技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件和該器件的形成方法，在形成偽柵區(qū)的所述第二溝槽內(nèi)填充介質(zhì)材料，取代了現(xiàn)有技術(shù)中偽柵結(jié)構(gòu)中的柵極材料和隔離層，避免了現(xiàn)有技術(shù)中偽柵結(jié)構(gòu)中的柵極材料、隔離層和集電極之間形成電容，進而造成所述半導體器件的輸入電容變大，影響所述半導體器件的響應速度，從而提高了所述半導體器件的響應速度。

技術(shù)研發(fā)人員：羅海輝;劉國友;肖海波;肖強;譚燦健
受保護的技術(shù)使用者：株洲中車時代電氣股份有限公司
文檔號碼：201611207152
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.23
技術(shù)公布日：2017.05.31