技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶硅電池多層減反膜，所述的減反膜沉積于晶硅電池N型面，所述的減反膜由下而上依次包括：氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜、第四氮化硅膜以及二氧化鋯阻擋層，其中氧化硅膜的厚度為5?25nm，折射率為1.4?1.5，第一氮化硅膜厚度為6?12nm，折射率為2.25?2.35，第二氮化硅膜的厚度為18?25nm，折射率為2.15?2.24，第三氮化硅膜的厚度為35?55nm，折射率為2.05?2.14，第四氮化硅膜的厚度為15?30nm，折射率為1.95?2.04，二氧化鋯阻擋層的厚度為30?50nm。該晶硅電池多層減反膜具有短波響應(yīng)快、反射率低以及光透性好等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：龐倩桃
受保護(hù)的技術(shù)使用者：龐倩桃
文檔號(hào)碼：201611087644
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.02.22