本發(fā)明涉及電氣元件領(lǐng)域，具體而言，涉及一種變壓器及控制驅(qū)動系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

以碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件，開關(guān)速度不斷提高，已經(jīng)逐漸成熟并大規(guī)模進(jìn)入市場；另一方面，傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體器件，例如功率晶體管、絕緣刪型場效應(yīng)管等也不斷通過結(jié)構(gòu)和工藝的優(yōu)化獲得更高的開關(guān)速度。

更高的開關(guān)速度意味著控制驅(qū)動系統(tǒng)需要耐受更高的共模電壓變化速率。在控制驅(qū)動系統(tǒng)中，通過變壓器傳輸信號時(shí)，高共模電壓變化速率容易引起由位移電流導(dǎo)致的錯(cuò)誤信號，造成系統(tǒng)失效或者誤操作。

現(xiàn)有技術(shù)中，變壓器往往通過引入副邊屏蔽結(jié)構(gòu)來避免位移電流流入變壓器的副邊線圈，通過消除電耦合的方式減小位移電流在副邊線圈產(chǎn)生的歐姆壓降。然而，位移電流同時(shí)也流經(jīng)變壓器的主邊線圈，從而在主邊線圈產(chǎn)生信號。該信號通過主邊線圈與副邊線圈之間的磁耦合耦合到副邊線圈，同樣會引發(fā)副邊線圈接收到干擾的信號。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種變壓器及控制驅(qū)動系統(tǒng)，以改善現(xiàn)有的變壓器的信號由于主邊線圈與副邊線圈之間的磁耦合，引發(fā)副邊線圈接收到干擾信號的不足。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供如下技術(shù)方案：

一種變壓器，包括：主邊線圈、主邊屏蔽結(jié)構(gòu)、副邊線圈以及副邊屏蔽結(jié)構(gòu)，所述副邊線圈設(shè)置于與所述主邊線圈對應(yīng)的位置，所述主邊屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述主邊線圈與所述副邊線圈之間，所述副邊屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述主邊屏蔽結(jié)構(gòu)與所述副邊線圈之間，所述主邊線圈的一端與所述主邊屏蔽結(jié)構(gòu)連接，所述副邊線圈的一端與所述副邊屏蔽結(jié)構(gòu)連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種控制驅(qū)動系統(tǒng)，包括上述的變壓器。

本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器及控制驅(qū)動系統(tǒng)的有益效果為：

本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器及控制驅(qū)動系統(tǒng)包括主邊線圈、主邊屏蔽結(jié)構(gòu)、副邊線圈以及副邊屏蔽結(jié)構(gòu)。副邊線圈設(shè)置于與主邊線圈對應(yīng)的位置，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于主邊線圈與副邊線圈之間，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于主邊屏蔽結(jié)構(gòu)與副邊線圈之間。主邊線圈與主邊屏蔽結(jié)構(gòu)連接，副邊線圈與副邊屏蔽結(jié)構(gòu)連接，共模電壓產(chǎn)生的位移電流可以直接從發(fā)射器流入主邊屏蔽結(jié)構(gòu)，位移電流在流經(jīng)主邊屏蔽結(jié)構(gòu)時(shí)產(chǎn)生的磁場較小，因此幾乎不會通過磁耦合的方式將干擾信號傳遞到副邊線圈。本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器與現(xiàn)有的變壓器相比，能夠顯著減弱共模電壓產(chǎn)生的干擾信號，從而提高變壓器的共模瞬態(tài)抑制(Common Mode Transient Immunity)。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器的示意性結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器的部分結(jié)構(gòu)的剖面圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器的等效電路圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器的主邊屏蔽結(jié)構(gòu)的一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器的主邊屏蔽結(jié)構(gòu)的另一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器的主邊屏蔽結(jié)構(gòu)的再一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)實(shí)體圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例。基于本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

詳情請參見圖1，圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器100，該變壓器100包括主邊線圈110、主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120、副邊線圈130以及副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140。

主邊線圈110為螺旋形金屬導(dǎo)線，具體可以為單層的螺旋形結(jié)構(gòu)。主邊線圈110的線圈形狀以及匝數(shù)可根據(jù)具體實(shí)施需要的電感和電阻值確定，在本實(shí)施例中不做限定。主邊線圈110的兩端與發(fā)射器電路連接，發(fā)射器電路在主邊線圈110中產(chǎn)生變化的電流以產(chǎn)生交變的磁通。

