本發(fā)明涉及一種太陽能電池或其組件，具體說是一種晶體硅太陽能電池及其制備方法。
背景技術(shù)：
隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，能源的需求也日益增大。在傳統(tǒng)的石化能源不斷消耗的同時(shí)，能源的可持續(xù)發(fā)展性及其使用時(shí)環(huán)保問題也逐漸受到大家關(guān)注。太陽能作為一種無污染、價(jià)格低廉且?guī)缀跤弥唤叩男履茉?，近年來深受廣大人們的青睞。光伏發(fā)電是直接利用太陽的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的一種太陽能利用手段，其原理是基于半導(dǎo)體PN結(jié)的光伏特效應(yīng)，當(dāng)大于禁帶寬度的光照射到晶體硅太陽能電池表面時(shí)，硅片內(nèi)部原子會(huì)吸收光子從而變成激發(fā)狀態(tài)，形成電子-空穴對。由于內(nèi)電場的作用，空穴會(huì)向P型襯底方向移動(dòng)，而電子則向P型襯底方向移動(dòng)，并使太陽能電池上表面會(huì)積累大量負(fù)電荷，而電池下表面則有大量正電荷積累，從而在P-N結(jié)構(gòu)兩端形成電勢差。當(dāng)P-N結(jié)兩端沉積電極連接到外電路時(shí)，回路中就會(huì)產(chǎn)生電流供用電器使用，實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換。
然而，傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池背面通常是采用鋁背場形成P+作用，以阻止少數(shù)載流子向背表面遷移。但隨著硅片厚度的逐漸減薄，少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度可能接近甚至大于硅片的厚度，部份少數(shù)載流子將會(huì)擴(kuò)散到電池背面而產(chǎn)生復(fù)合。該復(fù)合現(xiàn)象會(huì)造成長波響應(yīng)光吸收減少，對電池轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生嚴(yán)重的不良影響。目前的解決方式是在電池背面鍍一層鈍化介質(zhì)膜，以將減少背面復(fù)合電流，從而降低復(fù)合損失。但上述結(jié)構(gòu)的太陽能電池背面需要通過激光切割開孔引出電流，在開孔過程中激光會(huì)對晶體硅板造成熱損傷及使硅片產(chǎn)生晶界位錯(cuò)現(xiàn)象，導(dǎo)致太陽能電池出現(xiàn)復(fù)合電流逐漸增大的情況。因此，如何提高光能與電能之間的轉(zhuǎn)換效率，一直是太陽能電池制造領(lǐng)域的重大技術(shù)難題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可提高光電轉(zhuǎn)換效率、且易于加工的晶體硅太陽能電池。
本發(fā)明的另一目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種工藝簡單的制備上述晶體硅太陽能電池的方法。
本發(fā)明的發(fā)明目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述晶體硅太陽能電池包括具有緊密連接的P層和N層的電池體，N層的表面上設(shè)有三角形絨面層，P層遠(yuǎn)離N層的一側(cè)處設(shè)有鋁背場，P層和N層上分別設(shè)有正電極和背電極，P層上設(shè)有至少兩個(gè)均勻分布的鈍化層，相鄰鈍化層之間設(shè)有硼摻雜層。
進(jìn)一步說，鈍化層為緊密相連的氧化鋁層和氮化硅層。
本發(fā)明還提供一種制備上述晶體硅太陽能電池的方法，該方法的步驟如下：
步驟1：利用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行腐蝕性清洗和制絨，使硅片表面形成三角形絨面并實(shí)施擴(kuò)散；
步驟2：對硅片背面進(jìn)行拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)處理；
步驟3：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟4：通過化學(xué)蒸汽薄膜沉積使硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：通過旋轉(zhuǎn)涂擦機(jī)在步驟5中的氮化硅薄膜處均勻涂擦丙三醇硼源；
步驟7：在步驟6中的丙三醇硼源處進(jìn)行激光開孔，使開孔處出現(xiàn)重硼摻雜；
步驟8：利用去離子水清洗硅片，以去除殘余硼源；
步驟9：把硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)成型。
進(jìn)一步說，步驟1中的強(qiáng)酸為氫氟酸或氯化氫，強(qiáng)堿為氫氧化鈉。
