本申請(qǐng)是如下發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)：

發(fā)明名稱：保護(hù)元件；申請(qǐng)?zhí)枺?01380017716.6；申請(qǐng)日：2013年3月27日。

本發(fā)明涉及通過(guò)熔斷電流路徑來(lái)停止對(duì)連接到電流路徑上的電池的充電，并抑制電池的熱失控的保護(hù)元件。本申請(qǐng)以在日本于2012年3月29日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)柼卦?012－076928、2012年12月25日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)柼卦?012－281452、以及2013年1月21日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)柼卦?013－008302為基礎(chǔ)主張優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)通過(guò)參照而引用于本申請(qǐng)中。

背景技術(shù)：

能夠充電而反復(fù)利用的2次電池的多數(shù)加工成電池組而提供給用戶。特別是，在重量能量密度高的鋰離子2次電池中，為了確保用戶及電子設(shè)備的安全，一般而言，將過(guò)充電保護(hù)、過(guò)放電保護(hù)等一些保護(hù)電路內(nèi)置于電池組，具有在既定的情況下將電池組的輸出截?cái)嗟墓δ堋?/p>

通過(guò)使用內(nèi)置于電池組的fet開(kāi)關(guān)來(lái)進(jìn)行輸出的導(dǎo)通/截止（on/off），從而進(jìn)行電池組的過(guò)充電保護(hù)或過(guò)放電保護(hù)動(dòng)作。然而，在由于某些原因而導(dǎo)致fet開(kāi)關(guān)短路破壞的情況下，在施加雷電沖擊等而導(dǎo)致瞬間的大電流流動(dòng)的情況下，或者，在取決于電池單元的壽命而使輸出電壓異常地下降或相反地輸出過(guò)大異常電壓的情況下，也必須保護(hù)電池組或電子設(shè)備免于起火等事故。于是，無(wú)論在這樣的能夠假設(shè)的怎樣的異常狀態(tài)下，為了將電池單元的輸出安全地截?cái)啵际褂糜删哂懈鶕?jù)來(lái)自外部的信號(hào)而將電流路徑截?cái)嗟墓δ艿娜劢z元件構(gòu)成的保護(hù)元件。

作為這樣的面向鋰離子2次電池等的保護(hù)電路的保護(hù)元件，如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載，一般使用這樣的結(jié)構(gòu)：在保護(hù)元件內(nèi)部具有發(fā)熱體，由該發(fā)熱體將電流路徑上的可熔導(dǎo)體熔斷。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010－003665號(hào)公報(bào)；

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2004－185960號(hào)公報(bào)；

專(zhuān)利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2012－003878號(hào)公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

在如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的保護(hù)元件中，采用了回流安裝的情況下，一般對(duì)可熔導(dǎo)體采用熔點(diǎn)為300℃以上的加pb高熔點(diǎn)焊錫，使得不會(huì)被回流的熱熔化。然而，在rohs指令等中，只是認(rèn)為要限制含鉛焊錫的使用，因此認(rèn)為今后越來(lái)越要求無(wú)鉛化。

在此，“焊錫腐蝕”和“熔蝕現(xiàn)象”一直以來(lái)作為電子部件等的au鍍層、ag鍍層熔出到熔化的焊錫內(nèi)的現(xiàn)象而為人所知，而專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載了利用該現(xiàn)象來(lái)對(duì)應(yīng)無(wú)鉛焊錫材料的保護(hù)元件。但是，如專(zhuān)利文獻(xiàn)2記載，對(duì)絕緣層密合配置高熔點(diǎn)金屬層的結(jié)構(gòu)中，只是高熔點(diǎn)金屬層因低熔點(diǎn)金屬層的熔化而出現(xiàn)熔蝕現(xiàn)象，存在有時(shí)不能完全截?cái)嚯娐返膯?wèn)題。此外，要可靠地熔斷可熔導(dǎo)體時(shí)，優(yōu)選在高熔點(diǎn)金屬層等形成縫隙及膜厚臺(tái)階差等，但是存在增加用于形成縫隙及膜厚臺(tái)階差的工序這一問(wèn)題（例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)3）。

因此，本發(fā)明的目的在于，利用高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體，實(shí)現(xiàn)可無(wú)鉛化的保護(hù)元件。

用于解決課題的方案

作為解決上述課題的方案，本發(fā)明的一實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋發(fā)熱體的方式層疊在絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有絕緣部件的絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，以與發(fā)熱體重疊的方式層疊在絕緣部件上，并且在第1和第2電極之間的電流路徑上與發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由高熔點(diǎn)金屬層與低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成，低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

優(yōu)選低熔點(diǎn)金屬層由無(wú)鉛焊錫構(gòu)成，高熔點(diǎn)金屬層由以ag或cu為主成分的金屬構(gòu)成。

此外，優(yōu)選使低熔點(diǎn)金屬層的體積大于高熔點(diǎn)金屬層的體積。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋發(fā)熱體的方式層疊在絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有絕緣部件的絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在第1和第2電極之間的電流路徑上與發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋上述發(fā)熱體的方式層疊在絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有絕緣部件的絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在第1和第2電極之間的電流路徑上與發(fā)熱體電連接；以及多個(gè)可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，內(nèi)置于絕緣基板的內(nèi)部；第1和第2電極，層疊在絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在第1和第2電極之間的電流路徑上與發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)發(fā)熱體的加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在絕緣基板；第1和第2電極，層疊在絕緣基板的與層疊有發(fā)熱體的面的相反面；發(fā)熱體引出電極，在第1和第2電極之間的電流路徑上與發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)發(fā)熱體的加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在絕緣基板；第1和第2電極，層疊在絕緣基板的層疊有發(fā)熱體的同一面；發(fā)熱體引出電極，在第1和第2電極之間的電流路徑上與發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)發(fā)熱體的加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；第1和第2電極，層疊在絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，層疊在第1和第2電極之間的電流路徑上；發(fā)熱元件，以電連接的方式搭載于發(fā)熱體引出電極；以及可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)發(fā)熱元件的加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋發(fā)熱體的方式層疊在絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有絕緣部件的絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在第1和第2電極之間的電流路徑上與發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從發(fā)熱體引出電極層疊到第1和第2電極，通過(guò)加熱而熔斷第1電極與第2電極之間的電流路徑。并且，可熔導(dǎo)體由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成，并且經(jīng)由低熔點(diǎn)金屬分別與第1電極、第2電極及發(fā)熱體引出電極連接。低熔點(diǎn)金屬層因發(fā)熱體產(chǎn)生的熱而熔化，從而浸蝕由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的可熔導(dǎo)體，并且被吸引到低熔點(diǎn)金屬的濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在上述絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋上述發(fā)熱體的方式層疊在上述絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有上述絕緣部件的上述絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，以與上述發(fā)熱體重疊的方式層疊在上述絕緣部件上，在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。

其中，優(yōu)選上述高熔點(diǎn)金屬層具有比含鉛焊錫高的導(dǎo)熱性。

其中，優(yōu)選在上述可熔導(dǎo)體的兩端，在與上述第1和第2電極連接的部分具有焊錫的滯留部。

其中，優(yōu)選是用回流爐進(jìn)行基板安裝的保護(hù)元件，上述低熔點(diǎn)金屬層的熔點(diǎn)比上述回流爐的溫度低。

其中，優(yōu)選上述低熔點(diǎn)金屬層由無(wú)鉛焊錫構(gòu)成，上述高熔點(diǎn)金屬層由ag或者cu或以ag或者cu為主成分的金屬構(gòu)成。

其中，優(yōu)選在與上述第1和第2電極以及上述發(fā)熱體引出電極連接的位置中，上述可熔導(dǎo)體以低熔點(diǎn)金屬連接。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為高熔點(diǎn)金屬層、外層為低熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)。

其中，優(yōu)選上述低熔點(diǎn)金屬層以至少貫通一部分的上述高熔點(diǎn)金屬層的方式形成。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是上層為高熔點(diǎn)金屬層、下層為低熔點(diǎn)金屬層的2層結(jié)構(gòu)。

其中，優(yōu)選在上述第1和第2電極以及上述發(fā)熱體引出電極的表面，實(shí)施有ni/au鍍層、ni/pd鍍層或ni/pd/au鍍層的任一種鍍層處理。

其中，優(yōu)選在上述發(fā)熱體與上述絕緣基板之間設(shè)有絕緣部件層。

其中，優(yōu)選上述低熔點(diǎn)金屬層的體積一方大于上述高熔點(diǎn)金屬層的體積。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，成為內(nèi)層的上述低熔點(diǎn)金屬層的整個(gè)面被上述高熔點(diǎn)金屬層包覆。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，在上述第1和第2電極上經(jīng)由導(dǎo)電性膏連接。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，在上述第1和第2電極上通過(guò)焊接連接。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，在成為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層的表面包覆有上述高熔點(diǎn)金屬層，在該高熔點(diǎn)金屬層的表面包覆有第2低熔點(diǎn)金屬層。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)，上述低熔點(diǎn)金屬層與上述高熔點(diǎn)金屬層的層厚比為2.1∶1～100∶1。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在上述絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋上述發(fā)熱體的方式層疊在上述絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有上述絕緣部件的上述絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在上述絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋上述發(fā)熱體的方式層疊在上述絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有上述絕緣部件的上述絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及多個(gè)可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。

其中，優(yōu)選層疊有上述多個(gè)可熔導(dǎo)體的上述發(fā)熱體引出電極，在上述多個(gè)可熔導(dǎo)體的可熔導(dǎo)體間形成有絕緣層。

其中，優(yōu)選上述發(fā)熱體引出電極形成為上述多個(gè)可熔導(dǎo)體之間的部分的寬度窄于層疊有上述多個(gè)可熔導(dǎo)體的部分的寬度。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，內(nèi)置于上述絕緣基板的內(nèi)部；第1和第2電極，層疊在上述絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)發(fā)熱體的加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在上述絕緣基板；第1和第2電極，層疊在上述絕緣基板的層疊有上述發(fā)熱體的面的相反面；發(fā)熱體引出電極，在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)發(fā)熱體的加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在上述絕緣基板；第1和第2電極，層疊在上述絕緣基板的層疊有上述發(fā)熱體的同一面；發(fā)熱體引出電極，在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)發(fā)熱體的加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；第1和第2電極，層疊在上述絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，層疊在上述第1和第2電極之間的電流路徑上；發(fā)熱元件，以與上述發(fā)熱體引出電極電連接的方式搭載；以及可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)發(fā)熱元件的加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由至少包含高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成。

