本發(fā)明涉及電感元件裝置，具體涉及一種環(huán)形電感及其制造方法。

背景技術：

電容與電感的組合使用常見于電源供應器或電源轉換器的濾波電路之中。舉例而言，當市電所提供的一交流電輸入一電源供應器之后，該交流電會先經(jīng)過扼流線圈(choke coil)與電容濾波以濾除高頻雜波及干擾信號；接著，經(jīng)過整流與濾波之后，所述交流電便會被轉換為一高壓直流電。如長期涉及電源供應器開發(fā)與制造的工程師所熟知的，配合開關電路與變壓器之使用，所述高壓直流電會變轉換成具有特定電壓值的一高頻脈動直流電。最終，經(jīng)由輸出濾波電路濾除高頻交流部分后，則電源供應器提供相對純凈的直流電至相關電子產(chǎn)品。

請參閱圖1，系顯示習知的一種扼流線圈的立體圖。如圖1所示，習知的扼流線圈1’可被應用為共模電感(common mode inductor)，其系于結構上包括：一環(huán)形鐵芯(annular ferrite core)11’與一線圈12’。請同時參閱圖2，系顯示頻率響應圖。其中，圖2的量測資料系來自于具有所述扼流線圈1’的一電源供應器。值得注意的是，頻率響應圖內(nèi)并沒有顯示該電源供應器的輸出增益變化曲線，僅有顯示扼流線圈1’的阻抗變化。長期涉及電源供應器開發(fā)與制造的工程師可以透過圖2發(fā)現(xiàn)，扼流線圈1’在頻率885.82kHz表現(xiàn)出明顯的寄生電容效應。并且，當頻率高于11.27MHz之后，扼流線圈1’則隨著頻率的上升而交互地表現(xiàn)出電感特性與高頻電容效應；本案的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)扼流線圈1’在高頻的寄生電容效應會導致電源供應器的輸出增益超出正常設定范圍。

請參閱圖3，系顯示習知的扼流線圈的上視圖。如圖3所示，一般的系采用順反繞的繞線方式，將一導線纏繞至環(huán)形鐵芯11’之上以形成線圈12’。特別說明的是，圖3所示的A點與B點分別為順繞的起始點與結束點，而C點與D點分別為反繞的起始點與結束點。請繼續(xù)參閱圖4，系顯示線間電壓差與繞線點的關系圖。其中，圖4中所標示的“d’”表示為線間距離，ΔV(d’)則為以線間距離為變量的一線間電壓差函數(shù)。如圖4所示，順繞的結束點B與反繞的起始點C之間系顯示出最小的線間電壓差(minimumΔV_1’)，而順繞的起始點A與反繞的結束點D之間系顯示出最大的線間電壓差(maximumΔV_N/2’)；其余順繞的繞線點與反繞的繞線點之間則形成離散的線間電壓差。

本案的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，以順反繞的繞線方式所制成的扼流線圈1’會具有離散的線間電壓差；并且，當扼流線圈1’通電之后，這些離散的線間電壓差會伴生出相應的線間電容。圖2的量測資料顯示，這些線間電容會使得扼流線圈1’于高頻下，寄生電容效應特別明顯，進而導致電源供應器的輸出增益超出正常設定范圍。

由此可知，如何改變扼流線圈1’的繞線方式以消除該些離散的線間電壓差成為非常重要的課題。有鑒于此，本案之發(fā)明人系極力地研究與發(fā)明，并終于研發(fā)完成本發(fā)明之一種環(huán)形電感及其制造方法。

技術實現(xiàn)要素：

針對上述問題，本發(fā)明旨在提供一種環(huán)形電感及其制造方法。

為實現(xiàn)所述技術目的，本發(fā)明的方案是：一種環(huán)形電感，一環(huán)形鐵芯，具有一第一繞線區(qū)塊與一第二繞線區(qū)塊；以及

一導線，纏繞于所述環(huán)形鐵芯之上，以于環(huán)形鐵芯之上形成具有一總匝數(shù)的主線圈；其中，所述導線包括：

一第一導線部，具有自所述導線之一中心處至所述導線之一第一端處的導線長度，纏繞于所述第一繞線區(qū)塊，且具有一第一匝數(shù)；及

一第二導線部，系具有自所述導線之所述中心處至所述導線之一第二端處的導線長度，纏繞于所述第二繞線區(qū)塊，且具有一第二匝數(shù)；

其中，所述總匝數(shù)為第一匝數(shù)與所述第二匝數(shù)的合，且所述第一匝數(shù)與所述第二匝數(shù)相等。

作為優(yōu)選，還包括設于所述環(huán)形鐵芯的至少一隔離件，用以于所述環(huán)形鐵芯隔出所述第一繞線區(qū)塊與所述第二繞線區(qū)塊，其中，所述隔離件為一絕緣體。

