本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(Organic Electroluminesecent Display，簡(jiǎn)稱OLED)憑借其低功耗、高色飽和度、廣視角、薄厚度、能實(shí)現(xiàn)柔性化等優(yōu)異性能，已經(jīng)逐漸成為顯示領(lǐng)域的主流。

OLED技術(shù)比較成熟的應(yīng)用是手機(jī)用AMOLED屏，如圖1a所示，采用頂發(fā)射(TE)模式像素結(jié)構(gòu)，但由于頂發(fā)射模式中陰極01厚度較薄，一般為10-30nm，導(dǎo)致電阻較大，其方阻值一般為30-50Ω/□，當(dāng)手機(jī)屏幕尺寸較大時(shí)，電壓降(IR drop)問(wèn)題凸顯，IR drop會(huì)造成不同區(qū)域的電流差異，進(jìn)而在顯示時(shí)出現(xiàn)不均的現(xiàn)象。需要說(shuō)明的是，02為襯底基板，03為像素驅(qū)動(dòng)電路(陣列)結(jié)構(gòu)層，04為陽(yáng)極，05為像素界定層，06為有機(jī)功能層。

另外，在AMOLED頂發(fā)射模式中，RGB像素向兩側(cè)發(fā)光，會(huì)造成無(wú)功損耗，進(jìn)而影響OLED的顯示品質(zhì)，以圖1b為例，紅光的發(fā)射區(qū)域散射到藍(lán)光或綠光的發(fā)射區(qū)域時(shí)，造成RGB像素發(fā)光的串?dāng)_現(xiàn)象，也會(huì)影響OLED的顯示品質(zhì)。

同時(shí)，由于OLED需要一層發(fā)射電極作為光的反射層，由于反射層的存在(陽(yáng)極或者陰極)反射外界光和OLED自身發(fā)出的光，因此會(huì)造成OLED在強(qiáng)光下對(duì)比度下降。一般OLED顯示采用貼偏光片的方式減小外界光對(duì)OLED的干擾，但由于偏光片的透過(guò)率較低，大大減小了OLED原本的亮度，使得功耗等都進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，可以改善IR drop，以及改善像素發(fā)光時(shí)，對(duì)相鄰像素發(fā)光的串?dāng)_，進(jìn)而提高的OLED的顯示效果。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的像素界定層，所述像素界定層具有多個(gè)與所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域，以及圍設(shè)所述開(kāi)口區(qū)域的像素分隔體，還包括：

設(shè)置在所述像素分隔體上的金屬層；所述金屬層與所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陰極層電性連接。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層位于所述陰極層的上方且直接接觸。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，還包括：設(shè)置在所述金屬層上的吸光層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，在每相鄰兩個(gè)所述亞像素之間均設(shè)置有所述金屬層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層的厚度為

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層為連續(xù)條狀結(jié)構(gòu)或分段條狀結(jié)構(gòu)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層的寬度為2μm～20μm。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層的材料為銀、鋁、銅、金、鉑其中之一或組合。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，所述吸光層的厚度為

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，所述吸光層的材料為硅基氮化物材料。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成像素界定層的圖形；所述像素界定層具有多個(gè)與所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域，以及圍設(shè)所述開(kāi)口區(qū)域的像素分隔體；

在形成有所述像素界定層圖形的襯底基板上形成所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陰極層的圖形；

在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形；所述金屬層與所述陰極層電性連接。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在形成有所述像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形，具體包括：

采用金屬掩膜版通過(guò)蒸鍍工藝在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形，具體包括：

通過(guò)濺射工藝或鍍膜工藝在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形之后，還包括：

在所述金屬層上形成吸光層的圖形。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在所述金屬層上形成吸光層的圖形，具體包括：

通過(guò)濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在所述金屬層上形成吸光層的圖形。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，包括：襯底基板，位于襯底基板上的像素界定層，像素界定層具有多個(gè)與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域，以及圍設(shè)開(kāi)口區(qū)域的像素分隔體，還包括：設(shè)置在所述像素分隔體上的金屬層；所述金屬層與所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陰極層電性連接。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板在像素分隔體上設(shè)置有金屬層，該金屬層與陰極層電性連接，能夠降低陰極層的電阻，從而改善IR drop，同時(shí)由于金屬層的反射作用，能夠改善像素發(fā)光時(shí)，對(duì)相鄰像素發(fā)光的串?dāng)_，進(jìn)而提高的OLED的顯示效果。

附圖說(shuō)明

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)電致發(fā)光顯示面板出現(xiàn)串?dāng)_現(xiàn)象的示意圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的俯視圖之一；