其中，優(yōu)選上述高熔點(diǎn)金屬層具有比含鉛焊錫高的導(dǎo)熱性。

其中，優(yōu)選在上述可熔導(dǎo)體的兩端，在與上述第1和第2電極連接的部分具有焊錫的滯留部。

其中，優(yōu)選是用回流爐進(jìn)行基板安裝的保護(hù)元件，上述低熔點(diǎn)金屬層的熔點(diǎn)比上述回流爐的溫度低。

其中，優(yōu)選上述低熔點(diǎn)金屬層由無(wú)鉛焊錫構(gòu)成，上述高熔點(diǎn)金屬層由ag或者cu或以ag或者cu為主成分的金屬構(gòu)成。

其中，優(yōu)選在上述高熔點(diǎn)金屬層的表面，形成有au或以au為主成分的被膜。

其中，優(yōu)選在連接到上述第1和第2電極以及上述發(fā)熱體引出電極的位置，上述可熔導(dǎo)體以低熔點(diǎn)金屬連接。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為高熔點(diǎn)金屬層、外層為低熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)。

其中，優(yōu)選上述低熔點(diǎn)金屬層以至少貫通一部分的上述高熔點(diǎn)金屬層的方式形成。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層、外層為高熔點(diǎn)金屬層的包覆結(jié)構(gòu)。

其中，優(yōu)選上述高熔點(diǎn)金屬層在表面具有開(kāi)口，露出有上述低熔點(diǎn)金屬層。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是上層為高熔點(diǎn)金屬層、下層為低熔點(diǎn)金屬層的2層結(jié)構(gòu)。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是上層為低熔點(diǎn)金屬層、下層為高熔點(diǎn)金屬層的2層層疊體。

其中，優(yōu)選上述可熔導(dǎo)體是將上述高熔點(diǎn)金屬層、上述低熔點(diǎn)金屬層交互地層疊4層以上而形成。

其中，優(yōu)選在上述第1和第2電極以及上述發(fā)熱體引出電極的表面，實(shí)施有ni/au鍍層、ni/pd鍍層或ni/pd/au鍍層的任一種鍍層處理。

其中，優(yōu)選在上述發(fā)熱體與上述絕緣基板之間設(shè)有絕緣部件層。

其中，優(yōu)選上述低熔點(diǎn)金屬層的體積一方大于上述高熔點(diǎn)金屬層的體積。

本發(fā)明的其他實(shí)施方式所涉及的保護(hù)元件，其特征在于，包括：絕緣基板；發(fā)熱體，層疊在上述絕緣基板；絕緣部件，以至少覆蓋上述發(fā)熱體的方式層疊在上述絕緣基板；第1和第2電極，層疊在層疊有上述絕緣部件的上述絕緣基板；發(fā)熱體引出電極，在上述第1和第2電極之間的電流路徑上與該發(fā)熱體電連接；以及可熔導(dǎo)體，從上述發(fā)熱體引出電極到上述第1和第2電極地層疊，通過(guò)加熱而熔斷該第1電極與該第2電極之間的電流路徑，上述可熔導(dǎo)體由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成，經(jīng)由低熔點(diǎn)金屬分別與上述第1電極、上述第2電極、及上述發(fā)熱體引出電極連接。

發(fā)明效果

在本發(fā)明的保護(hù)元件中，通過(guò)加熱由高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的層疊體構(gòu)成的可熔導(dǎo)體，以發(fā)熱體產(chǎn)生的熱熔化低熔點(diǎn)金屬層，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層，并且被吸引到濕潤(rùn)性高的第1和第2電極以及發(fā)熱體引出電極側(cè)而熔斷，因此能夠可靠地進(jìn)行熔斷。此外，由于具有可熔導(dǎo)體，可知本發(fā)明的保護(hù)元件還能作為普通的電流熔絲發(fā)揮功能，能夠?qū)崿F(xiàn)兼顧外部信號(hào)及過(guò)電流中的電流路徑截?cái)唷?/p>

此外，低熔點(diǎn)金屬層由無(wú)鉛焊錫構(gòu)成，高熔點(diǎn)金屬層由以ag或cu為主成分的金屬構(gòu)成，因此能夠?qū)?yīng)無(wú)鉛。

由于低熔點(diǎn)金屬層的體積大于高熔點(diǎn)金屬層的體積，所以能夠有效果地發(fā)揮高熔點(diǎn)金屬層的浸蝕作用。

附圖說(shuō)明

圖1中圖1a是適用本發(fā)明的保護(hù)元件的平面圖；圖1b是圖1a的a－a’部的截面圖；

圖2是適用本發(fā)明的保護(hù)元件的應(yīng)用例的框圖；

圖3是示出適用本發(fā)明的保護(hù)元件的電路構(gòu)成例的圖；

圖4是公知例（日本特開(kāi)2004－185960號(hào)公報(bào)）的保護(hù)元件的截面圖；

圖5是用于說(shuō)明適用本發(fā)明的保護(hù)元件的動(dòng)作的概念性平面圖；圖5a是示出保護(hù)元件的動(dòng)作即將開(kāi)始前或剛開(kāi)始動(dòng)作后的平面圖；圖5b是示出因加熱動(dòng)作而熱源近旁的低熔點(diǎn)金屬層熔化而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層的樣子的平面圖；圖5c是示出高熔點(diǎn)金屬層被浸蝕的狀況的平面圖；圖5d是示出低熔點(diǎn)金屬層被電極及發(fā)熱體引出電極吸引的狀態(tài)的平面圖；

圖6中圖6a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖6b是圖6a的a－a’部的截面圖；

圖7中圖7a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖7b是圖7a的a－a’部的截面圖；

圖8中圖8a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖8b是圖8a的a－a’部的截面圖；

圖9是用于說(shuō)明圖8的變形例所涉及的保護(hù)元件的動(dòng)作的概念性平面圖；圖9a是示出保護(hù)元件的即將開(kāi)始動(dòng)作前或剛開(kāi)始動(dòng)作后的平面圖；圖9b是示出因加熱動(dòng)作而熱源近旁的低熔點(diǎn)金屬層熔化，從而浸蝕高熔點(diǎn)金屬層的樣子的平面圖；圖9c是求出高熔點(diǎn)金屬層被浸蝕的狀況的平面圖；圖9d是示出低熔點(diǎn)金屬層被電極及發(fā)熱體引出電極吸引的狀態(tài)的平面圖；

圖10是示出構(gòu)成不同形狀的可熔導(dǎo)體的例子的立體圖；圖10a是形成為角形（方形）狀的例子，圖10b示出形成為圓線狀的例子；

圖11中圖11a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖11b是圖11a的a－a’部的截面圖；

圖12中圖12a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖12b是圖12a的a－a’部的截面圖；

圖13中圖13a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖13b是圖13a的a－a’部的截面圖；

圖14中圖14a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖14b是圖14a的a－a’部的截面圖；

圖15中圖15a是示出本發(fā)明的保護(hù)元件的實(shí)施方式中的一個(gè)變形例的平面圖；圖15b是圖15a圖的a－a’部的截面圖；

圖16是示出將發(fā)熱體內(nèi)置于絕緣基板的保護(hù)元件的變形例的截面圖；

圖17是示出將發(fā)熱體形成在絕緣基板的背面的保護(hù)元件的變形例的截面圖；

圖18是示出將發(fā)熱體形成在絕緣基板的表面的保護(hù)元件的變形例的截面圖；

圖19是示出將發(fā)熱元件安裝在絕緣基板的表面的保護(hù)元件的變形例的截面圖；

圖20是示出采用將線狀的開(kāi)口部設(shè)于高熔點(diǎn)金屬層并使低熔點(diǎn)金屬層露出的可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例的圖，圖20a是平面圖，圖20b是截面圖；

圖21是示出采用將圓形的開(kāi)口部設(shè)于高熔點(diǎn)金屬層并使低熔點(diǎn)金屬層露出的可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例的圖，圖21a是平面圖，圖21b是截面圖；

圖22是示出采用將線狀的開(kāi)口部設(shè)于高熔點(diǎn)金屬層并使低熔點(diǎn)金屬層露出的可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例的圖，圖22a是平面圖，圖22b是截面圖；

圖23是示出通過(guò)低熔點(diǎn)金屬來(lái)連接呈現(xiàn)高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層的2層結(jié)構(gòu)的可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例的圖，圖23a是平面圖，圖23b是截面圖；

圖24是示出采用高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層交互層疊的4層結(jié)構(gòu)的可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例的圖，圖24a是平面圖，圖24b是截面圖；

圖25是示出通過(guò)低熔點(diǎn)金屬來(lái)連接由高熔點(diǎn)金屬層的單層構(gòu)成的可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例的圖，圖25a是平面圖，圖25b是截面圖；

圖26是示出設(shè)置多個(gè)可熔導(dǎo)體并且在發(fā)熱體引出電極上形成了絕緣層的保護(hù)元件的平面圖；

圖27是示出在設(shè)置多個(gè)可熔導(dǎo)體并且在發(fā)熱體引出電極上形成了絕緣層的保護(hù)元件中，可熔導(dǎo)體被熔斷的狀態(tài)的平面圖；

圖28是示出設(shè)置多個(gè)可熔導(dǎo)體并且在發(fā)熱體引出電極上形成了窄寬部的保護(hù)元件的平面圖；

圖29是示出在設(shè)置多個(gè)可熔導(dǎo)體并且在發(fā)熱體引出電極上形成了窄寬部的保護(hù)元件中，可熔導(dǎo)體被熔斷的狀態(tài)的平面圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外，當(dāng)然本發(fā)明不僅僅限定于以下的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的要點(diǎn)的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種變更。

［保護(hù)元件的構(gòu)成］

如圖1所示，適用本發(fā)明的保護(hù)元件10，具備：絕緣基板11；層疊在絕緣基板11并被絕緣部件15所覆蓋的發(fā)熱體14；形成在絕緣基板11的兩端的電極12（a1）、12（a2）；在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端分別與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。此外，在絕緣基板11的背面，形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子。

方形狀的絕緣基板11，通過(guò)例如氧化鋁、玻璃陶瓷、富鋁紅柱石、氧化鋯等具有絕緣性的部件形成。此外，也可以使用用于玻璃環(huán)氧樹(shù)脂基板、酚醛樹(shù)脂基板等印刷布線基板的材料，但有必要留意到熔絲熔斷時(shí)的溫度。

發(fā)熱體14是在相對(duì)電阻值高而通電的情況下發(fā)熱的具有導(dǎo)電性的部件，由例如w、mo、ru等構(gòu)成。使用絲網(wǎng)印刷技術(shù)來(lái)將使這些合金或組合物、化合物的粉狀體與樹(shù)脂粘合劑等混合而制成膏狀的混合物圖案形成于絕緣基板11上，通過(guò)燒制等而形成。

以覆蓋發(fā)熱體14的方式配置有絕緣部件15，以經(jīng)由該絕緣部件15而與發(fā)熱體14對(duì)置的方式配置有發(fā)熱體引出電極16。為了有效率地向可熔導(dǎo)體傳遞發(fā)熱體14的熱，在發(fā)熱體14與絕緣基板11之間層疊絕緣部件15也可。