作為優(yōu)選，所述第一導線部以及所述第二導線部各具有一預留導線部，分別自所述第一端處以及第二端處延伸而出，并突出所述環(huán)形鐵芯。

作為優(yōu)選，所述第一導線部向下等距纏繞于所述第一繞線區(qū)塊，再向上拉一距離，重新向下等距纏繞于所述第一繞線區(qū)塊；所述第二導線部向下等距纏繞于所述第二繞線區(qū)塊，再向上拉一距離，重新向下等距纏繞于所述第二繞線區(qū)塊。

作為優(yōu)選，所述第一導線部向下等距纏繞第一層于所述第一繞線區(qū)塊，再向上拉一距離，疊在第一層之上，重新向下等距纏繞于所述第一繞線區(qū)塊；所述第二導線部向下等距纏繞第一層于所述第二繞線區(qū)塊，再向上拉一距離，疊在第一層之上，重新向下等距纏繞于所述第二繞線區(qū)塊。

作為優(yōu)選，所述第一導線部以及所述第二導線部各纏繞復數(shù)層。

作為優(yōu)選，所述第一導線部以及所述第二導線部每層所纏繞的圈數(shù)相同。

作為優(yōu)選，所述第一導線部以及所述第二導線部的纏繞方向相反。

一種制造方法，包括以下步驟：

(1)區(qū)別環(huán)形鐵芯的第一繞線區(qū)塊以及第二繞線區(qū)塊；

(2)以導線的所述中心處作為對稱點，并沿著一第一方向將導線的第一導線部纏繞于第一繞線區(qū)塊之上，形成第一匝數(shù)；

(3)以導線的所述中心處作為對稱點，并沿著與所述第一方向相反的一第二方向，將導線的第二導線部纏繞于第二繞線區(qū)塊之上，形成與第一匝數(shù)相同的第二匝數(shù)。

作為優(yōu)選，所述步驟(2)系包括以下細部步驟：

(21)以導線的中心處作為對稱點，并沿著所述第一方向將第一導線部的第一子導線部纏繞于第一繞線區(qū)塊之上，以于第一繞線區(qū)塊之上形成一第一子線圈；

(22)以第一導線部的第一繞線起始點作為一第一起點，并沿著所述第一方向將第一導線部的第二子導線部纏繞于第一繞線區(qū)塊之上，以于第一繞線區(qū)塊之上形成一第二子線圈。第二子線圈疊在第一子線圈之上。

作為優(yōu)選，所述步驟(3)系包括以下細部步驟：

(31)以導線的中心處作為對稱點，并沿著所述第二方向將第二導線部的第三子導線部纏繞于第二繞線區(qū)塊之上，以于第二繞線區(qū)塊之上形成一第三子線圈；

(32)以第二導線部的第二繞線起始點作為一第二起點，并沿著所述第二方向將第二導線部的第四子導線部纏繞于第二繞線區(qū)塊之上，以于第二繞線區(qū)塊之上形成一第四子線圈。

作為優(yōu)選，所述第一子線圈包括復數(shù)條第一環(huán)形導線，所述第二子線圈系包括復數(shù)條第二環(huán)形導線，任兩條第一環(huán)形導線之間系介入有一條第二環(huán)形導線；所述第三子線圈包括復數(shù)條第三環(huán)形導線，所述第四子線圈系包括復數(shù)條第四環(huán)形導線，任兩條第三環(huán)形導線之間系介入有一條第四環(huán)形導線。

本發(fā)明的有益效果，本發(fā)明不同于傳統(tǒng)上采用順-反式繞法將導線纏繞于環(huán)形鐵芯之上容易導致扼流線圈于高頻下，寄生電容效應特別明顯，本發(fā)明特別以一導線的中心處作為該對稱點，然后沿著第一方向與第一方向將導線的第一導線部與第二導線部分別纏繞于一環(huán)形鐵芯的一第一繞線區(qū)塊與一第二繞線區(qū)塊之上，藉此方式獲得所述降低線間離散電壓差的環(huán)形電感。即使由導線繞于環(huán)形鐵芯之上的線圈仍具有線間電壓差，該線間電壓差為一平均分布電壓差，本發(fā)明的環(huán)形電感于高頻下仍可抑制寄生電容效應。