副邊線圈130為螺旋形金屬導(dǎo)線，副邊線圈130設(shè)置為與主邊線圈110縱向?qū)R。優(yōu)選地，主邊線圈110在縱向的投影與副邊線圈130在縱向的投影大致重合。副邊線圈130的線圈形狀以及匝數(shù)可根據(jù)實(shí)際的實(shí)施需求確定，在本實(shí)施例中不做限定。副邊線圈130的兩端與接收器電路連接。

主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120設(shè)置于主邊線圈110以及副邊線圈130之間，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120可以為至少一層金屬層組成的薄片狀結(jié)構(gòu)。上述的金屬層具體可以為帶有多個(gè)開口和縫隙的金屬薄片結(jié)構(gòu)。主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與主邊線圈110的一端連接，具體地，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與主邊線圈110的一端交流共地。

主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的屏蔽范圍為主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120在垂直方向的投影。優(yōu)選地，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的屏蔽范圍與主邊線圈110的輪廓大致相同。優(yōu)選的，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)和主邊線圈在縱向上的重疊面積占主邊線圈面積的60％以上。

副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140設(shè)置于主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120以及副邊線圈130之間，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140可以為至少一層金屬層組成的片狀結(jié)構(gòu)。上述的金屬層具體可以為帶有多個(gè)開口和縫隙的金屬薄片結(jié)構(gòu)。副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140與副邊線圈130的一端連接，具體地，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140與副邊線圈130交流共地。

副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140的屏蔽范圍為副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140在垂直方向的投影。優(yōu)選地，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140的屏蔽范圍與副邊線圈130的輪廓大致相同。

主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120設(shè)置于主邊線圈110與副邊線圈130之間，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140設(shè)置于主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與副邊線圈130之間，即主邊線圈110、主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120、副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140以及副邊線圈130依次縱向堆疊。

詳情請參見圖2，主邊線圈110與主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120之間還設(shè)置有第一介質(zhì)層150，優(yōu)選地，主邊線圈110與主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120可以通過設(shè)置于第一介質(zhì)層150中的連接部180連接。副邊線圈130與副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140之間還設(shè)置有第三介質(zhì)層170，優(yōu)選地，副邊線圈130與副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140可以通過設(shè)置于第三介質(zhì)層170中的連接部180連接。主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140之間設(shè)置有第二介質(zhì)層160。第二介質(zhì)層160可耐受主邊與副邊之間的高電壓差，起到隔離的作用。主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140通過第二介質(zhì)層160形成主邊與副邊之間的寄生耦合電容。副邊線圈130設(shè)置于襯底190的表面，即形成自下而上依次包含副邊線圈130、副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140、主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120、和主邊線圈110的變壓器?？蛇x的，也可以將主邊線圈110置于襯底190的表面，將副邊線圈130置于變壓器100的頂部；從而形成自上而下依次包含副邊線圈130、副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140、主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120、和主邊線圈110的變壓器。

詳情請參見圖3，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器100的對瞬態(tài)共模電壓相應(yīng)的等效電路圖。

主邊線圈110的漏電感為L_k，由于位移電流在主邊線圈上分布的不均勻性形成的等效電阻為R_np，變壓器100的磁化電感為L_M，主邊線圈110的線圈等效為L_p。與主邊線圈110連接的發(fā)射器電路等效為電壓源111以及內(nèi)阻R_t。電壓源112的輸出電壓表示共模電壓V_cm。共模電壓V_cm產(chǎn)生的位移電流為I_p1+I_p2。

由于位移電流在副邊線圈130上分布的不均勻性形成的電阻為R_ns，副邊線圈130的線圈等效為Ls。與副邊線圈130連接的接收器電路等效為解碼電路131和MOS管132，接收器電路接收到的電壓為V_r。

主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與耦合電容C_i1、C_i2的一端相連，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140與耦合電容C_i1、C_i2的另一端相連。

當(dāng)發(fā)射器電路的電位(即電壓源112的電位)發(fā)生瞬態(tài)改變時(shí)，會產(chǎn)生較高的共模電壓V_cm，由于主邊線圈110與主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120相連，即主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120將耦合電容C_i1和C_i2在主邊線圈110的一端與發(fā)射器保持交流共地，所以由共模電壓V_cm產(chǎn)生的位移電流I_p1+I_p2不再流經(jīng)主邊線圈110的線圈，而是直接從發(fā)射器的地電位流入主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120中，再經(jīng)由主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120流入耦合電容C_i1和C_i2。流經(jīng)耦合電容C_i1的位移電流I_p1以及流經(jīng)耦合電容C_i2的位移電流I_p2流過副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140后流入地端。