發(fā)熱體引出電極16的一端與發(fā)熱體電極18（p1）連接。此外，發(fā)熱體14的另一端與另一發(fā)熱體電極18（p2）連接。

可熔導(dǎo)體13是由內(nèi)層和外層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)體，優(yōu)選作為內(nèi)層具有高熔點(diǎn)金屬層13a、作為外層具有低熔點(diǎn)金屬層13b。再者，如后所述，作為內(nèi)層具有低熔點(diǎn)金屬層13b、作為外層具有高熔點(diǎn)金屬層13a也可。此外，可熔導(dǎo)體13也可為上層和下層的2層層疊結(jié)構(gòu)體，還可為作為上層具有高熔點(diǎn)金屬層13a、作為下層具有低熔點(diǎn)金屬層13b。高熔點(diǎn)金屬層13a優(yōu)選為ag或者cu、或以這些中的任一種為主成分的金屬，在用回流爐進(jìn)行基板安裝的情況下，也具有不熔化的高的熔點(diǎn)。低熔點(diǎn)金屬層13b優(yōu)選為以sn為主成分的金屬，是一般稱為“無(wú)鉛焊錫”的材料（例如千住金屬工業(yè)制，w705等）。低熔點(diǎn)金屬層13b的熔點(diǎn)未必一定高于回流爐的溫度，也可以在200℃左右熔化。通過(guò)層疊高熔點(diǎn)金屬層13a和低熔點(diǎn)金屬層13b，在回流溫度超過(guò)低熔點(diǎn)金屬層13b的熔化溫度而低熔點(diǎn)金屬熔化的情況下，也不至于作為可熔導(dǎo)體13而熔斷。也可以利用鍍層技術(shù)在高熔點(diǎn)金屬層13a成膜低熔點(diǎn)金屬層13b，從而形成可熔導(dǎo)體13，能夠形成通過(guò)利用其他眾所周知的層疊技術(shù)、膜形成技術(shù)來(lái)在高熔點(diǎn)金屬層13a層疊了低熔點(diǎn)金屬層13b的可熔導(dǎo)體13。此外，相反以高熔點(diǎn)金屬層13a為外層的情況下也能用同樣的成膜技術(shù)來(lái)形成。再者，可熔導(dǎo)體13到發(fā)熱體引出電極16及電極12（a1）、12（a2）的連接是，通過(guò)利用低熔點(diǎn)金屬層13b焊錫接合來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

為了防止外層的低熔點(diǎn)金屬層13b的氧化，對(duì)可熔導(dǎo)體13上的大致整個(gè)面涂敷助熔劑17也可。

為了保護(hù)這樣構(gòu)成的保護(hù)元件10的內(nèi)部，將蓋部件承載于絕緣基板11上也可。

［保護(hù)元件的使用方法］

如圖2所示，上述的保護(hù)元件10用于鋰離子2次電池的電池組內(nèi)的電路中。

例如，保護(hù)元件10被裝入電池組20而使用，電池組20具有由總計(jì)4個(gè)鋰離子2次電池的電池單元21~24構(gòu)成的電池堆25。

電池組20具備：電池堆25；控制電池堆25的充放電的充放電控制電路30；電池堆25異常時(shí)截?cái)喑潆姷倪m用本發(fā)明的保護(hù)元件10；檢測(cè)各電池單元21～24的電壓的檢測(cè)電路26；以及根據(jù)檢測(cè)電路26的檢測(cè)結(jié)果控制保護(hù)元件10的動(dòng)作的電流控制元件27。

電池堆25將需要用于保護(hù)過(guò)充電及過(guò)放電狀態(tài)的控制的電池單元21～24串聯(lián)連接而成，經(jīng)由電池組20的正極端子20a、負(fù)極端子20b而可裝卸地與充電裝置35連接，被施加來(lái)自充電裝置35的充電電壓。通過(guò)將由充電裝置35充電的電池組20的正極端子20a、負(fù)極端子20b與以電池進(jìn)行動(dòng)作的電子設(shè)備連接，能夠使該電子設(shè)備動(dòng)作。

充放電控制電路30具備：與從電池堆25流動(dòng)至充電裝置35的電流路徑串聯(lián)連接的2個(gè)電流控制元件31、32；和控制這些電流控制元件31、32的動(dòng)作的控制部33。電流控制元件31、32由例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管（以下，稱為fet。）構(gòu)成，利用控制部33來(lái)控制柵極電壓，從而對(duì)電池堆25的電流路徑的導(dǎo)通和截?cái)噙M(jìn)行控制?？刂撇?3接受來(lái)自充電裝置35的電力供給而進(jìn)行動(dòng)作，依據(jù)檢測(cè)電路26的檢測(cè)結(jié)果，在電池堆25處于過(guò)放電或過(guò)充電時(shí)，控制電流控制元件31、32的動(dòng)作，以便將電流路徑截?cái)唷?/p>

保護(hù)元件10在例如電池堆25與充放電控制電路30之間的充放電電流路徑上連接，其動(dòng)作受電流控制元件27控制。

檢測(cè)電路26與各電池單元21～24連接，檢測(cè)各電池單元21～24的電壓值，將各電壓值供給至充放電控制電路30的控制部33。此外，檢測(cè)電路26，在任意1個(gè)電池單元21～24成為過(guò)充電電壓或過(guò)放電電壓時(shí)，輸出對(duì)電流控制元件27進(jìn)行控制的控制信號(hào)。

電流控制元件27例如由fet構(gòu)成，根據(jù)從檢測(cè)電路26輸出的檢測(cè)信號(hào)，在電池單元21～24的電壓值超過(guò)既定的過(guò)放電或過(guò)充電狀態(tài)的電壓時(shí)，使保護(hù)元件10進(jìn)行動(dòng)作，控制為，不論電流控制元件31、32的開(kāi)關(guān)動(dòng)作如何，都將電池堆25的充放電電流路徑截?cái)唷?/p>

在由如以上那樣的構(gòu)成組成的電池組20中，對(duì)保護(hù)元件10的構(gòu)成具體進(jìn)行說(shuō)明。

首先，適用本發(fā)明的保護(hù)元件10具有例如如圖3所示的電路構(gòu)成。即，保護(hù)元件10是由下列部件組成的電路構(gòu)成：經(jīng)由發(fā)熱體引出電極16串聯(lián)連接的可熔導(dǎo)體13；以及經(jīng)由可熔導(dǎo)體13的連接點(diǎn)進(jìn)行通電而發(fā)熱，從而熔化可熔導(dǎo)體13的發(fā)熱體14。此外，在保護(hù)元件10中，例如，可熔導(dǎo)體13在充放電電流路徑上串聯(lián)連接，發(fā)熱體14與電流控制元件27連接。保護(hù)元件10的2個(gè)的電極12中的一方與a1連接，另一方與a2連接。此外，發(fā)熱體引出電極16和與此連接的發(fā)熱體電極18與p1連接，另一方的發(fā)熱體電極18與p2連接。

由這樣的電路構(gòu)成組成的保護(hù)元件10能夠?qū)崿F(xiàn)低高度化，并且實(shí)現(xiàn)無(wú)鉛化，同時(shí)利用發(fā)熱體14的發(fā)熱，能夠可靠地熔斷電流路徑上的可熔導(dǎo)體13。

再者，本發(fā)明的保護(hù)元件不限于使用鋰離子2次電池的電池組的情況，顯然也能夠應(yīng)用于需要以電信號(hào)來(lái)截?cái)嚯娏髀窂降母鞣N用途。

［保護(hù)元件的動(dòng)作］

首先，為了做比較，將公知例（日本特開(kāi)2004－185960號(hào)公報(bào)）設(shè)為現(xiàn)有的保護(hù)元件，對(duì)其構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。

如圖4所示，現(xiàn)有的保護(hù)元件40，在方形狀的基板41上作為基底的絕緣層形成玻璃層41a，在玻璃層41a上，層疊有發(fā)熱體44。以覆蓋發(fā)熱體44的方式形成有絕緣部件45，經(jīng)由絕緣部件45以與發(fā)熱體44對(duì)置的方式層疊有高熔點(diǎn)金屬層43a，進(jìn)而層疊有低熔點(diǎn)金屬層43b。在高熔點(diǎn)金屬層43a及低熔點(diǎn)金屬層43b的兩端，以高熔點(diǎn)金屬層43a和低熔點(diǎn)金屬層43b夾住的方式層疊電極42并加以連接。在低熔點(diǎn)金屬層43b上涂敷有助熔劑47。

如此，在現(xiàn)有的保護(hù)元件40中，高熔點(diǎn)金屬層43a全體與絕緣部件45直接密合而形成。在該結(jié)構(gòu)中，因發(fā)熱體44的發(fā)熱而低熔點(diǎn)金屬層43b熔化，僅在浸蝕高熔點(diǎn)金屬層43a的作用下進(jìn)行電路截?cái)?。即便截?cái)酄顟B(tài)不完全，由于可熔導(dǎo)體成為高電阻的時(shí)點(diǎn)對(duì)發(fā)熱體44的通電被抑制，所以停止發(fā)熱。即，能夠出現(xiàn)無(wú)法完全截?cái)嚯娐返那樾巍?/p>

在如圖1所示的本發(fā)明所涉及的保護(hù)元件10中，高熔點(diǎn)金屬層13a及低熔點(diǎn)金屬層13b以橫跨發(fā)熱體引出電極16與電極12之間的方式連接。因此，不僅在低熔點(diǎn)金屬層13b的熔化對(duì)高熔點(diǎn)金屬層的浸蝕作用下，而且在所連接的各電極12上熔化的低熔點(diǎn)金屬層13b的表面張力產(chǎn)生的物理引入作用下，能夠可靠地熔斷可熔導(dǎo)體13。

以下，對(duì)本發(fā)明所涉及的保護(hù)元件10的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。

圖5中，示意性地示出對(duì)如圖1所示的保護(hù)元件10的發(fā)熱體14通電，可熔導(dǎo)體13如何動(dòng)作。

圖5a是以能對(duì)發(fā)熱體電極18（p2）和電極12（a1）、（a2）之間施加電壓地連接電源，并示出對(duì)發(fā)熱體14通電之前及開(kāi)始了通電的當(dāng)初的樣子的圖。最好根據(jù)施加電壓設(shè)定發(fā)熱體14的電阻值，以使發(fā)熱體14產(chǎn)生的熱的溫度成為比通常的回流溫度（～260℃）高的溫度（300℃以上）。