附圖說明

圖1系顯示習知的一種扼流線圈的立體圖；

圖2系顯示頻率響應圖；

圖3系顯示習知的扼流線圈的上視圖；

圖4系顯示線間電壓差與繞線點的關系圖；

圖5系顯示本發(fā)明之一種降低線間離散電壓差的環(huán)形電感的正面視圖；

圖6系顯示導線的正面視圖；

圖7系顯示第一導線部的正面視圖；

圖8系顯示第二導線部的正面視圖；

圖9系顯示一種用以制造環(huán)形電感的方法流程圖；

圖10A至圖10D系顯示示意性制造流程圖；

圖11系顯示本發(fā)明之環(huán)形電感的上視圖；

圖12系顯示線間電壓差與繞線點的關系圖；

圖13系顯示量測資料。

附圖符號說明：

1環(huán)形電感 11環(huán)形鐵芯 12導線 111第一繞線區(qū)塊

112第二繞線區(qū)塊 121第一導線部 122第二導線部

W₀中心處 E₁第一端處 E₂第二端處

W_E1第一繞線終止點 W_S1第一繞線起始點

1211第一子導線部 1212第二子導線部

W_E2第二繞線終止點 W_S2第二繞線起始點

1221第三子導線部 1222第四子導線部 13隔離件

1213第一中介導線部 1223第二中介導線部

1214第一預留導線部 1224第二預留導線部

1215第三預留導線部 1225第四預留導線部

S1-S3方法步驟

CW_d1第一方向 CW_d2第二方向

P₁第一子導線部的繞線起始點 P₂第一子導線部的繞線結束點

P₃第二子導線部的繞線起始點 P₄第二子導線部的繞線結束點

d線間距離

ΔV(d)線間電壓差函數(shù) ΔV₁線間電壓差 ΔV_N/2線間電壓差

1’扼流線圈 11’環(huán)形鐵芯 12’線圈

A順繞的起始點 B順繞的結束點

C反繞的起始點 D反繞的結束點 D’線間距離

ΔV(d’)線間電壓差函數(shù)

ΔV_1’最小的線間電壓差 ΔV_N/2’最大的線間電壓差

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明做進一步詳細說明。

請參閱圖5，系顯示本發(fā)明之一種降低線間離散電壓差的環(huán)形電感的正面視圖。如圖5所示，本發(fā)明之一種環(huán)形電感1系于結構上包括：一環(huán)形鐵芯11以及一導線12；其中，環(huán)形鐵芯11系特別規(guī)劃出一第一繞線區(qū)塊111與一第二繞線區(qū)塊112。另一方面，導線12系纏繞于該環(huán)形鐵芯11之上，以于環(huán)形鐵芯11之上形成具有總匝數(shù)為N的一主線圈。

繼續(xù)地參閱圖5，并請同時參閱圖6，系顯示導線的正面視圖。如圖5與圖6所示，該導線12系包括一第一導線部121與一第二導線部122；其中，該第一導線部121系具有自該導線12之一中心處W₀至該導線12之一第一端處E₁的導線長度。并且，所述第一導線部121系纏繞于該第一繞線區(qū)塊111之上，以于該第一繞線區(qū)塊111之上形成具有一第一匝數(shù)的一第一線圈。另一方面，該第二導線部122系具有自該導線12之該中心處W₀至該導線12之一第二端處E₂的導線長度。并且，所述第二導線部122系纏繞于該第二繞線區(qū)塊112之上，以于該第二繞線區(qū)塊112之上形成具有一第二匝數(shù)的一第二線圈。值得說明的是，第一線圈與第二線圈共同組成所述繞線匝數(shù)為N的主線圈，并且該第一匝數(shù)與該第二匝數(shù)皆為N/2。

接續(xù)上述，在本發(fā)明中，該導線12具有相同線徑，并有該第一導線部121等距纏繞于該第一繞線區(qū)塊111，該第二導線部122等距纏繞于該第二繞線區(qū)塊112；如果此纏繞方式的圈數(shù)不足，則該第一導線部121向下等距纏繞于該第一繞線區(qū)塊111，再向上拉一距離，重新向下等距纏繞于該第一繞線區(qū)塊111，同樣的，該第二導線部122向下等距纏繞于該第二繞線區(qū)塊112，再向上拉一距離，重新向下等距纏繞于該第二繞線區(qū)塊112。如此，可形成多層，相互交叉、堆棧的態(tài)樣，一般來說，每層的圈數(shù)相同，但不侷限于此。為了清楚說明纏繞方式，圖式并未以多層表示。另外，由于本發(fā)明采用同一條導線，所以該第一導線部121以及該第二導線部122的纏繞方向相反。