位移電流I_p1+I_p2主要流向主邊屏蔽結(jié)構(gòu)，而很少流經(jīng)主邊線圈。而流過主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的電流產(chǎn)生的磁場較小，所以幾乎不會通過磁場耦合將共模電壓V_cm產(chǎn)生的干擾信號傳遞到副邊線圈130。增加主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120后，共模電壓由于磁耦合而產(chǎn)生的干擾信號可以被顯著減弱。而副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140用于避免位移電流流入變壓器100的副邊線圈130，通過消除電耦合的方式減小位移電流在副邊線圈130產(chǎn)生的歐姆壓降。故在共模電壓V_cm產(chǎn)生的干擾信號中，由位移電流流經(jīng)副邊線圈130產(chǎn)生的歐姆壓降，由副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140通過消除電耦合的方式減??；由位移電流流經(jīng)主邊線圈110產(chǎn)生的變化磁場，由主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120通過將位移電流引導(dǎo)至主邊屏蔽結(jié)構(gòu)的方式減??；因此共模電壓V_cm產(chǎn)生干擾信號的兩部分均可以被顯著減弱，提高了變壓器100的共模瞬態(tài)抑制(Common Mode Transient Immunity)。

為了有效的屏蔽磁耦合產(chǎn)生的變化磁場，應(yīng)盡量減少主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120中渦流的產(chǎn)生以及使主邊屏蔽結(jié)構(gòu)的電感小于主邊線圈的電感。

具體的，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120為具有縫隙和多個(gè)開口的金屬層，由多個(gè)金屬薄片相連而形成。金屬薄片之間具有縫隙，使得渦流無法通過從而達(dá)到抑制渦流的技術(shù)效果。優(yōu)選的，金屬薄片可以包括與接地點(diǎn)相連的第一主干部，還可以包括與第一主干部相連的第一分支部。

具體的，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的電感應(yīng)當(dāng)小于主邊線圈110的電感。即從主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120上任一點(diǎn)到主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的接地點(diǎn)對應(yīng)的電流路徑所具有的電感應(yīng)當(dāng)小于主邊線圈110的電感。優(yōu)選的，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的電感小于主邊線圈110電感的30％。

本申請中，可以通過把主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120設(shè)計(jì)為如下結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。

詳情請參見圖4，圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器100的主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的一種具體實(shí)施方式。

主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120包括至少一個(gè)帶有開口的弧形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中以兩個(gè)弧形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為例。主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120包括第一主干部121，第一主干部121的弧形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是帶有開口的第一圓環(huán)部1211以及帶有開口的第二圓環(huán)部1212，第二圓環(huán)部1212的直徑小于第一圓環(huán)部1211的直徑。第一圓環(huán)部1211與第二圓環(huán)部1212連接。第一圓環(huán)部1211的開口可以與第二圓環(huán)部1212的開口相對應(yīng)，也可以不對應(yīng)，第一圓環(huán)部1211的開口位置以及第二圓環(huán)部1212的開口位置不應(yīng)該理解為是對本發(fā)明的限制。

第一圓環(huán)部1211為帶有開口的圓環(huán)形金屬薄片，開口將第一圓環(huán)部1211分為兩端，第一圓環(huán)部1211的兩端中的至少一端為自由端，即不與主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的其他部分相連接。

第二圓環(huán)部1212同樣也是帶有開口的圓環(huán)形金屬薄片，開口將第二圓環(huán)部1212分為兩端，第二圓環(huán)部1212的兩端中的至少一端為自由端，即不與主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的其他部分相連接。主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120中第一圓環(huán)部1211以及第二圓環(huán)部1212的縱向投影大致覆蓋了主邊線圈110重疊的范圍。

如圖4所示，該第一主干部121與主邊線圈110交流共地的A點(diǎn)相連接，從而與A點(diǎn)具有相同的電位。由于主邊線圈110為螺旋形金屬線圈，而主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120為帶有開口的圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所以該主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120的任何一點(diǎn)(如圖4中的B點(diǎn))到A點(diǎn)之間的電流通路對應(yīng)的電感量小于主邊線圈110的電感量。因此，位移電流在流過主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120時(shí)，在副邊線圈130產(chǎn)生的干擾信號，小于位移電流流過主邊線圈110時(shí)，在副邊線圈130產(chǎn)生的干擾信號。即主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與副邊線圈130之間的磁耦合小于主邊線圈110與副邊線圈130之間的磁耦合。

同時(shí)由于第一圓環(huán)部1211以及第二圓環(huán)部1212均帶有開口，故有利于減小主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120中渦流的形成，不影響變壓器100正常工作時(shí)產(chǎn)生的磁場。

詳情請參見圖5，圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器100的主邊屏蔽結(jié)構(gòu)220的另一種具體實(shí)施方式。