如圖5b所示，發(fā)熱體14正上方的可熔導(dǎo)體13的外層的低熔點(diǎn)金屬層13b開(kāi)始熔化，熔化的低熔點(diǎn)金屬向內(nèi)層的高熔點(diǎn)金屬層13a擴(kuò)散，出現(xiàn)熔蝕現(xiàn)象，高熔點(diǎn)金屬層13a被浸蝕并消失。在虛線的圓內(nèi)，高熔點(diǎn)金屬層13a消失，從而成為與熔化的低熔點(diǎn)金屬層13b混合的狀態(tài)。

如圖5c所示，發(fā)熱體14的溫度進(jìn)一步上升，可熔導(dǎo)體13外層的低熔點(diǎn)金屬層13b熔化造成高熔點(diǎn)金屬層13a的浸蝕區(qū)域擴(kuò)大。在該狀態(tài)下，作為高熔點(diǎn)金屬層13a的材料采用高導(dǎo)熱性的金屬，從而包括電極12部分在內(nèi)成為高溫，低熔點(diǎn)金屬層13b全體處于熔化狀態(tài)。此時(shí)，若發(fā)熱體引出電極16上高熔點(diǎn)金屬層13a處于完全浸蝕的狀態(tài)，則如圖5d所示，低熔點(diǎn)金屬層13b、即焊錫因其濕潤(rùn)性（表面張力）被發(fā)熱體引出電極16和2個(gè)電極12（a1）、12（a2）分別吸引。其結(jié)果，各電極間成為截?cái)酄顟B(tài)。

［變形例1］

如圖6所示，本發(fā)明的1個(gè)變形例的保護(hù)元件50，具備：絕緣基板11；層疊在絕緣基板11并被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14；形成在絕緣基板11的兩端的電極12（a1）、12（a2）；在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。此外，在絕緣基板11的背面，形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子。

在采用一般的高熔點(diǎn)焊錫（含鉛焊錫）的可熔導(dǎo)體的情況下，由于導(dǎo)熱性低，所以短時(shí)間內(nèi)熔化溫度不會(huì)到達(dá)保護(hù)元件兩端的電極部。與之相對(duì)，如本發(fā)明所涉及的保護(hù)元件，在具有由ag或者cu、或以這些中的任一種為主成分的金屬構(gòu)成的高熔點(diǎn)金屬層的可熔導(dǎo)體的情況下，由于導(dǎo)熱性高，所以低熔點(diǎn)金屬層的熔化溫度充分到達(dá)保護(hù)元件的兩端的電極部，因此通過(guò)設(shè)置以下描述的焊錫滯留部，可以得到更加穩(wěn)定的熔斷特性。

可熔導(dǎo)體13是由內(nèi)層和外層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)體，優(yōu)選作為內(nèi)層具有高熔點(diǎn)金屬層13a、作為外層具有低熔點(diǎn)金屬層13b?；蛘?，作為內(nèi)層具有低熔點(diǎn)金屬層13b、作為外層具有高熔點(diǎn)金屬層13a也可。高熔點(diǎn)金屬層13a優(yōu)選為ag或者cu、或以這些中的任一種為主成分的金屬，在用回流爐來(lái)進(jìn)行基板安裝的情況下，也具有不熔化的高的熔點(diǎn)。低熔點(diǎn)金屬層13b優(yōu)選為以sn為主成分的金屬，是一般稱為“無(wú)鉛焊錫”的材料（例如千住金屬工業(yè)制，w705等）。熔點(diǎn)未必一定高于回流爐的溫度，也可以在200℃左右熔化?？扇蹖?dǎo)體13既可以利用鍍層技術(shù)在高熔點(diǎn)金屬層13a成膜低熔點(diǎn)金屬層13b而形成，也可以利用其他眾所周知的層疊技術(shù)、膜形成技術(shù)來(lái)在高熔點(diǎn)金屬層13a層疊低熔點(diǎn)金屬層13b而形成。此外，相反以高熔點(diǎn)金屬層13a為外層的情況下能夠以同樣的成膜技術(shù)形成。

在此，在可熔導(dǎo)體13的兩端，在與電極12（a1）、12（a2）連接的部分設(shè)置由與低熔點(diǎn)金屬層13b相同的材料構(gòu)成的焊錫的滯留部51。當(dāng)保護(hù)元件動(dòng)作時(shí)，低熔點(diǎn)金屬層13b包括滯留部51在內(nèi)都成為熔化狀態(tài)。高熔點(diǎn)金屬層13a的浸蝕在整個(gè)可熔導(dǎo)體13中發(fā)生，從而熔化的可熔導(dǎo)體13容易被電極12（a1）、12（a2）側(cè)的各個(gè)滯留部51、51吸引，因此能夠更加可靠地將可熔導(dǎo)體熔斷。

［變形例2］

如圖7所示，保護(hù)元件60具備：絕緣基板11；層疊在絕緣基板11并被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14；形成在絕緣基板11的兩端的電極12（a1）、12（a2）；在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。此外，在絕緣基板11的背面，形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子。

可熔導(dǎo)體13是由內(nèi)層和外層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)體，優(yōu)選作為內(nèi)層具有高熔點(diǎn)金屬層13a、作為外層具有低熔點(diǎn)金屬層13b。如上述的變形例那樣，在可熔導(dǎo)體13的兩端設(shè)置滯留部51、51也可。

該變形例中，在高熔點(diǎn)金屬層13a實(shí)施多數(shù)開(kāi)口61，對(duì)有多數(shù)開(kāi)口的高熔點(diǎn)金屬層13a，利用例如鍍層技術(shù)等成膜低熔點(diǎn)金屬層13b。由此，由于與熔化的低熔點(diǎn)金屬層13b相接的高熔點(diǎn)金屬層13a的面積增大，所以能夠在更短時(shí)間內(nèi)低熔點(diǎn)金屬層13b浸蝕高熔點(diǎn)金屬層13a。因而，可以更加快速且可靠地熔斷可熔導(dǎo)體。

［變形例3］

圖8是采用了改變上述的可熔導(dǎo)體13的構(gòu)成后的結(jié)構(gòu)時(shí)的變形例。

如圖8所示，保護(hù)元件70具備：絕緣基板11；層疊在絕緣基板11并被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14；形成在絕緣基板11的兩端的電極12（a1）、12（a2）；在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。此外，在絕緣基板11的背面，形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子。

可熔導(dǎo)體13內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層13b，外層為高熔點(diǎn)金屬層13a。在低熔點(diǎn)金屬層13b，與上述同樣地，能夠采用以sn為主成分的無(wú)鉛焊錫，在高熔點(diǎn)金屬層13a，可以采用ag或者cu、或以這些中任一種為主成分的金屬。在圖8的變形例的情況下，防止可熔導(dǎo)體13的表面被氧化而熔化溫度上升，并且為了維持發(fā)熱熔化中的焊錫的表面張力，助熔劑17被涂敷到可熔導(dǎo)體13上。

與如圖1所示的構(gòu)成例的情況同樣地，通過(guò)對(duì)內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b實(shí)施鍍層技術(shù)等，能夠形成外層的高熔點(diǎn)金屬層13a，并能形成該變形例中的可熔導(dǎo)體13。

圖9中概念性地示出圖8所示的構(gòu)成例的動(dòng)作的樣子。

圖9a中在發(fā)熱體電極18（p2）與電極12（a1）、（a2）之間連接電源，以實(shí)施電壓，并示出對(duì)發(fā)熱體14通電前以及通電后的當(dāng)初的樣子。

如圖9b所示，發(fā)熱體14正上方的可熔導(dǎo)體13內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b開(kāi)始熔化，因熔蝕現(xiàn)象而低熔點(diǎn)金屬向外層的高熔點(diǎn)金屬層13a擴(kuò)散。因此，示出外層的高熔點(diǎn)金屬層13a被浸蝕并消失，內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b開(kāi)始露出的樣子。圖中的實(shí)線的圓內(nèi)是露出的低熔點(diǎn)金屬層13b，其他部分為外層的高熔點(diǎn)金屬層13a。

如圖9c所示，發(fā)熱體14的溫度進(jìn)一步上升，可熔導(dǎo)體13內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b繼續(xù)熔化，高熔點(diǎn)金屬層13a的浸蝕區(qū)域擴(kuò)大。在該狀態(tài)下，低熔點(diǎn)金屬層13b全體處于熔化狀態(tài)，因此如果發(fā)熱體引出電極16上高熔點(diǎn)金屬層13a處于完全被浸蝕的狀態(tài)，則如圖9d所示，低熔點(diǎn)金屬層13b、即焊錫因其濕潤(rùn)性（表面張力）而被發(fā)熱體引出電極16和2個(gè)電極12（a1）、12（a2）分別吸引。結(jié)果是，各電極間截?cái)唷?/p>

如圖10a所示，可熔導(dǎo)體13也可為方形的可熔導(dǎo)體13，如圖10b所示，可熔導(dǎo)體13還可為圓線狀的可熔導(dǎo)體。圖10中，內(nèi)層設(shè)為低熔點(diǎn)金屬層13b，外層設(shè)為高熔點(diǎn)金屬層13a，但是顯然將內(nèi)層和外層倒轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)也可。

此外，在內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層13b、外層為高熔點(diǎn)金屬層13a的情況下，也留意維持可熔導(dǎo)體13的厚度，并且在電極12（a1）、12（a2）上設(shè)置由厚度比可熔導(dǎo)體13的低熔點(diǎn)金屬層13b厚的低熔點(diǎn)金屬層13b構(gòu)成的滯留部也可。

［變形例4］

圖11是改變可熔導(dǎo)體13的構(gòu)成而使用時(shí)的變形例。

如圖11所示，保護(hù)元件80具備：絕緣基板11；層疊在絕緣基板11并被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14；形成在絕緣基板11的兩端的電極12（a1）、12（a2）；在絕緣部件15上以與發(fā)熱體14重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。此外，在絕緣基板11的背面，形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子。

可熔導(dǎo)體13是下層為低熔點(diǎn)金屬層13b、上層為高熔點(diǎn)金屬層13a的2層層疊結(jié)構(gòu)。在低熔點(diǎn)金屬層13b，與上述同樣地，能夠采用以sn為主成分的無(wú)鉛焊錫，在高熔點(diǎn)金屬層13a，能夠采用ag或者cu、或以這些中的任一種為主成分的金屬。

在圖11的變形例的情況下，為了抑制低熔點(diǎn)金屬層13b造成的電極自身的浸蝕而謀求提高熔斷特性，對(duì)2處的電極12、與電極12連接的外部端子及發(fā)熱體引出電極16表面實(shí)施鍍層處理，形成有ni/au鍍層52。再者，ni/au鍍層以外能夠采用ni/pd鍍層、ni/pd/au鍍層等公知的鍍層處理。