圖2b為圖2a沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的俯視圖之二；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的金屬層對(duì)光線進(jìn)行反射的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的吸光層對(duì)光線進(jìn)行吸收的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的俯視圖之三；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法流程圖之一；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法流程圖之二；

圖10a至圖10d分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法在各步驟執(zhí)行后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。

其中，附圖中各膜層的厚度和形狀不反映有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，如圖2a和圖2b所示，包括：襯底基板1，位于襯底基板1上的像素界定層2，像素界定層2具有多個(gè)與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域21，以及圍設(shè)開(kāi)口區(qū)域的像素分隔體22，還包括：

設(shè)置在像素分隔體22上的金屬層3；金屬層3與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陰極層4電性連接。

需要說(shuō)明的是，5是像素驅(qū)動(dòng)電路(陣列)結(jié)構(gòu)層，6是有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陽(yáng)極層，7是有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的有機(jī)功能層(如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和/或電子阻擋層等)。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，如圖3所示，以單個(gè)像素為例，由于在像素分隔體上設(shè)置有金屬層3，且該金屬層3與陰極層4電性連接，假設(shè)金屬層3的電阻為R₁，陰極層的電阻為R₂，相當(dāng)于R₁和R₂并聯(lián)，得到現(xiàn)有電阻R₃，即R₃＝1/(1/R₁+1/R₂)<R₁，因此得到現(xiàn)有電阻R₃降低，從而對(duì)IR drop有所改善，同時(shí)，如圖4所示，由于金屬層3具有高反射性，亞像素發(fā)出的光通過(guò)金屬層的側(cè)邊反射到外界，使得混光區(qū)減小，能夠改善亞像素發(fā)光時(shí)對(duì)相鄰亞像素發(fā)光的串?dāng)_，減小了無(wú)功損耗，進(jìn)而提高的OLED的顯示效果。

進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，為了能夠使金屬層與陰極層電性連接，如圖2b所示，該金屬層位于陰極層的上方且直接接觸，這樣可以確保得到的整體電阻減小，改善IR drop問(wèn)題，不會(huì)造成由于IR drop而在顯示時(shí)出現(xiàn)不均的問(wèn)題。

更進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，如圖5所示，該有機(jī)電致發(fā)光顯示面板還可以包括：設(shè)置在金屬層3上的吸光層8，這樣由于吸光層的作用，如圖6所示，外界入射的部分光到電致發(fā)光結(jié)構(gòu)內(nèi)部的光會(huì)被吸光層8吸收，無(wú)法再出射到電致發(fā)光結(jié)構(gòu)表面，因此可以進(jìn)一步提高OLED的顯示效果。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，為了進(jìn)一步有效減少RGB像素發(fā)光向兩側(cè)的無(wú)功損耗，防止RGB像素發(fā)光的串?dāng)_現(xiàn)象，如圖7所示，在每相鄰兩個(gè)亞像素之間均可以設(shè)置有金屬層3；此時(shí)，在各金屬層3上均可以設(shè)置有吸光層8(圖中未示出)。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，為了使金屬層的側(cè)邊可以有效反射相鄰兩個(gè)亞像素之間發(fā)射的光線，金屬層的厚度可以設(shè)置為對(duì)于金屬層的厚度可以根據(jù)實(shí)際情況而定，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，為了簡(jiǎn)化制作工藝，金屬層可以設(shè)置為連續(xù)條狀結(jié)構(gòu)或分段條狀結(jié)構(gòu)。對(duì)于金屬層的具體結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實(shí)際情況而定，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，當(dāng)金屬層為條狀結(jié)構(gòu)時(shí)，金屬層的寬度可以設(shè)置為2μm～20μm。以5.0inch高清顯示屏(1280*720)為例，像素大小為81um*81um，像素發(fā)光區(qū)域之間的pitch值為30um，此時(shí)金屬層的寬度可以設(shè)置為7μm。對(duì)于金屬層的寬度可以根據(jù)實(shí)際情況而定，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，金屬層的材料可以選擇為銀、鋁、銅、金、鉑其中之一或組合。對(duì)于金屬層的材料選擇，具體選擇高反射率且電阻較低的金屬材料即可，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，為了使吸光層可以有效吸收外界入射的部分光線，吸光層的厚度可以設(shè)置為對(duì)于吸光層的厚度可以根據(jù)實(shí)際情況而定，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中，吸光層的材料為硅基氮化物材料。對(duì)于吸光層的材料選擇，具體選擇消光系數(shù)較大的材料即可，在此不做限定。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板中一般還會(huì)具有諸如空穴阻擋層、陰極保護(hù)層等其他膜層結(jié)構(gòu)，以及在襯底基板上還一般形成有像素驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線等結(jié)構(gòu)，這些具體結(jié)構(gòu)可以有多種實(shí)現(xiàn)方式，在此不做限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，由于該方法解決問(wèn)題的原理與前述一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板相似，因此該方法的實(shí)施可以參見(jiàn)有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，如圖8所示，具體包括以下步驟：

