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一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板及其制備方法與流程

文檔序號:12129561閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,包括:

基板;

薄膜晶體管層,位于所述基板上,包括源電極層、漏電極層和柵電極層;

平坦化層,位于所述薄膜晶體管層上,具有貫穿所述平坦化層的第一過孔;

絕緣層,位于所述平坦化層上,具有貫穿所述絕緣層且與所述第一過孔對應(yīng)的第二過孔;

陽極層,位于所述絕緣層上,包括依次層疊于所述絕緣層上的金屬反射層和透明導(dǎo)電氧化物層,所述陽極層通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述薄膜晶體管的漏電極層電性連接;

發(fā)光層,位于所述陽極層上;

陰極層,位于所述發(fā)光層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述金屬反射層為銀金屬層或銀合金金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述透明導(dǎo)電氧化物層為氧化銦錫層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述漏電極層包括依次層疊的第一鈦金屬層、鋁金屬層和第二鈦金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述絕緣層為無機(jī)絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述絕緣層為氮化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述絕緣層覆蓋所述平坦化層的位于所述第一過孔中的側(cè)壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述基板為柔性基板。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板還包括位于所述陰極層上的薄膜封裝層。

10.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

提供一基板;

在所述基板上形成薄膜晶體管層,包括源電極層、漏電極層和柵電極層;

在所述薄膜晶體管層上形成平坦化層,在所述平坦化層上形成貫穿所述平坦化層的第一過孔;

在所述平坦化層上形成絕緣層,在所述絕緣層上形成貫穿所述絕緣層且與所述第一過孔對應(yīng)的第二過孔;

在所述絕緣層上形成陽極層,包括依次層疊于所述絕緣層上的金屬反射層和透明導(dǎo)電氧化物層,所述陽極層通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述薄膜晶體管的漏電極層電性連接;

在所述陽極層上形成發(fā)光層;

在所述發(fā)光層上形成陰極層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述第二過孔通過干法刻蝕工藝形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述干法刻蝕工藝為等離子刻蝕工藝。

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