［變形例5］

圖12a及圖12b是進(jìn)一步變更可熔導(dǎo)體的構(gòu)成時(shí)的變形例。

圖12所示的保護(hù)元件90的可熔導(dǎo)體91，由內(nèi)層和外層而成的層疊結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，作為內(nèi)層具有低熔點(diǎn)金屬層91b、作為外層具有高熔點(diǎn)金屬層91a。并且，保護(hù)元件90的可熔導(dǎo)體91，其低熔點(diǎn)金屬層91b的整個(gè)表面被高熔點(diǎn)金屬層91a包覆。

這種可熔導(dǎo)體91，能夠通過(guò)例如在ag等的高熔點(diǎn)金屬的片上層疊以sn為主成分的無(wú)鉛焊錫的片，或者涂敷以sn為主成分的無(wú)鉛焊錫的膏，再層疊高熔點(diǎn)金屬片，進(jìn)行熱沖壓而形成。此外，可熔導(dǎo)體91可以通過(guò)在片狀的無(wú)鉛焊錫的整個(gè)表面實(shí)施ag鍍層而形成。

該可熔導(dǎo)體91經(jīng)由無(wú)鉛焊錫等的低熔點(diǎn)金屬92，連接到電極12及發(fā)熱體引出電極16上。此外，可熔導(dǎo)體91上表面的大致整個(gè)面涂敷有助熔劑17。再者，電極12及發(fā)熱體引出電極16，為了抑制電極自身的浸蝕而謀求提高熔斷特性，在表面形成有ni/pd/au鍍層93。

通過(guò)采用以外層的高熔點(diǎn)金屬層91a包覆了內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層91b的整個(gè)表面的可熔導(dǎo)體91，保護(hù)元件90在使用熔點(diǎn)比回流溫度低的低熔點(diǎn)金屬層13b的情況下，回流安裝時(shí)，也能抑制內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層91b向外部的流出。因而，保護(hù)元件90通過(guò)發(fā)熱體14的熱，能夠以更短時(shí)間內(nèi)使低熔點(diǎn)金屬層91b浸蝕高熔點(diǎn)金屬層91a，從而快速且可靠地熔斷可熔導(dǎo)體91。

此外，保護(hù)元件90在回流安裝時(shí)，通過(guò)抑制內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層91b的流出，能夠抑制可熔導(dǎo)體91的變形。

［變形例6］

圖13a及圖13b是變更了圖12所示的可熔導(dǎo)體91與電極12及發(fā)熱體引出電極16的連接構(gòu)成時(shí)的變形例。

圖13所示的保護(hù)元件100，利用導(dǎo)電性膏95來(lái)連接可熔導(dǎo)體91與電極12及發(fā)熱體引出電極16。導(dǎo)電性膏95優(yōu)選使用銀納米膏等的金屬納米膏。銀納米膏以200℃以上的燒成溫度、即回流溫度程度形成高熔點(diǎn)金屬膜。此外，銀納米膏的燒成膜具有比塊（bulk）銀差50％程度的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性。

保護(hù)元件100利用由這樣的金屬納米膏構(gòu)成的導(dǎo)電性膏95連接了可熔導(dǎo)體91，從而在回流安裝時(shí)導(dǎo)電性膏95被燒成而形成金屬膜，因此能夠抑制構(gòu)成可熔導(dǎo)體91的外層的高熔點(diǎn)金屬層91a的熔蝕。即，在通過(guò)焊錫等的低熔點(diǎn)金屬連接可熔導(dǎo)體91的情況下，回流安裝時(shí)焊錫熔化而外層的高熔點(diǎn)金屬層91a會(huì)被熔蝕，因此需要較厚地形成外層的高熔點(diǎn)金屬層91a。但是，若較厚地形成高熔點(diǎn)金屬層91a，則熔斷可熔導(dǎo)體91要花費(fèi)大量時(shí)間。

另一方面，在保護(hù)元件100中，由于利用由金屬納米膏構(gòu)成的導(dǎo)電性膏95來(lái)連接可熔導(dǎo)體91，所以外層的高熔點(diǎn)金屬層91a不會(huì)被熔蝕，而能夠較薄地形成高熔點(diǎn)金屬層91a。因而，保護(hù)元件100通過(guò)內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層91b進(jìn)行的熔蝕，能夠在短時(shí)間內(nèi)可靠地熔斷可熔導(dǎo)體91。

再者，作為可熔導(dǎo)體，保護(hù)元件100也可以采用這樣的可熔導(dǎo)體13：在采用圖12所示的內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層91b的整個(gè)表面被高熔點(diǎn)金屬層91a包覆的可熔導(dǎo)體91，除此之外，在對(duì)圖8所示的內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b的上下層疊有高熔點(diǎn)金屬層13a，未被完全包覆。

［變形例7］

圖14a及圖14b是變更了圖8所示的可熔導(dǎo)體13、電極12及發(fā)熱體引出電極16的連接構(gòu)成時(shí)的變形例。

圖14所示的保護(hù)元件110，通過(guò)超聲波等的焊接來(lái)連接可熔導(dǎo)體13與電極12及發(fā)熱體引出電極16?？扇蹖?dǎo)體13如圖8所示，高熔點(diǎn)金屬層13a層疊在內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b的上下，未被完全包覆。

保護(hù)元件110，優(yōu)選作為可熔導(dǎo)體13的高熔點(diǎn)金屬層13a形成有ag鍍層，在電極12或發(fā)熱體引出電極16的表面形成ni/pd/au鍍層93。由于ag彼此或ag與au在焊接下的接著性優(yōu)異，因此保護(hù)元件110能夠?qū)⒖扇蹖?dǎo)體13與電極12及發(fā)熱體引出電極16，可靠地進(jìn)行連接。此外，保護(hù)元件110通過(guò)焊接來(lái)連接可熔導(dǎo)體13與電極12及發(fā)熱體引出電極16，因此通過(guò)回流安裝，可熔導(dǎo)體13的高熔點(diǎn)金屬層13a不會(huì)被熔蝕，與通過(guò)焊錫等的低熔點(diǎn)金屬來(lái)連接可熔導(dǎo)體13的情況相比，能夠較薄地形成高熔點(diǎn)金屬層13a。因而，保護(hù)元件110通過(guò)內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b進(jìn)行的熔蝕，能夠在短時(shí)間內(nèi)可靠地熔斷可熔導(dǎo)體13。

再者，保護(hù)元件110，作為可熔導(dǎo)體，在圖14所示的內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b的上下層疊有高熔點(diǎn)金屬層13a，使用沒(méi)有完全包覆的可熔導(dǎo)體13，除此之外，也可以采用圖12所示的內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層91b的整個(gè)表面被高熔點(diǎn)金屬層91a包覆的可熔導(dǎo)體91。

［變形例8］

圖15是進(jìn)一步變更可熔導(dǎo)體的構(gòu)成時(shí)的變形例。

圖15所示的保護(hù)元件120的可熔導(dǎo)體121，內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層121b的整個(gè)表面被高熔點(diǎn)金屬層121a包覆，高熔點(diǎn)金屬層121a的整個(gè)表面被第2低熔點(diǎn)金屬層121c包覆。可熔導(dǎo)體121因?yàn)橥鈱拥母呷埸c(diǎn)金屬層121a進(jìn)一步被第2低熔點(diǎn)金屬層121c包覆，例如在作為高熔點(diǎn)金屬層121a形成了cu鍍層的情況下，也能防止cu的氧化。因而，可熔導(dǎo)體121能夠防止因cu的氧化而熔斷時(shí)間變長(zhǎng)的狀態(tài)，能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行熔斷。

此外，可熔導(dǎo)體121，作為高熔點(diǎn)金屬層121a能夠使用cu等的低價(jià)但易于氧化的金屬，而無(wú)需使用ag等的高價(jià)的材料而形成。

第2低熔點(diǎn)金屬層121c，能夠采用與內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層121b相同的材料，例如能夠采用以sn為主成分的無(wú)鉛焊錫。此外，第2低熔點(diǎn)金屬層121c，能夠?qū)Ω呷埸c(diǎn)金屬層121a的表面實(shí)施錫鍍層而形成。

再者，可熔導(dǎo)體121，也可以用高熔點(diǎn)金屬層121a包覆內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層121b的整個(gè)表面，或者對(duì)內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層121b的上下層疊高熔點(diǎn)金屬層121a而未完全包覆也可。同樣地，可熔導(dǎo)體121，也可以用第2低熔點(diǎn)金屬層121c包覆高熔點(diǎn)金屬層121a的整個(gè)表面，或者對(duì)高熔點(diǎn)金屬層121a的上下層疊第2低熔點(diǎn)金屬層121c而未完全包覆也可。

［變形例9］

此外，適用本發(fā)明的保護(hù)元件的可熔導(dǎo)體13，是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層13b、外層為高熔點(diǎn)金屬層13a的包覆結(jié)構(gòu)，低熔點(diǎn)金屬層13b和高熔點(diǎn)金屬層13a的層厚比，也可為低熔點(diǎn)金屬層：高熔點(diǎn)金屬層＝2.1：1～100：1。由此，能夠可靠地使低熔點(diǎn)金屬層13b的體積大于高熔點(diǎn)金屬層13a的體積，能夠有效果地根據(jù)高熔點(diǎn)金屬層13a的熔蝕而在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行熔斷。

即，可熔導(dǎo)體通過(guò)對(duì)構(gòu)成內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層13b的上下表面層疊高熔點(diǎn)金屬層13a，當(dāng)層厚比為低熔點(diǎn)金屬層：高熔點(diǎn)金屬層＝2.1：1以上而低熔點(diǎn)金屬層13b越厚就能使低熔點(diǎn)金屬層13b的體積就越大于高熔點(diǎn)金屬層13a的體積。此外，可熔導(dǎo)體在層厚比超過(guò)低熔點(diǎn)金屬層：高熔點(diǎn)金屬層＝100：1而低熔點(diǎn)金屬層13b厚、高熔點(diǎn)金屬層13a薄時(shí)，有高熔點(diǎn)金屬層13a會(huì)因回流安裝時(shí)的熱而熔化的低熔點(diǎn)金屬層13b而被熔蝕的擔(dān)憂。

關(guān)于該層厚比的范圍，準(zhǔn)備改變了層厚比的多個(gè)可熔導(dǎo)體的樣品，經(jīng)由焊錫膏而搭載到電極12、發(fā)熱體引出電極16上之后，投入到回流爐，觀察可熔導(dǎo)體是否熔斷。其結(jié)果，如果層厚比在低熔點(diǎn)金屬層：高熔點(diǎn)金屬層＝2.1：1～100：1的范圍內(nèi)，在回流安裝時(shí)就不會(huì)熔斷，再者確認(rèn)了當(dāng)進(jìn)行以發(fā)熱體14進(jìn)行的加熱時(shí)，伴隨著低熔點(diǎn)金屬層13b對(duì)高熔點(diǎn)金屬層13a的熔蝕，能夠快速熔斷。