以下介紹本發(fā)明的一實施方式。請再同時參閱圖5與圖6，并請同時參閱圖7，系顯示第一導線部的正面視圖。如圖所示，吾人可于第一導線部121之上預先規(guī)劃有一第一繞線終止點W_E1與一第一繞線起始點W_S1，其中該第一繞線終止點W_E1系介于該中心處W₀與該第一端處E₁之間，且該第一繞線起始點W_S1系介于該第一繞線終止點W_E1與該第一端處E₁之間。如此設計，則可于第一導線部121之上進一步地區(qū)分出一第一子導線部1211與一第二子導線部1212。如圖7所示，該第一子導線部1211系具有自該中心處W₀至該第一繞線終止點W_E1的導線長度，且該第二子導線部1212系具有自該第一繞線起始點W_S1至該第一端處E₁的導線長度。請再同時參閱圖5與圖6，并請同時參閱圖8，系顯示第二導線部的正面視圖。如圖所示，吾人可于第二導線部122之上預先規(guī)劃有一第二繞線終止點W_E2與一第二繞線起始點W_S2，其中該第二繞線終止點W_E2系介于該中心處W₀與該第二端處E₂之間，且該第二繞線起始點W_S2系介于該第二繞線終止點W_E2與該第二端處E₂之間。如此設計，則可于第二導線部122之上進一步地區(qū)分出一第三子導線部1221與一第四子導線部1222。如圖8所示，該第三子導線部1221系具有自該中心處W₀至該第二繞線終止點W_E2的導線長度，且該第四子導線部1222系具有自該第二繞線起始點W_S2至該第二端處E₂的導線長度。

如圖5、圖6、圖7、與圖8所示，為了利于分別形成第一線圈與第二線圈于該第一繞線區(qū)塊111與該第二繞線區(qū)塊112之上，本發(fā)明特別于該環(huán)形鐵芯11之上增設至少一隔離件13，且該隔離件13為一絕緣體。如此設置，則所述第一導線部121之第一子導線部1211與第二子導線部1212可分別于第一繞線區(qū)塊111之上繞出用以組成所述第一線圈的一第一子線圈與一第二子線圈，且該第一子線圈與該第二子線圈的繞線匝述皆為N/4。另一方面，所述第二導線部122之第三子導線部1221與第四子導線部1222則分別于第二繞線區(qū)塊112之上繞出用以組成所述第二線圈的一第三子線圈與一第四子線圈，且該第三子線圈與該第四子線圈的繞線匝述皆為N/4。

如圖5、圖7與圖8所示，為了使得第一子導線部1211與第二子導線部1212能夠精準地于第一繞線區(qū)塊111繞出第一子線圈與第二子線圈，可于導線12的第一導線部121之上預先規(guī)劃一第一中介導線部1213；其中，第一中介導線部1213系具有自該第一繞線終止點W_E1至該第一繞線起始點W_S1的導線長度。同樣地，為了使得第三子導線部1221與第四子導線部1222能夠精準地于第二繞線區(qū)塊112繞出第三子線圈與第四子線圈，可于導線12的第二導線部122之上預先規(guī)劃一第二中介導線部1223；其中，該第二中介導線部1223系具有自該第第二繞線終止點W_E2至該第第二繞線起始點W_S2的導線長度。值得注意的是，為了利于本發(fā)明之環(huán)形電感1焊接于一電路板之上，該第一導線部121之上又特別規(guī)劃有自該第一端處E1延伸而出的一第一預留導線部1214；并且，該第二導線部122之上也同樣規(guī)劃有自該第二端處E₂延伸而出的一第二預留導線部1224，皆突出該環(huán)形鐵芯11。

