技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及疊層母排，具體涉及到一種新型高效鋁排。

背景技術(shù)：

目前鋁材質(zhì)的疊層母排沒(méi)有能夠很好的和功率元器件導(dǎo)通，其中功率元器件上的接觸面都是銅材，銅和鋁的標(biāo)準(zhǔn)電位相差很大，這兩種材料接觸會(huì)產(chǎn)生電位差，與空氣中的水份形成電化學(xué)腐蝕，長(zhǎng)時(shí)間會(huì)加大母排和功率元器件的接觸電阻和接觸溫升，從而導(dǎo)致電動(dòng)汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接的安全性和使用壽命短的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題：本發(fā)明提供一種新型母排，具體通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，可解決了電動(dòng)汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接的安全性和使用壽命短的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明具體提供一種技術(shù)方案：一種新型高效鋁排，其包括正極板，負(fù)極板，鎳片、鎳環(huán)和PET絕緣膜。

正極板和負(fù)極板由鋁制成。

鎳片分別設(shè)置在正極板和負(fù)極板的兩側(cè)端，可與電容相連接。

鎳環(huán)分別設(shè)置正極板和負(fù)極板的中部，可與IGBT相連接；當(dāng)相層疊時(shí)，正極板與負(fù)極板上的鎳環(huán)相層疊。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

PET絕緣膜分為4張，分別覆蓋在正極板和負(fù)極板的兩側(cè)。

PET（Polyethylene terephthalate）即聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，其在較寬的溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的物理機(jī)械性能，長(zhǎng)期使用溫度可達(dá)120℃，電絕緣性優(yōu)良。

在進(jìn)一步優(yōu)化的技術(shù)方案中，鎳片包括水平型鎳片和垂直型鎳片；正極板或負(fù)極板上的水平型鎳片為2片，而垂直型鎳片為3片。

在進(jìn)一步優(yōu)化的技術(shù)方案中，正極板或負(fù)極板上的鎳環(huán)為6個(gè)，呈3排2列分布。

在進(jìn)一步優(yōu)化的技術(shù)方案中，鎳環(huán)分為大環(huán)和小環(huán)；當(dāng)相層疊時(shí)，正極板上的大環(huán)對(duì)應(yīng)層疊的是負(fù)極板上的小環(huán)，而正極板上的小環(huán)對(duì)應(yīng)層疊的是負(fù)極板上的大環(huán)。

采用了上述技術(shù)方案后，本發(fā)明的有益效果是：

相對(duì)于已披露的技術(shù)方案，新型高效鋁排提供了一種鋁制品和功率元器件新的接觸方案，擴(kuò)寬了鋁制疊層母排的使用面，特別是解決了電動(dòng)汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接的安全性和使用壽命短的問(wèn)題。銅和鋁的標(biāo)準(zhǔn)電位相差很大，這兩種材料接觸會(huì)產(chǎn)生電位差，與空氣中的水份形成電化學(xué)腐蝕，長(zhǎng)時(shí)間會(huì)加大母排和功率元器件的接觸電阻和接觸溫升。這種鋁母排表面增加高分子焊接鎳片可增強(qiáng)鋁母排和功率元器件的有效接觸，增加產(chǎn)品的使用壽命和性能，特別是在大功率、使用環(huán)境惡劣的產(chǎn)品中其優(yōu)勢(shì)更為明顯。

附圖說(shuō)明

圖1 一種新型高效鋁排與電容和IGBT連接示意圖

圖2 一種新型高效鋁排爆炸圖

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖1至附圖2和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

目前，電動(dòng)汽車電池系統(tǒng)中鋁母排和電芯之間搭接存在安全性和使用壽命短的問(wèn)題。

為解決這些技術(shù)問(wèn)題，可在鋁母排表面增加高分子焊接鎳片來(lái)增強(qiáng)鋁母排和功率元器件的有效接觸，增加產(chǎn)品的使用壽命和性能，特別是在大功率、使用環(huán)境惡劣的產(chǎn)品中其優(yōu)勢(shì)更為明顯。

實(shí)施例如下：

實(shí)施例一

如附圖1和2所示，其包括正極板1，負(fù)極板2，鎳片3、鎳環(huán)4和PET絕緣膜5。

正極板1和負(fù)極板2由鋁制成。

鎳片3分別設(shè)置在正極板1和負(fù)極板2的兩側(cè)端，可與電容6相連接。

鎳環(huán)4分別設(shè)置正極板1和負(fù)極板2的中部，可與IGBT 7相連接；當(dāng)相層疊時(shí)，正極板1與負(fù)極板2上的鎳環(huán)4相層疊。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

PET絕緣膜5分為4張，分別覆蓋在正極板1和負(fù)極板2的兩側(cè)。

PET（Polyethylene terephthalate）即聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，其在較寬的溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的物理機(jī)械性能，長(zhǎng)期使用溫度可達(dá)120℃，電絕緣性優(yōu)良。

實(shí)施例二

在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，如附圖2所示，鎳片3包括水平型鎳片31和垂直型鎳片32；正極板1或負(fù)極板2上的水平型鎳片31為2片，而垂直型鎳片32為3片。當(dāng)相層疊時(shí)，正極板1與負(fù)極板2上的鎳片不相層疊。

實(shí)施例三

在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，如附圖2所示，正極板1或負(fù)極板2上的鎳環(huán)4為6個(gè)，呈3排2列分布。鎳環(huán)4分為大環(huán)和小環(huán)；當(dāng)相層疊時(shí)，正極板1上的大環(huán)對(duì)應(yīng)層疊的是負(fù)極板2上的小環(huán)，而正極板1上的小環(huán)對(duì)應(yīng)層疊的是負(fù)極板2上的大環(huán)。

由技術(shù)常識(shí)可知，本技術(shù)方案可以通過(guò)其它的不脫離其精神實(shí)質(zhì)或必要特征的實(shí)施方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，上述公開(kāi)的實(shí)施方案，就各方面而言，都只是舉例說(shuō)明，并不是僅有的。所有在本發(fā)明范圍內(nèi)或在等同于本發(fā)明的范圍內(nèi)的改變均被本發(fā)明包含。