此外，在內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層91b的整個(gè)表面被高熔點(diǎn)金屬層91a包覆的可熔導(dǎo)體91中，也可以設(shè)為與上述可熔導(dǎo)體13相同的低熔點(diǎn)金屬層和高熔點(diǎn)金屬層的層厚比。通過(guò)設(shè)為該層厚比，即便使用了可熔導(dǎo)體91的情況下，也能使低熔點(diǎn)金屬層13b的體積大于高熔點(diǎn)金屬層13a的體積，能夠有效地在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行依據(jù)高熔點(diǎn)金屬層13a的熔蝕的熔斷。

［變形例10］

圖16是采用改變發(fā)熱體14的配置位置后的構(gòu)成時(shí)的變形例。如圖16所示，保護(hù)元件130具備：絕緣基板11；內(nèi)置于絕緣基板11的發(fā)熱體14；形成在絕緣基板11的兩端的電極12（a1）、12（a2）；在絕緣基板11上以與發(fā)熱體14重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。保護(hù)元件130除了發(fā)熱體14內(nèi)置于絕緣基板11這一點(diǎn)、以及沒(méi)有設(shè)置絕緣部件15這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件80同樣的構(gòu)成。

再者，絕緣基板11在背面11b形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子131。此外，保護(hù)元件130設(shè)有保護(hù)絕緣基板11的表面上的蓋部件132。

可熔導(dǎo)體13是上層設(shè)有高熔點(diǎn)金屬層13a、下層設(shè)有低熔點(diǎn)金屬層13b的2層的層疊結(jié)構(gòu)，經(jīng)由該低熔點(diǎn)金屬層13b與分別設(shè)有ni/au鍍層52的電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16連接。此外，可熔導(dǎo)體13在高熔點(diǎn)金屬層13a的表面上涂敷有助熔劑17。

該保護(hù)元件130通過(guò)發(fā)熱體14內(nèi)置于絕緣基板11，使絕緣基板11的表面11a平坦化，由此，能夠?qū)l(fā)熱體引出電極16和電極12（a1）、12（a2）形成在同一平面上。并且，保護(hù)元件130通過(guò)使發(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）為相同的高度，能夠連接平坦化的可熔導(dǎo)體13。因而，保護(hù)元件130能夠提高可熔導(dǎo)體13的熔斷特性。

此外，保護(hù)元件130通過(guò)作為絕緣基板11的材料使用導(dǎo)熱性優(yōu)異的材料，由發(fā)熱體14能夠與隔著玻璃層等的絕緣部件15時(shí)同等地加熱可熔導(dǎo)體13。

進(jìn)而，保護(hù)元件130不用絕緣部件15，此外，將構(gòu)成電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的導(dǎo)電膏涂敷在平坦的絕緣基板11的表面11a，能夠成批地形成電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16，因此能夠謀求制造工序的省力化。

［變形例11］

圖17是采用改變了發(fā)熱體14的配置位置后的構(gòu)成時(shí)的變形例。

如圖17所示，保護(hù)元件140具備：絕緣基板11；層疊在絕緣基板11的背面11b并被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14；形成在絕緣基板11的兩端的電極12（a1）、12（a2）；在絕緣基板11上以與發(fā)熱體14重疊的方式層疊的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。保護(hù)元件140除了發(fā)熱體14層疊在絕緣基板11的背面11b這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件80同樣的構(gòu)成。

再者，絕緣基板11在背面11b形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子131。此外，保護(hù)元件140設(shè)有保護(hù)絕緣基板11的表面上的蓋部件132。

該保護(hù)元件140通過(guò)使發(fā)熱體14層疊在絕緣基板11的背面11b，使絕緣基板11的表面11a平坦化，由此，能夠?qū)l(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）形成在同一平面上。并且，保護(hù)元件100通過(guò)使發(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）為相同的高度，能夠連接平坦化的可熔導(dǎo)體13。因而，保護(hù)元件100能夠提高可熔導(dǎo)體13的熔斷特性。

此外，保護(hù)元件140通過(guò)使用導(dǎo)熱性優(yōu)異的材料作為絕緣基板11的材料，能夠由發(fā)熱體14以與在絕緣基板11的表面11a上層疊的情況同等地加熱可熔導(dǎo)體13。

進(jìn)而，保護(hù)元件140通過(guò)將構(gòu)成電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的導(dǎo)電膏涂敷在平坦的絕緣基板11的表面11a，能夠成批地形成電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16，因此能夠謀求制造工序的省力化。

［變形例12］

圖18是在采用改變了發(fā)熱體14的配置位置的構(gòu)成時(shí)的變形例。

如圖18所示，保護(hù)元件150具備：絕緣基板11；層疊在絕緣基板11的表面11a上并被絕緣部件15覆蓋的發(fā)熱體14；在絕緣基板11的表面11a上與發(fā)熱體14鄰接地形成的電極12（a1）、12（a2）；層疊在絕緣基板11的表面11a上的電極12（a1）、12（a2）間并與發(fā)熱體14電連接的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。保護(hù)元件150除了發(fā)熱體14層疊在絕緣基板11的表面11a這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件80同樣的構(gòu)成。

再者，絕緣基板11在背面11b形成有與電極12（a1）、12（a2）連接的外部端子131。此外，保護(hù)元件150設(shè)有保護(hù)絕緣基板11的表面上的蓋部件132。

該保護(hù)元件150通過(guò)使發(fā)熱體14在絕緣基板11的表面11a與電極12（a1）鄰接地層疊，使絕緣基板11的表面11a平坦化，由此，能夠?qū)l(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）形成在同一平面上。并且，保護(hù)元件150通過(guò)使發(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）為相同的高度，能夠連接平坦化的可熔導(dǎo)體13。因而，保護(hù)元件150能夠提高可熔導(dǎo)體13的熔斷特性。

此外，保護(hù)元件150通過(guò)將發(fā)熱體14與電極12（a1）鄰接地層疊，能夠?qū)l(fā)熱的熱有效率地傳遞到可熔導(dǎo)體13，與隔著絕緣部件15重疊發(fā)熱體14和發(fā)熱體引出電極16的情況同等地加熱可熔導(dǎo)體13。

進(jìn)而，保護(hù)元件150通過(guò)將構(gòu)成電極12（a1）、12（a2）、發(fā)熱體14及發(fā)熱體引出電極16的導(dǎo)電膏涂敷在平坦的絕緣基板11的表面11a，能夠成批地形成電極12（a1）、12（a2）、發(fā)熱體14及發(fā)熱體引出電極16，因此能夠謀求制造工序的省力化。此外，保護(hù)元件110將發(fā)熱體14形成在絕緣基板11的表面11a，且不與發(fā)熱體引出電極16重疊，因此能夠依據(jù)絕緣基板11的厚度方向的低高度化而謀求小型化。

［變形例13］

圖19是通過(guò)涂敷導(dǎo)電性膏并加以燒成而改變形成發(fā)熱體14的構(gòu)成，利用發(fā)熱元件，使它在電極12（a1）、12（a2）的近旁鄰接時(shí)的變形例。

如圖19所示，保護(hù)元件160具備：絕緣基板11；安裝在絕緣基板11的表面11a上的發(fā)熱元件161；在絕緣基板11的表面11a上與發(fā)熱元件161鄰接地形成的電極12（a1）、12（a2）；層疊在絕緣基板11的表面11a上的電極12（a1）、12（a2）間并與發(fā)熱元件161電連接的發(fā)熱體引出電極16；以及可熔導(dǎo)體13，其兩端與電極12（a1）、12（a2）連接，中央部與發(fā)熱體引出電極16連接。保護(hù)元件160除了代替發(fā)熱體14而使發(fā)熱元件161與層疊在絕緣基板11的表面11a的發(fā)熱體引出電極16連接，并且與發(fā)熱元件電極162連接這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件80同樣的構(gòu)成。發(fā)熱元件161安裝在形成在絕緣基板11的表面11a的凸臺(tái)部163上。

保護(hù)元件160在發(fā)熱元件電極162與上述的電流控制元件27連接，并且對(duì)電池單元21～24的任一個(gè)檢測(cè)到異常電壓時(shí)，使發(fā)熱元件161動(dòng)作，并截?cái)嚯姵囟?5的充放電路徑。

在該保護(hù)元件160中，也通過(guò)使發(fā)熱元件161在絕緣基板11的表面11a與電極12（a1）鄰接而層疊，使絕緣基板11的表面11a平坦化，由此，能夠?qū)l(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）形成在同一平面上。并且，保護(hù)元件160通過(guò)使發(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）為相同的高度，能夠連接平坦化的可熔導(dǎo)體13。因而，保護(hù)元件160能夠提高可熔導(dǎo)體13的熔斷特性。

此外，保護(hù)元件160通過(guò)將發(fā)熱元件161與電極12（a1）、12（a2）鄰接地安裝，能夠?qū)l(fā)熱的熱有效率地傳遞到可熔導(dǎo)體13，并能夠與隔著絕緣部件15重疊發(fā)熱體14和發(fā)熱體引出電極16時(shí)同等地加熱可熔導(dǎo)體13。

進(jìn)而，保護(hù)元件160通過(guò)將構(gòu)成電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的導(dǎo)電膏涂敷在平坦的絕緣基板11的表面11a，能夠成批地形成電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16，因此能夠謀求制造工序的省力化。此外，由于不是在絕緣基板11的表面11a上將發(fā)熱體14與發(fā)熱體引出電極16重疊而形成，所以保護(hù)元件160能夠依據(jù)絕緣基板11的厚度方向的低高度化而謀求小型化。

此外，作為發(fā)熱元件161，保護(hù)元件160能夠選擇并安裝各種部件，能夠使用發(fā)熱到適合于可熔導(dǎo)體13的熔斷的高溫的元件。

［變形例14］

圖20～圖22是改變了可熔導(dǎo)體的構(gòu)成的保護(hù)元件的變形例。

圖20a及圖20b所示的保護(hù)元件170，采用了對(duì)成為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層171的兩面，作為外層形成了高熔點(diǎn)金屬層172的3層結(jié)構(gòu)的可熔導(dǎo)體173?？扇蹖?dǎo)體173在構(gòu)成外層的高熔點(diǎn)金屬層172沿著長(zhǎng)邊方向形成有線狀的開(kāi)口部172a，從該開(kāi)口部172a露出低熔點(diǎn)金屬層171?？扇蹖?dǎo)體173通過(guò)使低熔點(diǎn)金屬層171從開(kāi)口部172a露出，增加熔化的低熔點(diǎn)金屬與高熔點(diǎn)金屬層172的接觸面積，進(jìn)一步促進(jìn)高熔點(diǎn)金屬層172的浸蝕作用而能夠提高熔斷性。高熔點(diǎn)金屬層172的開(kāi)口部172a，例如，能夠通過(guò)對(duì)低熔點(diǎn)金屬層171實(shí)施構(gòu)成高熔點(diǎn)金屬層172的金屬的局部鍍層而形成。