上述說明已經(jīng)完整、清楚地揭示本發(fā)明之一種降低線間離散電壓差的環(huán)形電感1的結構組成。接著，將繼續(xù)說明如何利用導線12于環(huán)形電感1的第一繞線區(qū)塊111與第二繞線區(qū)塊112之上繞出匝數(shù)為N/2第一線圈與第二線圈。請參閱圖9，系顯示一種用以制造環(huán)形電感的方法流程圖。如圖9所示，此制造方法包括3個主要步驟。為了更有利于理解此制造方法，請同時參閱圖10A至圖10D所顯示的示意性制造流程圖。如圖9、圖10A、圖10B、與圖10C所示，制造方法系首先執(zhí)行步驟(S1)：區(qū)別環(huán)形鐵芯11的第一繞線區(qū)塊以及第二繞線區(qū)塊；接著，系執(zhí)行步驟(S2)：以該導線12的該中心處W₀作為一對稱點，并沿著一第一方向CW_d1將該導線12的該第一導線部121纏繞于該第一繞線區(qū)塊111之上，形成第一匝數(shù)。完成步驟(S2)之后，如圖9與圖10D所示，該制造方法系接著執(zhí)行步驟(S3)：以該導線12的該中心處W₀作為該對稱點，并沿著一第二方向CW_d2將該導線12的該第二導線部122纏繞于該第二繞線區(qū)塊112之上，形成第二匝數(shù)。

完成步驟(S3)之后即可獲得如圖5所示之不具線間離散電壓差的環(huán)形電感1。值得注意的是，比較圖10B與圖10D可以發(fā)現(xiàn)，所述第一方向CW_d1與第二方向CW_d2為同向；并且，所稱“同向”意指第一線圈與第二線圈的繞線方向都是由靠近對稱點(即中心處W₀)的部分至環(huán)形電感1的焊接線(亦即第一端處E₁與第二端處E₂)的方向。以第一導線部121而言，所述靠近中心處W₀的部分指的是第三預留導線部1215；并且，以第二導線部122而言，所述靠近中心處W₀的部分指的是第三預留導線部1225。當然，若依照時鐘方向定義，第一方向CW_d1與第二方向CW_d2則分別為順時鐘方向與逆時鐘方向。

完成步驟(S3)之后，如圖5所示，由導線12的第一導線部121所組成的第一線圈系纏繞于第一繞線區(qū)塊111之上；并且，透過隔離件13之分隔，由導線12的第二導線部122所組成的第二線圈系纏繞于第二繞線區(qū)塊112之上。請再同時參閱圖5、圖7與圖10A-圖10D的制造流程圖。雖然步驟(S2)說明沿著第一方向CW_d1將第一導線部121纏繞于該第一繞線區(qū)塊111之上，便能夠于該第一繞線區(qū)塊111之上形成所述第一線圈；然而，于實際的執(zhí)行上，系必須首先地以導線12的中心處W₀作為第一次的繞線起點，然后沿著第一方向CW_d1將該第一導線部121的該第一子導線部1211纏繞于該第一繞線區(qū)塊111之上，以于該第一繞線區(qū)塊111之上形成繞線匝數(shù)為N/4的一第一子線圈；接著，再以第一子導線部1211的第一繞線起始點W_S1作為第二次的繞線起點，并沿著該第一方向CW_d1將該第一導線部121的該第二子導線部1212纏繞于該第一繞線區(qū)塊111之上，以于該第一繞線區(qū)塊111之上形成繞線匝數(shù)為N/4的一第二子線圈。完成上述步驟之后，則第一子線圈與第二子線圈組成所述第一線圈。

請再同時參閱圖5、圖8與圖10A-圖10D的制造流程圖。雖然步驟(S3)說明沿著第二方向CW_d2將第二導線部122纏繞于該第二繞線區(qū)塊112之上，便能夠于該第二繞線區(qū)塊112之上形成所述第二線圈；然而，于實際的執(zhí)行上，系必須首先地以導線12的中心處W₀作為第一次的繞線起點，然后沿著該第二方向CW_d2將該第二導線部122的該第三子導線部1221纏繞于該第二繞線區(qū)塊112之上，以于該第二繞線區(qū)塊112之上形成繞線匝數(shù)為N/4的一第三子線圈；接著，再以第二子導線部1221的該第二繞線起始點W_S2作為第二次的繞線起點，并沿著該第二方向CW_d2將該第二導線部122的該第四子導線部1222纏繞于該第二繞線區(qū)塊112之上，以于該第二繞線區(qū)塊111之上形成繞線匝數(shù)為N/4的一第二子線圈。完成上述步驟之后，則第三子線圈與第四子線圈組成所述第二線圈。

