底、設(shè)置于所述襯底上的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)和柵極線(xiàn)以及由所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)圍成的多個(gè)子像素單元；所述子像素單元包括：

像素電極，以及

薄膜晶體管，其包括柵極和源/漏極，所述柵極與所述柵極線(xiàn)電連接，所述源/漏極分別與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述像素電極電連接；

設(shè)置于所述薄膜晶體管和所述像素電極之間的透明電極層；

設(shè)置于所述源/漏極同一層上的觸控線(xiàn)路，所述觸控線(xiàn)路通過(guò)第一過(guò)孔與所述透明電極層電連接。

其中，所述觸控線(xiàn)路與所述源/漏極之間相互絕緣。

其中，所述透明電極層被分割成若干個(gè)相互絕緣的自電容電極，所述自電容電極通過(guò)所述觸控線(xiàn)路與所述陣列基板的驅(qū)動(dòng)電路電連接；

所述驅(qū)動(dòng)電路用于為所述自電容電極提供觸控信號(hào)，以使所述自電容電極作為觸控電極；

所述驅(qū)動(dòng)電路用于為所述自電容電極提供公共電壓，以使所述自電容電極作為公共電極。

其中，所述驅(qū)動(dòng)電路還與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述柵極線(xiàn)電連接，用于為柵極線(xiàn)提供掃描信號(hào)、為數(shù)據(jù)線(xiàn)提供數(shù)據(jù)信號(hào)。

其中，所述觸控線(xiàn)路對(duì)應(yīng)于所述子像素單元內(nèi)的光阻空白區(qū)布設(shè)。

有益效果：

本發(fā)明提供一種陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，免去了M3層和IL層的結(jié)構(gòu)，M3層功能由于源/漏極同層的觸控電極所代替，結(jié)構(gòu)得到進(jìn)一步的精簡(jiǎn)。也正由于結(jié)構(gòu)的精簡(jiǎn)，減少了陣列基板制備過(guò)程中M3層、IL層這2道光罩的制作，減少工藝制程、節(jié)約原料及降低生產(chǎn)成本；在提升產(chǎn)品良率的同時(shí)，提高經(jīng)濟(jì)效益。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的顯示面板的切面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例1的陣列基板俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例1陣列基板的透明導(dǎo)電層布設(shè)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例1的陣列基板中觸控線(xiàn)路布設(shè)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例1的陣列基板中觸控電路圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例2的陣列基板中觸控線(xiàn)路布設(shè)示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例2的陣列基板中觸控電路圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例3的陣列基板中觸控線(xiàn)路布設(shè)示意圖；

圖10是本發(fā)明實(shí)施例3的陣列基板中觸控電路圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

實(shí)施例1

結(jié)合圖2和圖3所示，本實(shí)施例提供一種顯示面板，其包括相對(duì)設(shè)置的彩色濾光基板20、陣列基板10，以及夾設(shè)于所述彩色濾光基板20和陣列基板10中的液晶層30。

其中，彩色濾光基板20包括依次遠(yuǎn)離所述液晶分子30設(shè)置的支撐件21、彩色濾光片22和玻璃襯底23。彩色濾光片上至少設(shè)有紅色(R)光阻、綠色(G)光阻和藍(lán)色(B)光阻，有些應(yīng)用RGBW技術(shù)的顯示器中，還包括有白色(W)光阻。

其中，所述陣列基板10包括：襯底11；設(shè)置于所述襯底11上的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)(Data)和柵極線(xiàn)(Gate)16以及由所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)圍成的多個(gè)子像素單元10a。

如圖2所示，每個(gè)所述子像素單元10a中，包括像素電極43、薄膜晶體管10b和設(shè)置于所述薄膜晶體管11b和所述像素電極43之間的透明電極層41。對(duì)于本發(fā)明的觸控顯示面板，還包括觸控線(xiàn)路(TP)40。

薄膜晶體管10b包括柵極16和源/漏極18，所述柵極16與所述柵極線(xiàn)(Gate)電連接，所述源/漏極18分別與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(Data)、所述像素電極10a電連接；

觸控線(xiàn)路40設(shè)置于所述源/漏極18同一層上，所述觸控線(xiàn)路40通過(guò)第一過(guò)孔41a與所述透明電極層41電連接。

具體地，本實(shí)施例的陣列基板10包括：襯底11，設(shè)置于所述襯底11上的若干個(gè)遮光金屬層12、設(shè)置于所述遮光金屬層12和所述襯底11上的緩沖層13；設(shè)置于所述緩沖層13上的多晶硅層14；設(shè)置于所述多晶硅層14和緩沖層13上的柵極絕緣層15；設(shè)置于所述柵極絕緣層15上的柵極線(xiàn)16以及設(shè)置于所述柵極16、所述柵極絕緣層15上的層間絕緣層17。