保護(hù)元件170除了取代可熔導(dǎo)體13而使用可熔導(dǎo)體173這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件10相同的構(gòu)成。再者，可熔導(dǎo)體173經(jīng)由焊錫等的低熔點(diǎn)金屬134，分別與設(shè)有ni/au鍍層52的電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16連接。此外，可熔導(dǎo)體173在高熔點(diǎn)金屬層172的表面上涂敷有助熔劑17。高熔點(diǎn)金屬層172能夠采用與上述的高熔點(diǎn)金屬層13a同樣的材料，并且低熔點(diǎn)金屬層171能夠采用與上述的低熔點(diǎn)金屬層13b同樣的材料來(lái)形成。

此外，可熔導(dǎo)體173也可以采用焊錫作為構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層171的金屬，在高熔點(diǎn)金屬層172的表面形成au或以au為主成分的被膜。由此，可熔導(dǎo)體173能夠進(jìn)一步提高構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層171的焊錫的濕潤(rùn)性，從而促進(jìn)浸蝕作用。

圖21a及圖21b所示的保護(hù)元件180采用在成為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層181的兩面作為外層形成了高熔點(diǎn)金屬層182的3層結(jié)構(gòu)的可熔導(dǎo)體183。可熔導(dǎo)體183在構(gòu)成外層的高熔點(diǎn)金屬層182遍及整個(gè)面而形成圓形的開(kāi)口部182a，從該開(kāi)口部182a露出低熔點(diǎn)金屬層181。

保護(hù)元件180的其他構(gòu)成與上述的保護(hù)元件170相同。此外，高熔點(diǎn)金屬層182的開(kāi)口部182a，能夠通過(guò)例如對(duì)低熔點(diǎn)金屬層181實(shí)施構(gòu)成高熔點(diǎn)金屬層182的金屬的局部鍍層而形成。

可熔導(dǎo)體183通過(guò)使低熔點(diǎn)金屬層181從開(kāi)口部182a露出，增加熔化的低熔點(diǎn)金屬與高熔點(diǎn)金屬層182的接觸面積，進(jìn)一步促進(jìn)高熔點(diǎn)金屬層182的浸蝕作用而能夠提高熔斷性。

此外，在可熔導(dǎo)體183中，作為構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層181的金屬使用焊錫，并且在高熔點(diǎn)金屬層182的表面形成au或以au為主成分的被膜也可。由此，可熔導(dǎo)體183進(jìn)一步提高構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層181的焊錫的濕潤(rùn)性，從而能夠促進(jìn)浸蝕作用。

圖22a及圖22b所示的保護(hù)元件190，采用在成為內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層191的兩面形成高熔點(diǎn)金屬層192作為外層的3層結(jié)構(gòu)的可熔導(dǎo)體193。可熔導(dǎo)體193在構(gòu)成外層的高熔點(diǎn)金屬層192，遍及長(zhǎng)邊方向而形成有多個(gè)過(guò)寬度方向的線狀的開(kāi)口部192a，從該開(kāi)口部192a露出低熔點(diǎn)金屬層191。

保護(hù)元件190的其他構(gòu)成，與上述的保護(hù)元件170相同。此外，高熔點(diǎn)金屬層192的開(kāi)口部192a能夠通過(guò)例如對(duì)低熔點(diǎn)金屬層191實(shí)施構(gòu)成高熔點(diǎn)金屬層192的金屬的局部鍍層而形成。

可熔導(dǎo)體193通過(guò)使低熔點(diǎn)金屬層191從開(kāi)口部192a露出，增加熔化的低熔點(diǎn)金屬和高熔點(diǎn)金屬層192的接觸面積，進(jìn)一步促進(jìn)高熔點(diǎn)金屬層的浸蝕作用而能夠提高熔斷性。

此外，在可熔導(dǎo)體193中，作為構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層191的金屬使用焊錫，并且在高熔點(diǎn)金屬層192的表面形成au或以au為主成分的被膜也可。由此，可熔導(dǎo)體193能夠進(jìn)一步提高構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層191的焊錫的濕潤(rùn)性，從而促進(jìn)浸蝕作用。

［變形例15］

圖23是改變可熔導(dǎo)體的構(gòu)成的保護(hù)元件的變形例。

圖23a及圖23b所示的保護(hù)元件200，采用上層配置低熔點(diǎn)金屬層201、下層形成有高熔點(diǎn)金屬層202的可熔導(dǎo)體203?？扇蹖?dǎo)體203經(jīng)由焊錫等的低熔點(diǎn)金屬204，分別與設(shè)有ni/au鍍層52的電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16連接。由此，可熔導(dǎo)體203在電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上，形成低熔點(diǎn)金屬204、高熔點(diǎn)金屬層202、低熔點(diǎn)金屬層201的3層結(jié)構(gòu)。

再者，可熔導(dǎo)體203在低熔點(diǎn)金屬層201的表面上涂敷有助熔劑17。此外，保護(hù)元件200除了代替可熔導(dǎo)體13而使用可熔導(dǎo)體203這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件10相同的構(gòu)成。此外，高熔點(diǎn)金屬層202能夠使用與上述的高熔點(diǎn)金屬層13a同樣的材料形成，低熔點(diǎn)金屬層201能夠使用與上述的低熔點(diǎn)金屬層13b同樣的材料形成。

保護(hù)元件200中，可熔導(dǎo)體203在電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上，呈現(xiàn)低熔點(diǎn)金屬204、高熔點(diǎn)金屬層202、低熔點(diǎn)金屬層201的3層結(jié)構(gòu)，因此在依據(jù)熔化的低熔點(diǎn)金屬204及低熔點(diǎn)金屬層201對(duì)高熔點(diǎn)金屬層202的浸蝕作用下，進(jìn)一步促進(jìn)電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上的熔化導(dǎo)體的凝集，能夠提高熔斷性。

此外，保護(hù)元件200能夠通過(guò)在低熔點(diǎn)金屬層201的表面層疊高熔點(diǎn)金屬層202的簡(jiǎn)易的工序形成可熔導(dǎo)體203。

此外，在可熔導(dǎo)體203中，作為構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層201的金屬使用焊錫，并且在高熔點(diǎn)金屬層202的表面形成au或以au為主成分的被膜也可。由此，可熔導(dǎo)體203進(jìn)一步提高構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬層201的焊錫的濕潤(rùn)性，從而能夠促進(jìn)浸蝕作用。

［變形例16］

圖24是改變了可熔導(dǎo)體的構(gòu)成的保護(hù)元件的變形例。

圖24a及圖24b所示的保護(hù)元件210，采用從最上層依次層疊第1高熔點(diǎn)金屬層211、第1低熔點(diǎn)金屬層212、第2高熔點(diǎn)金屬層213、第2低熔點(diǎn)金屬層214的4層結(jié)構(gòu)的可熔導(dǎo)體215?？扇蹖?dǎo)體215經(jīng)由第2低熔點(diǎn)金屬層214，分別與設(shè)有ni/au鍍層52的電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16連接。

再者，可熔導(dǎo)體215在第1高熔點(diǎn)金屬層211的表面上涂敷有助熔劑17。此外，保護(hù)元件210除了取代可熔導(dǎo)體13而使用可熔導(dǎo)體215這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件10相同的構(gòu)成。此外，第1、第2高熔點(diǎn)金屬層211、213能夠使用與上述的高熔點(diǎn)金屬層13a同樣的材料形成，第1、第2低熔點(diǎn)金屬層212、214能夠使用與上述的低熔點(diǎn)金屬層13b同樣的材料形成。

保護(hù)元件210在依據(jù)熔化的第1、第2低熔點(diǎn)金屬層212、214對(duì)第1、第2高熔點(diǎn)金屬層211、213的浸蝕作用下，進(jìn)一步促進(jìn)電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上的熔化導(dǎo)體的凝集，并且能夠提高發(fā)熱體引出電極16與電極12（a1）、12（a2）各部分之間的熔斷性。

此外，通過(guò)使最下層為第2低熔點(diǎn)金屬層214，能夠使該第2低熔點(diǎn)金屬層214兼有謀求對(duì)電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的連接的粘接劑層。再者，作為可熔導(dǎo)體，如果交互地層疊高熔點(diǎn)金屬層和低熔點(diǎn)金屬層，則保護(hù)元件210也可以使用4層以上的構(gòu)成。

［變形例17］

圖25是改變了可熔導(dǎo)體的構(gòu)成的保護(hù)元件的變形例。

圖25a及圖25b所示的保護(hù)元件220，使用僅由高熔點(diǎn)金屬層221構(gòu)成的單層的可熔導(dǎo)體222?？扇蹖?dǎo)體222經(jīng)由焊錫等的低熔點(diǎn)金屬223，分別與設(shè)有ni/au鍍層52的電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16連接。由此，可熔導(dǎo)體222在電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上，呈低熔點(diǎn)金屬223、高熔點(diǎn)金屬層221的2層結(jié)構(gòu)。

再者，可熔導(dǎo)體222在高熔點(diǎn)金屬層221表面上涂敷有助熔劑17。此外，保護(hù)元件220除了取代可熔導(dǎo)體13而使用可熔導(dǎo)體222這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件10相同的構(gòu)成。此外，高熔點(diǎn)金屬層221能夠使用與上述的高熔點(diǎn)金屬層13a同樣的材料形成，低熔點(diǎn)金屬223能夠使用與上述的低熔點(diǎn)金屬層13b同樣的材料形成。

由于可熔導(dǎo)體222在電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上，呈低熔點(diǎn)金屬223、高熔點(diǎn)金屬層221的2層結(jié)構(gòu)，所以保護(hù)元件220在依據(jù)熔化的低熔點(diǎn)金屬223的對(duì)高熔點(diǎn)金屬層221的浸蝕作用下，進(jìn)一步促進(jìn)電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上的熔化導(dǎo)體的凝集，從而能夠提高熔斷性。因此，低熔點(diǎn)金屬223優(yōu)選比可熔導(dǎo)體222的高熔點(diǎn)金屬層221更厚地形成。

此外，由于可熔導(dǎo)體222為高熔點(diǎn)金屬層221的單層結(jié)構(gòu)，保護(hù)元件220能以簡(jiǎn)易的工序形成。

再者，在可熔導(dǎo)體222中，作為構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬223的金屬使用焊錫，并且在高熔點(diǎn)金屬層221的表面形成au或以au為主成分的被膜也可。由此，可熔導(dǎo)體222進(jìn)一步提高構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬223的焊錫的濕潤(rùn)性，從而能夠促進(jìn)浸蝕作用。