必須補充說明的是，此制造方法之技術重點在于：以導線12的中心處W₀作為該對稱點，然后分別沿著第一方向CW_d1與第二方向CW_d2將導線12的第一導線部121與第二導線部122分別纏繞于環(huán)形鐵芯11的第一繞線區(qū)塊111與第二繞線區(qū)塊112之上，藉此方式獲得降低線間離散電壓差的環(huán)形電感1?；谶@個技術精神，本案發(fā)明并不限制第一子線圈、第二子線圈、第三子線圈、與第四子線圈的形成順序。舉例而言，于執(zhí)行制造方法之時，吾人系可以先完成第一子線圈與第三子線圈之繞制，接著再完成第二子線圈與第四子線圈之繞制。當然，也可以先完成第一子線圈與第二子線圈之繞制，然后再完成第三子線圈與第四子線圈之繞制。

本發(fā)明的繞制方式可有不同應用，繞制第二子線圈的時候可令任兩條第一環(huán)形導線之間介入有一條第二環(huán)形導線。同樣地，由于第三子線圈包括復數(shù)條第三環(huán)形導線且第四子線圈包括復數(shù)條第四環(huán)形導線，因此繞制第四子線圈的時候可令任兩條第三環(huán)形導線之間介入有一條第四環(huán)形導線。

上述說明已經(jīng)完整、清楚地揭示本發(fā)明之降低線間離散電壓差的環(huán)形電感1及其制造方法；接著，以下將透過實驗資料證實本發(fā)明之環(huán)形電感1的確可以改善習知的環(huán)形電感之線間離散電壓差。請參閱圖11，系顯示本發(fā)明之環(huán)形電感的上視圖。如圖7、圖8與圖11所示，本發(fā)明系以導線12的中心處W₀作為第一次的繞線起點，然后沿著第一方向CW_d1將第一子導線部1211繞于第一繞線區(qū)塊111之上；接著，再以所述第一繞線起始點W_S1作為第二次的繞線起點，進而將第二子導線部1212繞于第一繞線區(qū)塊111之上；如此便可于第一繞線區(qū)塊111之上形成繞線匝數(shù)為N/2的第一線圈。特別說明的是，圖11所示的P₁點與P₂點分別為第一子導線部1211的繞線起始點與結束點，而P₃點與P₄點則分別第二子導線部1212的繞線起始點與結束點。請繼續(xù)參閱圖12，系顯示線間電壓差與繞線點的關系圖。其中，圖12中所標示的“d”表示為線間距離，ΔV(d)則為以線間距離為變量的一線間電壓差函數(shù)。如圖12所示，第一子導線部1211的繞線起始點P₁與第二子導線部1212的繞線起始點P₃之間系顯示出一線間電壓差(ΔV₁)，而第一子導線部1211的繞線結束點P₂與第二子導線部1212的繞線結束點P₄之間系顯示出一線間電壓差(ΔV_N/2)。其中，由于線間電壓差ΔV₁的值是相同于線間電壓差ΔV_N/2的值，因此，即使由導線12繞于環(huán)形鐵芯11之上的線圈仍具有線間電壓差，該線間電壓差為一平均分布電壓差，降低本發(fā)明之環(huán)形電感1于于高頻下的寄生電容效應。

圖13的量測資料顯示，本發(fā)明之環(huán)形電感1僅于頻率2.4MHz附近才表現(xiàn)出高頻電容效應，并且在頻率42MHz以后，所述高頻電容效應即消失。因此，圖13的量測資料系證實本發(fā)明之環(huán)形電感1的確可以改善由線間離散電壓差所導致的寄生電容效應。

如此，上述系已完整且清楚地說明本發(fā)明之降低線間離散電壓差的環(huán)形電感及其制造方法，經(jīng)由上述，可以得知本發(fā)明之優(yōu)點：不同于傳統(tǒng)上采用順-反式繞法將導線12’纏繞于環(huán)形鐵芯11’之上容易導致扼流線圈1’于高頻下表現(xiàn)出電容效應(如圖3所示)，本發(fā)明特別以一導線12的中心處W₀作為該對稱點，然后沿著第一方向CW_d1與第一方向CW_d2將導線12的第一導線部121與第二導線部122分別纏繞于一環(huán)形鐵芯11的一第一繞線區(qū)塊111與一第二繞線區(qū)塊112之上，藉此方式獲得環(huán)形電感1。

以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何細微修改、等同替換和改進，均應包含在本發(fā)明技術方案的保護范圍之內(nèi)。