所述層間絕緣層17上設(shè)有源/漏極18和觸控線(xiàn)路40，所述源/漏極18貫穿整個(gè)層間絕緣層17、經(jīng)過(guò)所述柵極絕緣層15設(shè)置于所述多晶硅層14上。同時(shí)，中層間絕緣層17上還設(shè)置與所述源/漏極18相互絕緣的觸控線(xiàn)路40。在實(shí)際制備過(guò)程中，源/漏極18和觸控線(xiàn)路40的制備材質(zhì)是相同的，應(yīng)用的材料例如為金屬鉬、鋁或銅，只是所承擔(dān)的作用和功能不同。

在所述源/漏極18、所述觸控線(xiàn)路40和所述層間絕緣層17設(shè)置平坦層19；在所述平坦層19上設(shè)置透明電極層41。所述透明電極層41通過(guò)第一過(guò)孔41a貫穿所述平坦層19與所述觸控線(xiàn)路40連接。

參考圖4所示，所述透明電極層41被分割成若干個(gè)相互絕緣的自電容電極41b，所述自電容電極41b通過(guò)所述觸控線(xiàn)路40與所述陣列基板10的驅(qū)動(dòng)電路50電連接。

所述驅(qū)動(dòng)電路用于為所述自電容電極提供觸控信號(hào)，以使所述自電容電極作為觸控電極；所述驅(qū)動(dòng)電路用于為所述自電容電極提供公共電壓，以使所述自電容電極作為公共電極。因此，所述透明電極層41是在觸控階段、顯示階段分別承擔(dān)觸控電極、公共電極的角色。

在所述像素電極41、所述平坦層19上的鈍化層42。在所述鈍化層42上設(shè)置像素電極43(也可成為第二透明導(dǎo)電層)，所述像素電極43通過(guò)第二過(guò)孔43a貫穿所述鈍化層42、所述平坦層19與所述源/漏極18的漏極連接。像素電極43與所述液晶分子30接觸。

本實(shí)施例中，陣列基板10的結(jié)構(gòu)中去掉了M3層和IL層，而M3層的功能由觸控線(xiàn)路40代替，進(jìn)一步精簡(jiǎn)了陣列基板的結(jié)構(gòu)。

結(jié)合圖3所示，所述觸控線(xiàn)路40的布線(xiàn)方式有多種。一般地，為了使彩色濾光片的性能發(fā)揮最佳，陣列基板10上元器件或走線(xiàn)布設(shè)會(huì)對(duì)應(yīng)設(shè)置在相鄰兩個(gè)子像素單元之間的、沒(méi)有布設(shè)光阻的區(qū)域，即光阻空白區(qū)。因此，本實(shí)施例的觸控線(xiàn)路40、數(shù)據(jù)線(xiàn)(源/漏極18)均對(duì)應(yīng)布設(shè)在R、G、B子像素單元的光阻空白區(qū)上。本實(shí)施例所獲得陣列基板是屬于自電容式觸摸傳感器，其電路圖如圖4所示。

實(shí)施例2

本實(shí)施例與實(shí)施例1所不同的是，觸控線(xiàn)路40和源/漏極18的布設(shè)位置有所調(diào)整。由于本發(fā)明的觸控線(xiàn)路40和源/漏極18位于同一層上，觸控線(xiàn)路無(wú)法與數(shù)據(jù)線(xiàn)Data重合，形成在狹窄的光阻空白區(qū)上容易占據(jù)到兩側(cè)的子像素內(nèi)的光阻區(qū)域，影響光阻性能或需要降低陣列基板的開(kāi)口率。因此，在保持開(kāi)口率不變的前提下，可以將觸控線(xiàn)路40只布設(shè)在藍(lán)色子像素單元內(nèi)，如圖5所示，盡量布設(shè)在藍(lán)色子像素單元的光阻空白區(qū)。選擇藍(lán)色子像素是由于該光阻在亮度上貢獻(xiàn)最小，故此若無(wú)法避免被遮蔽局部光阻出光面積，對(duì)整個(gè)顯示面板的顯示亮度影響不大。

本實(shí)施例所獲得陣列基板是屬于自電容式觸摸傳感器，其電路圖如圖6所示。

實(shí)施例3

本實(shí)施例是針對(duì)使用RGBW技術(shù)(彩色濾光基板中還包括白色光阻)的顯示面板而言的。與實(shí)施例2相比，所不同的是，如圖7所示，觸控線(xiàn)路40只布設(shè)在白色子像素內(nèi)的光阻空白區(qū)內(nèi)，同樣地，即使無(wú)法避免容易遮蓋部分光阻出光面積，也不會(huì)對(duì)顯示面板的整體品質(zhì)帶來(lái)的影響。

本實(shí)施例所獲得陣列基板是屬于自電容式觸摸傳感器，其電路圖如圖8所示。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明節(jié)省了一道金屬層與一道絕緣層的制作，從而達(dá)到減少工藝制程、節(jié)約原料的目的，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)縮短TFT基板的制程時(shí)間以及降低TFT基板的制造成本的效果。本發(fā)明的TFT基板，具有內(nèi)嵌式觸控功能，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作成本低。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。