進(jìn)一步說，步驟2中硅片刻蝕時(shí)的刻蝕劑為硝酸和氫氟酸混合物，硝酸和氫氟酸的摩爾比為3:(11-1)，拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)等過程的傳輸以帶式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，傳輸速度為1.5-2.5m/min。
進(jìn)一步說，步驟3的氮化硅薄膜厚度為70-140nm。
進(jìn)一步說，步驟4的氧化鋁薄膜的厚度為10-30nm。
進(jìn)一步說，步驟5的氮化硅薄膜厚度為80-130nm。
進(jìn)一步說，步驟6中的丙三醇硼源為硼酸飽和溶解于丙三醇內(nèi)的混合物，硼原子含量為3X1021-3.5X1021atoms/cm3。
進(jìn)一步說，步驟7中重硼摻雜面積占氧化鋁薄膜面積的2％-16％。
本發(fā)明對現(xiàn)有技術(shù)的晶體硅太陽能電池進(jìn)行改進(jìn)，其優(yōu)點(diǎn)如下：
1、本發(fā)明的晶體硅太陽能電池中，采用了鈍化層和硼摻雜層的復(fù)合結(jié)構(gòu)。鈍化層可有效降低硅片的表面態(tài)，并使硅分子內(nèi)的懸掛鏈飽和，鈍化層的設(shè)置可大幅降低硅片的表面活性，減慢硅片表面的少數(shù)載流子的復(fù)合速度，改善了太陽能電池的性能。而硼摻雜層的設(shè)置則使激光在鈍化層開膜過程中形成重硼摻雜的分子結(jié)構(gòu)，除了可有效減少激光對硅片的熱損傷外，還能抑制硅片在激光激發(fā)下產(chǎn)生晶界位錯(cuò)現(xiàn)象，真正形成了P++層，從而減少了載流子的復(fù)合速度，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
2、本發(fā)明的晶體硅太陽能電池中，鈍化層由氧化鋁層和氮化硅層緊密相連而成。首先，氧化鋁自身有極其優(yōu)異的鈍化特性，在摻雜性硅片表面的熱穩(wěn)定性極佳，所以對絲網(wǎng)印刷的太陽能電池具備很好的保護(hù)作用。并且氧化鋁薄膜對可見光波段的光完全透明，并且其與硅片表面的接觸界面上具有較高的固定負(fù)電荷密度，通過屏蔽硅片表面少數(shù)載流子而實(shí)現(xiàn)場效應(yīng)鈍化。其次，氮化硅能在太陽能電池表面形成減少光線反射量的膜體，鈍化硅片中的雜質(zhì)和缺陷的電活性，從而減慢電池表面的復(fù)合速度，并增加少數(shù)載流子的壽命，以改善太陽能電池性能。
3、本發(fā)明的晶體硅太陽能電池采用二次沉積法進(jìn)行制備，并采用涂擦覆蓋的方式使丙三醇硼源進(jìn)入激光開膜區(qū)域。首先，二次沉積法可保障氮化硅和氧化鋁在各自沉積成膜過程中不會(huì)出現(xiàn)互相干擾的情況，從而保證了兩種薄膜的界面穩(wěn)定性和各自都有的鈍化特性。其次，通過涂擦的方式把硼源覆蓋于激光開膜處。當(dāng)利用激光進(jìn)行開膜操作時(shí)，其首先接觸硼源并使硼源在激光的接觸處出現(xiàn)擴(kuò)散現(xiàn)象，然后在硅片上形成具有P++特性的重硼摻雜層。硼源的引入可有效減少激光對硅片的熱損傷和晶界位錯(cuò)，從而杜絕硅片表面因缺陷和雜質(zhì)導(dǎo)致其出現(xiàn)復(fù)合速度加快的現(xiàn)象。
附圖說明
附圖1為本發(fā)明最佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中，P層1、N層2、絨面層21、鋁背場11、正電極22、背電極12、鈍化層3、氧化鋁層31、氮化硅層32、硼摻雜層4。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的晶體硅太陽能電池主要包括電池體，電池體由P層1和N層2緊密相連而成，其中N層2面向陽光，P層1則處于N層2背面。N層2的表面上具有三角形的絨面層21，其可對照射在N層2上的陽光產(chǎn)生漫反射作用，以提高N層2對光線的吸收效率。P層1和N層2上分別設(shè)有正電極22和背電極12，正電極22和背電極12分別與外界電路電連接，其可把太陽能電池經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后產(chǎn)生的電流引導(dǎo)至外界。P層1遠(yuǎn)離N層2的一側(cè)處設(shè)有鋁背場11，其用于降低硅片上的少數(shù)載流子在背面的復(fù)合概率。而P層1上設(shè)有至少兩個(gè)均勻分布的鈍化層3，相鄰鈍化層3之間設(shè)有硼摻雜層4。利用鈍化層3和硼摻雜層4的復(fù)合結(jié)構(gòu)，減慢了硅片表面的少數(shù)載流子的復(fù)合速度，從而改善太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明的鈍化層3采用氧化鋁層31和氮化硅層32緊密相連的方式實(shí)現(xiàn)，利用氧化鋁層31和氮化硅層32各自的鈍化特性，減慢了硅片表面的復(fù)合速度，并提高少數(shù)載流子的壽命，從而提高太陽能電池的壽命。
本發(fā)明晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟：
步驟1：利用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行腐蝕性清洗和制絨，使硅片表面形成三角形絨面并實(shí)施擴(kuò)散；