主邊屏蔽結(jié)構(gòu)220還包括與第一主干部221連接的多個(gè)第一分支部222。如圖5所示，第一主干部221為帶有開口的圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬薄片，即第一主干部221不包含閉合環(huán)，第一分支部222為條形金屬薄片，多個(gè)第一分支部222之間具有一定的間隙。這些間隙通過破壞渦流的路徑達(dá)到抑制渦流的效果。

多個(gè)第一分支部222均可以與圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)環(huán)連接，并且多個(gè)第一分支部222均可以向圓環(huán)狀結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)延伸。主邊屏蔽結(jié)構(gòu)220的第一主干部221以及第一分支部222的縱向投影大致覆蓋與主邊線圈110重疊的范圍。

如圖5所示，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)220與主邊線圈110交流共地點(diǎn)為A1點(diǎn)，那么，該主邊屏蔽結(jié)構(gòu)220的任意一點(diǎn)(例如圖5中的B1點(diǎn))到A1點(diǎn)之間的電流通路對應(yīng)的電感量小于主邊線圈110的電感量。因此，位移電流在流過主邊屏蔽結(jié)構(gòu)220時(shí)，在副邊線圈130產(chǎn)生的干擾信號，小于位移電流流過主邊線圈110時(shí)，在副邊線圈130產(chǎn)生的干擾信號。即主邊屏蔽結(jié)構(gòu)220與副邊線圈130之間的磁耦合小于主邊線圈110與副邊線圈130之間的磁耦合。

詳情請參見圖6，圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器100的主邊屏蔽結(jié)構(gòu)320的再一種具體實(shí)施方式。

如圖6所示，第一主干部321為呈放射狀延伸的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例以包括四條薄片的十字型片狀結(jié)構(gòu)為例。多個(gè)第一分支部322均為條狀結(jié)構(gòu)。多個(gè)第一分支部322之間具有一定的間隙。這些間隙通過破壞渦流的路徑達(dá)到抑制渦流的效果。

多個(gè)第一分支部322均與第一主干部321連接，且向遠(yuǎn)離第一主干部321的方向延伸。主邊屏蔽結(jié)構(gòu)320的第一主干部321以及第一分支部322的縱向投影大致覆蓋與主邊線圈110重疊的范圍。

如圖6所示，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)320與主邊線圈110交流共地點(diǎn)為A2點(diǎn)，該主邊屏蔽結(jié)構(gòu)320的任意一點(diǎn)(例如圖6中的B2點(diǎn))到A2點(diǎn)之間的電流通路對應(yīng)的電感量小于主邊線圈110的電感量。因此，位移電流在流過主邊屏蔽結(jié)構(gòu)320時(shí)，在副邊線圈130產(chǎn)生的干擾信號，小于位移電流流過主邊線圈110時(shí)，在副邊線圈130產(chǎn)生的干擾信號。即主邊屏蔽結(jié)構(gòu)320與副邊線圈130之間的磁耦合小于主邊線圈110與副邊線圈130之間的磁耦合。

副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140包括第二主干部以及與第二主干部相連接的第二分支部。第二分支部的數(shù)量也可以為多個(gè)，第二主干部與第二分支部組成的圖形可以與第一主干部121與第一分支部122組成的圖形類似，也可以由其他的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。只要滿足副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140的形狀為不閉合的開環(huán)結(jié)構(gòu)，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140的具體類型不應(yīng)該理解為是對本發(fā)明的限制。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種控制驅(qū)動系統(tǒng)，包括上述的變壓器100。

本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器100及控制驅(qū)動系統(tǒng)包括主邊線圈110、主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120、副邊線圈130以及副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140。副邊線圈130設(shè)置于與主邊線圈110對應(yīng)的位置，主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120設(shè)置于主邊線圈110與副邊線圈130之間，副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140設(shè)置于主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120與副邊線圈130之間。主邊線圈110與主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120連接，副邊線圈130與副邊屏蔽結(jié)構(gòu)140連接，共模電壓產(chǎn)生的位移電流可以直接從發(fā)射器流入主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120，位移電流在流經(jīng)主邊屏蔽結(jié)構(gòu)120時(shí)產(chǎn)生的磁場較小，因此幾乎不會通過磁耦合的方式將干擾信號傳遞到副邊線圈130。本發(fā)明實(shí)施例提供的變壓器100與現(xiàn)有的變壓器100相比，能夠顯著減弱共模電壓產(chǎn)生的干擾信號，從而提高變壓器100的共模瞬態(tài)抑制(Common Mode Transient Immunity)。

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，上面結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行了清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。

因此，以上對在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時(shí)慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本發(fā)明的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。