S801、在襯底基板上形成像素界定層的圖形；像素界定層具有多個(gè)與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域，以及圍設(shè)開(kāi)口區(qū)域的像素分隔體；

S802、在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陰極層的圖形；

S803、在像素分隔體上形成金屬層的圖形；金屬層與陰極層電性連接。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，步驟S802在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形，具體可以采用如下方式實(shí)現(xiàn)：

采用金屬掩膜版通過(guò)蒸鍍工藝在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形。

需要說(shuō)明的是，有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的所有有機(jī)功能層(如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和/或電子阻擋層等)的圖形采用精細(xì)掩膜版(Fine Metal Mask，F(xiàn)MM)或金屬掩膜版(open mask)通過(guò)蒸鍍工藝形成。而陰極層的圖形采用金屬掩膜版(open mask)通過(guò)蒸鍍工藝形成，是為了確保陰極層與待形成的金屬層相連接。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，步驟S803在像素分隔體上形成金屬層的圖形，具體可以采用如下方式：

通過(guò)濺射工藝或鍍膜工藝在像素分隔體上形成金屬層的圖形。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，如圖9所示，執(zhí)行步驟S803在像素分隔體上形成金屬層的圖形之后，具體還可以包括以下步驟：

S804、在金屬層上形成吸光層的圖形。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，步驟S804在金屬層上形成吸光層的圖形，具體可以采用如下方式：

通過(guò)濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在金屬層上形成吸光層的圖形。

下面以一個(gè)具體的實(shí)例詳細(xì)的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，制作有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的具體步驟如下：

步驟一、在襯底基板上形成像素界定層的圖形；像素界定層具有多個(gè)與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域，以及圍設(shè)開(kāi)口區(qū)域的像素分隔體；

在具體實(shí)施時(shí)，如圖10a所示，首先在襯底基板10上形成像素驅(qū)動(dòng)電路(陣列)結(jié)構(gòu)層20，然后在像素驅(qū)動(dòng)電路(陣列)結(jié)構(gòu)層20上形成陽(yáng)極層30的圖形；之后在形成有陽(yáng)極層30的襯底基板10上形成像素界定層40的圖形；該像素界定層40具有多個(gè)與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域401，以及圍設(shè)開(kāi)口區(qū)域401的像素分隔體402；

步驟二、在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陰極層的圖形；

在具體實(shí)施時(shí)，如圖10b所示，首先采用FMM通過(guò)蒸鍍工藝在像素界定層40圖形的開(kāi)口區(qū)域401內(nèi)形成有機(jī)功能層50；然后采用open mask通過(guò)蒸鍍工藝在形成有有機(jī)功能層50的襯底基板10上形成陰極層60的圖形，該陰極層60覆蓋整個(gè)像素界定層40的圖形；

步驟三、在像素分隔體上形成金屬層的圖形；金屬層與陰極層電性連接；

在具體實(shí)施時(shí)，如圖10c所示，通過(guò)濺射工藝或鍍膜工藝在像素分隔體402上形成金屬層薄膜，然后通過(guò)刻蝕工藝形成金屬層70的圖形；金屬層70與陰極層60電性連接，此時(shí)，金屬層70的圖形為條狀結(jié)構(gòu)，位于陰極層60的上方且直接接觸；

步驟四、在金屬層上形成吸光層的圖形；

在具體實(shí)施時(shí)，如圖10d所示，通過(guò)濺射工藝或化學(xué)氣相沉積工藝在金屬層70上形成吸光層80的圖形。

至此，經(jīng)過(guò)具體實(shí)例提供的上述步驟一至步驟四制作出了本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，該顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，包括：襯底基板，位于襯底基板上的像素界定層，像素界定層具有多個(gè)與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的亞像素對(duì)應(yīng)的開(kāi)口區(qū)域，以及圍設(shè)開(kāi)口區(qū)域的像素分隔體，還包括：設(shè)置在像素分隔體上的金屬層；金屬層與有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的陰極層電性連接。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板在像素分隔體上設(shè)置有金屬層，該金屬層與陰極層電性連接，能夠降低陰極層的電阻，從而改善IR drop，同時(shí)由于金屬層的反射作用，能夠改善像素發(fā)光時(shí)，對(duì)相鄰像素發(fā)光的串?dāng)_，進(jìn)而提高的OLED的顯示效果。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。