步驟2：對硅片背面進(jìn)行拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)處理；
步驟3：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟4：通過化學(xué)蒸汽薄膜沉積使硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：通過旋轉(zhuǎn)涂擦機(jī)在步驟5中的氮化硅薄膜處均勻涂擦丙三醇硼源；
步驟7：在步驟6中的丙三醇硼源處進(jìn)行激光開孔，使開孔處出現(xiàn)重硼摻雜；
步驟8：利用去離子水清洗硅片，以去除殘余硼源；
步驟9：把硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)成型。
其中，步驟1中的強(qiáng)酸可采用氫氟酸或氯化氫，而強(qiáng)堿可采用氫氧化鈉。氫氟酸、氯化氫或氫氧化鈉均具有強(qiáng)腐蝕性，其可對硅片表面的雜質(zhì)進(jìn)行快速溶解。氯化氫具有較強(qiáng)的反應(yīng)活性，其與大多數(shù)有機(jī)物可以產(chǎn)生溶解反應(yīng)，因而其對雜質(zhì)和污垢的溶解性能十分優(yōu)異。而氫氟酸和氫氧化鈉均可與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并通過溶解作用能在硅片上形成三角形的絨面層21。
步驟2中硅片刻蝕時(shí)的刻蝕劑可采用硝酸和氫氟酸混合物，硝酸和氫氟酸的摩爾比為3:(11-1)，而拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)等過程的傳輸以帶式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，傳輸速度為1.5-2.5m/min。硝酸和氫氟酸均為強(qiáng)酸，其可與硅板中的硅原子發(fā)生反應(yīng)。而利用帶式傳動(dòng)實(shí)施拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)，則可實(shí)現(xiàn)上述工序的自動(dòng)化操作，節(jié)省大量的勞動(dòng)力。
步驟3的氮化硅薄膜厚度為70-140nm；步驟4的氧化鋁薄膜的厚度為10-30nm；步驟5的氮化硅薄膜厚度為80-130nm。上述厚度除了可保障薄膜在硅片上的長時(shí)間使用外，其針對不同的硅片厚度還能取得優(yōu)異的屏蔽效果，從而改善太陽能電池的性能。
步驟6中的丙三醇硼源為硼酸飽和溶解于丙三醇內(nèi)的混合物，硼原子含量為3X1021-3.5X1021atoms/cm3。首先，利用有機(jī)溶劑對硼酸進(jìn)行飽和溶解，可使硼源在鈍化層3上形成性能均勻的穩(wěn)定硼化環(huán)境，從而有效減少激光對硅片的影響。其次，硼源中硼原子的含量為3-3.5X1021atoms/cm3，該含量可保障硼原子在激光開膜激發(fā)下的排列密度，并提高激光照射邊沿處的硼摻雜強(qiáng)度達(dá)到P++。重硼摻雜層4的形成可減少激光對硅片的熱損傷和晶界位錯(cuò)，降低硅片邊界處的接觸電阻，有利于硅片對長波光的吸收，并杜絕硅片表面因缺陷和雜質(zhì)導(dǎo)致其出現(xiàn)復(fù)合速度加快的現(xiàn)象。
步驟7中重硼摻雜面積占氧化鋁薄膜面積的2％-16％，上述面積的比例可保證太陽能電池內(nèi)部電流導(dǎo)出的穩(wěn)定性，并保持鈍化層3對硅片表面少數(shù)載流子的復(fù)合速度，以改善太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換性能。
事實(shí)上，上述制備方法的實(shí)施只需要在現(xiàn)有的太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備上增加丙三醇硼源涂擦設(shè)備即可，并增加丙三醇硼源制劑的添加，因而其容易實(shí)現(xiàn)、且加工成本較低。
通過對本發(fā)明的晶體硅太陽能電池進(jìn)行測試，本發(fā)明的晶體硅太陽能電池與市面上的太陽能電池比較，其開路電壓提高了3-10mV，串阻減少了0.04-0.2mΩ，電池效率提高了0.2％-0.5％。
下面對本發(fā)明制備晶體硅太陽能電池方法的各個(gè)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，但并不因此把本發(fā)明限制在所述實(shí)施例范圍內(nèi)：
實(shí)施例1
本發(fā)明晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟：
步驟1：利用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行腐蝕性清洗和制絨，使硅片表面形成三角形絨面并實(shí)施擴(kuò)散；
步驟2：對硅片背面進(jìn)行拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)處理；