［變形例18］

圖26是采用了多個(gè)可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例。

圖26所示的保護(hù)元件230，為了提高在大電流用途中的保護(hù)元件230的額定值，將可熔導(dǎo)體231進(jìn)行了大型化。在此，將可熔導(dǎo)體231大型化時(shí)，熔化時(shí)的熔化導(dǎo)體的體積變多，熔化導(dǎo)體遍及電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的各部分之間而凝集，有可能無(wú)法熔斷。

因此，在保護(hù)元件230中，分割為多個(gè)可熔導(dǎo)體的同時(shí)，在發(fā)熱體引出電極16上的可熔導(dǎo)體連接部16a的周邊形成絕緣層232。例如，保護(hù)元件230如圖26所示，設(shè)置第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b，提高整體的額定值。第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b從電極12（a1）經(jīng)過(guò)發(fā)熱體引出電極16而到電極12（a2），通過(guò)焊錫等的低熔點(diǎn)金屬233來(lái)連接。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b隔開(kāi)既定的距離而配置。

再者，第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b呈構(gòu)成內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層被構(gòu)成外層的高熔點(diǎn)金屬層包覆的層疊結(jié)構(gòu)，如圖22所示，經(jīng)由低熔點(diǎn)金屬233，連接到電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b也可設(shè)為低熔點(diǎn)金屬層和高熔點(diǎn)金屬層層疊的層疊結(jié)構(gòu)，經(jīng)由構(gòu)成下層的低熔點(diǎn)金屬層而連接到電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b也可設(shè)為僅高熔點(diǎn)金屬層的單層結(jié)構(gòu)，經(jīng)由低熔點(diǎn)金屬233而連接到電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b也可為這樣結(jié)構(gòu)：在構(gòu)成外層的高熔點(diǎn)金屬層設(shè)置開(kāi)口部，使構(gòu)成內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層露出于外方。

此外，保護(hù)元件230在發(fā)熱體引出電極16上的第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b間的區(qū)域形成有絕緣層232。絕緣層232用于防止因熔化的第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b彼此結(jié)合而導(dǎo)致的熔化導(dǎo)體的體積增大，可用公知的絕緣材料以公知的方法形成。

再者，可熔導(dǎo)體231在表面上涂敷有助熔劑（未圖示）。此外，保護(hù)元件230除了取代可熔導(dǎo)體13而使用多個(gè)可熔導(dǎo)體231這一點(diǎn)，以及在發(fā)熱體引出電極16的可熔導(dǎo)體連接部16a的周邊形成了絕緣層232這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件10相同的構(gòu)成。此外，可熔導(dǎo)體231，作為高熔點(diǎn)金屬層，可以用與上述的高熔點(diǎn)金屬層13a同樣的材料形成，作為低熔點(diǎn)金屬層，可以用與上述的低熔點(diǎn)金屬層13b同樣的材料形成。

如圖27所示，保護(hù)元件230在第1、第2可熔導(dǎo)體231a、231b熔化的情況下，也可以通過(guò)絕緣層232來(lái)防止順著發(fā)熱體引出電極16而結(jié)合熔化導(dǎo)體。因而，保護(hù)元件230在增加可熔導(dǎo)體231整體的體積而提高額定值的情況下，也能防止熔化導(dǎo)體順著發(fā)熱體引出電極16吸引到一方，遍及電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的各部分之間而凝集，無(wú)法熔斷的狀態(tài)，而能夠可靠地熔斷。

此外，保護(hù)元件230也可以在電極12（a1）、12（a2）的可熔導(dǎo)體連接部周邊也設(shè)置絕緣層232。由此，保護(hù)元件230能夠防止熔化導(dǎo)體順著電極12（a1）、12（a2）被吸引到一方，遍及電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的各部分之間而凝集，無(wú)法熔斷狀態(tài)。

再者，在可熔導(dǎo)體231中，具有低熔點(diǎn)金屬層和高熔點(diǎn)金屬層層疊的結(jié)構(gòu)的情況下，也可以作為構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬的金屬使用焊錫，并且在高熔點(diǎn)金屬層的表面形成au或以au為主成分的被膜。由此，可熔導(dǎo)體231進(jìn)一步提高構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬的焊錫的濕潤(rùn)性，能夠促進(jìn)浸蝕作用。

進(jìn)而，保護(hù)元件230如圖26所示，遍及電極12（a1）、12（a2）的長(zhǎng)邊方向而形成絕緣層235也可。絕緣層235用于防止熔化導(dǎo)體超過(guò)電極12（a1）、12（a2）而凝集在外部電極的情況，形成在電極12（a1）、12（a2）的可熔導(dǎo)體231的連接區(qū)域的外側(cè)。通過(guò)設(shè)置絕緣層235，如圖27所示，保護(hù)元件230使熔化導(dǎo)體凝集在電極12（a1）、12（a2）上，而不會(huì)流到外部電極。

［變形例19］

圖28是利用多個(gè)可熔導(dǎo)體的保護(hù)元件的變形例。

圖28所示的保護(hù)元件240與上述保護(hù)元件230同樣，為了提高在大電流用途中保護(hù)元件240的額定值，而將可熔導(dǎo)體241進(jìn)行了大型化。

保護(hù)元件240中，分割為多個(gè)可熔導(dǎo)體，并且具有將發(fā)熱體引出電極16上的可熔導(dǎo)體連接部16a的周邊形成為比該可熔導(dǎo)體連接部16a細(xì)的窄寬部242。例如，保護(hù)元件240如圖28所示，設(shè)置第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b，提高了整體的額定值。第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b從電極12（a1）經(jīng)過(guò)發(fā)熱體引出電極16而到電極12（a2），通過(guò)焊錫等的低熔點(diǎn)金屬243來(lái)連接。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b隔開(kāi)既定的距離而配置。

再者，第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b呈構(gòu)成內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層被構(gòu)成外層的高熔點(diǎn)金屬層包覆的層疊結(jié)構(gòu)，如圖28所示，經(jīng)由低熔點(diǎn)金屬243，連接到電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b也可以設(shè)為低熔點(diǎn)金屬層和高熔點(diǎn)金屬層層疊的層疊結(jié)構(gòu)，并經(jīng)由構(gòu)成下層的低熔點(diǎn)金屬層而連接到電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b也可以設(shè)為僅高熔點(diǎn)金屬層的單層結(jié)構(gòu)，并經(jīng)由低熔點(diǎn)金屬連接到電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16上。此外，第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b也可為這樣的結(jié)構(gòu)：在構(gòu)成外層的高熔點(diǎn)金屬層設(shè)置開(kāi)口部，使構(gòu)成內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層面臨外方。

此外，保護(hù)元件240在發(fā)熱體引出電極16上的第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b間的區(qū)域，形成有比可熔導(dǎo)體連接部16a細(xì)的窄寬部242。窄寬部242用于防止熔化的第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b彼此結(jié)合而導(dǎo)致的熔化導(dǎo)體的體積增大，通過(guò)以既定圖案印刷、燒成而形成發(fā)熱體引出電極16。此外，窄寬部242也可以通過(guò)在發(fā)熱體引出電極16上設(shè)置絕緣層而形成。

此外，可熔導(dǎo)體241在表面上涂敷有助熔劑（未圖示）。此外，保護(hù)元件240除了取代可熔導(dǎo)體13而使用多個(gè)可熔導(dǎo)體241這一點(diǎn)，以及在發(fā)熱體引出電極16的可熔導(dǎo)體連接部16a的周邊形成了窄寬部242這一點(diǎn)之外，具有與上述的保護(hù)元件10相同的構(gòu)成。此外，可熔導(dǎo)體241，作為高熔點(diǎn)金屬層，能夠使用與上述的高熔點(diǎn)金屬層13a同樣的材料形成，作為低熔點(diǎn)金屬層，能夠使用與上述的低熔點(diǎn)金屬層13b同樣的材料形成。

如圖29所示，保護(hù)元件240在第1、第2可熔導(dǎo)體241a、241b熔化的情況下，也不會(huì)流入窄寬部242而向?qū)挾却蟮目扇蹖?dǎo)體連接部16a凝集，能防止順著發(fā)熱體引出電極16結(jié)合熔化導(dǎo)體的情況。因而，保護(hù)元件240在增加可熔導(dǎo)體241整體的體積而提高額定值的情況下，也能防止熔化導(dǎo)體順著發(fā)熱體引出電極16被吸引到一方，遍及電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的各分部之間而凝集，無(wú)法熔斷的狀態(tài)，而能夠可靠地熔斷。

再者，保護(hù)元件240也可以在電極12（a1）、12（a2）的可熔導(dǎo)體連接部周邊也設(shè)置窄寬部242。由此，保護(hù)元件240能夠防止熔化導(dǎo)體順著電極12（a1）、12（a2）而被吸引到一方，遍及電極12（a1）、12（a2）及發(fā)熱體引出電極16的各部分之間而凝集，無(wú)法熔斷的狀態(tài)。

此外，在可熔導(dǎo)體241中，具有低熔點(diǎn)金屬層和高熔點(diǎn)金屬層層疊的結(jié)構(gòu)的情況下，也可以作為構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬的金屬使用焊錫，并且在高熔點(diǎn)金屬層的表面形成au或以au為主成分的被膜。由此，可熔導(dǎo)體203進(jìn)一步提高構(gòu)成低熔點(diǎn)金屬的焊錫的濕潤(rùn)性，從而能夠促進(jìn)浸蝕作用。

進(jìn)而，在保護(hù)元件240中，如圖28所示，也可以遍及電極12（a1）、12（a2）的長(zhǎng)邊方向而形成絕緣層245。絕緣層245用于防止熔化導(dǎo)體超過(guò)電極12（a1）、12（a2）而凝集在外部電極的情況，形成在電極12（a1）、12（a2）的可熔導(dǎo)體241的連接區(qū)域的外側(cè)。通過(guò)設(shè)置絕緣層245，如圖29所示，保護(hù)元件240中熔化導(dǎo)體凝集在電極12（a1）、12（a2）上，而不會(huì)流到外部電極。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

10，40，50，60，70，80，90，100，110，120，130，140，150，160，170，180，190，200，210，220，230，240保護(hù)元件；11，41絕緣基板；12（a1），12（a2），42電極；13，91，121可熔導(dǎo)體；13a，43a，91a，121a高熔點(diǎn)金屬層；13b，43b，91b，121b，121c低熔點(diǎn)金屬層；14，44發(fā)熱體；15，45絕緣部件；16發(fā)熱體引出電極；17，47助熔劑；18（p1），18（p2），48發(fā)熱體電極；20電池組；20a正極端子；20b負(fù)極端子；21～24電池單元；25電池堆；26檢測(cè)電路；27，31，32電流控制元件；30充放電控制電路；33控制部；35充電裝置；41a玻璃層；51滯留部；52ni/au鍍層；61開(kāi)口；92低熔點(diǎn)金屬層；93鍍層；95導(dǎo)電性膏；132蓋部件。