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晶片的清洗方法與流程

文檔序號:11521806閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種晶片的清洗方法。[課題]提供在表面具有凹凸圖案的晶片的制造方法中用于改善容易誘發(fā)圖案傾塌的清洗工序的清洗方法。[解決方法]所述清洗方法是表面具有凹凸圖案的晶片的清洗方法,其至少具有以下工序:用清洗液(8)清洗上述晶片(1)的工序;用拒水性化學(xué)溶液(9)置換在清洗后保持于晶片(1)的凹部(4)的清洗液(8)的工序;干燥晶片(1)的工序,上述清洗液(8)包含80質(zhì)量%以上的沸點為55~200℃的溶劑,通過使上述置換的工序中供給的拒水性化學(xué)溶液(9)的溫度為40℃以上且低于該拒水性化學(xué)溶液(9)的沸點,從而至少使上述凹部表面拒水化。

技術(shù)研發(fā)人員:公文創(chuàng)一;齋尾崇;荒田忍;齋藤真規(guī);七井秀壽;赤松佳則
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中央硝子株式會社
技術(shù)研發(fā)日:2011.12.20
技術(shù)公布日:2017.08.18
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