步驟3：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟4：通過化學(xué)蒸汽薄膜沉積使硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：通過旋轉(zhuǎn)涂擦機(jī)在步驟5中的氮化硅薄膜處均勻涂擦丙三醇硼源；
步驟7：在步驟6中的丙三醇硼源處進(jìn)行激光開孔，使開孔處出現(xiàn)重硼摻雜；
步驟8：利用去離子水清洗硅片，以去除殘余硼源；
步驟9：把硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)成型。
其中，步驟1中的強(qiáng)酸為氫氟酸，而強(qiáng)堿為氫氧化鈉。
步驟2中硅片刻蝕時(shí)的刻蝕劑可采用硝酸和氫氟酸混合物，硝酸和氫氟酸的摩爾比為3:11，而拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)等過程的傳輸以帶式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，傳輸速度為1.5m/min。
步驟3的氮化硅薄膜厚度為70nm；步驟4的氧化鋁薄膜的厚度為10nm；步驟5的氮化硅薄膜厚度為80nm。
步驟6中的丙三醇硼源為硼酸飽和溶解于丙三醇內(nèi)的混合物，硼原子含量為3.5X1021atoms/cm3。
步驟7中重硼摻雜面積占氧化鋁薄膜面積的16％。
通過對本發(fā)明的晶體硅太陽能電池進(jìn)行測試，本發(fā)明的晶體硅太陽能電池與市面上的太陽能電池比較，其開路電壓提高了10mV，串阻減少了0.2mΩ，電池效率提高了0.5％。
實(shí)施例2
本發(fā)明晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟：
步驟1：利用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行腐蝕性清洗和制絨，使硅片表面形成三角形絨面并實(shí)施擴(kuò)散；
步驟2：對硅片背面進(jìn)行拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)處理；
步驟3：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟4：通過化學(xué)蒸汽薄膜沉積使硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：通過旋轉(zhuǎn)涂擦機(jī)在步驟5中的氮化硅薄膜處均勻涂擦丙三醇硼源；
步驟7：在步驟6中的丙三醇硼源處進(jìn)行激光開孔，使開孔處出現(xiàn)重硼摻雜；
步驟8：利用去離子水清洗硅片，以去除殘余硼源；
步驟9：把硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)成型。
其中，步驟1中的強(qiáng)酸為氫氟酸，而強(qiáng)堿為氫氧化鈉。
步驟2中硅片刻蝕時(shí)的刻蝕劑可采用硝酸和氫氟酸混合物，硝酸和氫氟酸的摩爾比為3:1，而拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)等過程的傳輸以帶式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，傳輸速度為2.5m/min。
步驟3的氮化硅薄膜厚度為140nm；步驟4的氧化鋁薄膜的厚度為30nm；步驟5的氮化硅薄膜厚度為130nm。
步驟6中的丙三醇硼源為硼酸飽和溶解于丙三醇內(nèi)的混合物，硼原子含量為3X1021atoms/cm3。
步驟7中重硼摻雜面積占氧化鋁薄膜面積的2％。
通過對本發(fā)明的晶體硅太陽能電池進(jìn)行測試，本發(fā)明的晶體硅太陽能電池與市面上的太陽能電池比較，其開路電壓提高了3mV，串阻減少了0.04mΩ，電池效率提高了0.2％。
實(shí)施例3
本發(fā)明晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟：
步驟1：利用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行腐蝕性清洗和制絨，使硅片表面形成三角形絨面并實(shí)施擴(kuò)散；
步驟2：對硅片背面進(jìn)行拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)處理；
步驟3：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟4：通過化學(xué)蒸汽薄膜沉積使硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：通過旋轉(zhuǎn)涂擦機(jī)在步驟5中的氮化硅薄膜處均勻涂擦丙三醇硼源；
步驟7：在步驟6中的丙三醇硼源處進(jìn)行激光開孔，使開孔處出現(xiàn)重硼摻雜；
步驟8：利用去離子水清洗硅片，以去除殘余硼源；
步驟9：把硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)成型。
其中，步驟1中的強(qiáng)酸為氯化氫，而強(qiáng)堿為氫氧化鈉。
步驟2中硅片刻蝕時(shí)的刻蝕劑可采用硝酸和氫氟酸混合物，硝酸和氫氟酸的摩爾比為3:4，而拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)等過程的傳輸以帶式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，傳輸速度為1.7m/min。
步驟3的氮化硅薄膜厚度為85nm；步驟4的氧化鋁薄膜的厚度為15nm；步驟5的氮化硅薄膜厚度為90nm。
步驟6中的丙三醇硼源為硼酸飽和溶解于丙三醇內(nèi)的混合物，硼原子含量為3.4X1021atoms/cm3。
步驟7中重硼摻雜面積占氧化鋁薄膜面積的12％。
通過對本發(fā)明的晶體硅太陽能電池進(jìn)行測試，本發(fā)明的晶體硅太陽能電池與市面上的太陽能電池比較，其開路電壓提高了7mV，串阻減少了0.16mΩ，電池效率提高了0.4％。
實(shí)施例4
本發(fā)明晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟：
步驟1：利用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行腐蝕性清洗和制絨，使硅片表面形成三角形絨面并實(shí)施擴(kuò)散；
步驟2：對硅片背面進(jìn)行拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)處理；
步驟3：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟4：通過化學(xué)蒸汽薄膜沉積使硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：通過旋轉(zhuǎn)涂擦機(jī)在步驟5中的氮化硅薄膜處均勻涂擦丙三醇硼源；
步驟7：在步驟6中的丙三醇硼源處進(jìn)行激光開孔，使開孔處出現(xiàn)重硼摻雜；
步驟8：利用去離子水清洗硅片，以去除殘余硼源；
步驟9：把硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)成型。
其中，步驟1中的強(qiáng)酸為氯化氫，而強(qiáng)堿為氫氧化鈉。
步驟2中硅片刻蝕時(shí)的刻蝕劑可采用硝酸和氫氟酸混合物，硝酸和氫氟酸的摩爾比為3:7，而拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)等過程的傳輸以帶式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，傳輸速度為1.9m/min。
步驟3的氮化硅薄膜厚度為100nm；步驟4的氧化鋁薄膜的厚度為20nm；步驟5的氮化硅薄膜厚度為100nm。
步驟6中的丙三醇硼源為硼酸飽和溶解于丙三醇內(nèi)的混合物，硼原子含量為3.3X1021atoms/cm3。
步驟7中重硼摻雜面積占氧化鋁薄膜面積的8％。
通過對本發(fā)明的晶體硅太陽能電池進(jìn)行測試，本發(fā)明的晶體硅太陽能電池與市面上的太陽能電池比較，其開路電壓提高了5mV，串阻減少了0.12mΩ，電池效率提高了0.3％。
實(shí)施例5
本發(fā)明晶體硅太陽能電池的制備方法包括如下步驟：
步驟1：利用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿對硅片表面進(jìn)行腐蝕性清洗和制絨，使硅片表面形成三角形絨面并實(shí)施擴(kuò)散；
步驟2：對硅片背面進(jìn)行拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)處理；
步驟3：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片正面形成氮化硅薄膜；
步驟4：通過化學(xué)蒸汽薄膜沉積使硅片背面形成氧化鋁薄膜；
步驟5：通過等離子體化學(xué)氣相沉積使硅片背面形成氮化硅薄膜；
步驟6：通過旋轉(zhuǎn)涂擦機(jī)在步驟5中的氮化硅薄膜處均勻涂擦丙三醇硼源；
步驟7：在步驟6中的丙三醇硼源處進(jìn)行激光開孔，使開孔處出現(xiàn)重硼摻雜；
步驟8：利用去離子水清洗硅片，以去除殘余硼源；
步驟9：把硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)成型。
其中，步驟1中的強(qiáng)酸為氫氟酸，而強(qiáng)堿為氫氧化鈉。
步驟2中硅片刻蝕時(shí)的刻蝕劑可采用硝酸和氫氟酸混合物，硝酸和氫氟酸的摩爾比為3:8，而拋光、刻蝕和去除玻璃雜質(zhì)等過程的傳輸以帶式傳動(dòng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，傳輸速度為2.3m/min。
步驟3的氮化硅薄膜厚度為120nm；步驟4的氧化鋁薄膜的厚度為25nm；步驟5的氮化硅薄膜厚度為120nm。
步驟6中的丙三醇硼源為硼酸飽和溶解于丙三醇內(nèi)的混合物，硼原子含量為3.2X1021atoms/cm3。
步驟7中重硼摻雜面積占氧化鋁薄膜面積的6％。
通過對本發(fā)明的晶體硅太陽能電池進(jìn)行測試，本發(fā)明的晶體硅太陽能電池與市面上的太陽能電池比較，其開路電壓提高了5mV，串阻減少了0.08mΩ，電池效率提高了0.3％。