技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管。本發(fā)明主要是針對(duì)高效功率開(kāi)關(guān)器件的主要性能指標(biāo)(導(dǎo)通電阻、漏極開(kāi)啟電壓、反向耐壓、功耗)，提出了具有混合漏極的氮化鎵新器件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所提出的增強(qiáng)型AlGaN/GaN?HEMT器件具有高反向阻斷能力、低漏極開(kāi)啟電壓、低導(dǎo)通電阻和低功耗等優(yōu)點(diǎn)，尤其適用于雙向開(kāi)關(guān)中。

技術(shù)研發(fā)人員：陳萬(wàn)軍;施宜軍;崔興濤;劉超;劉杰;胡官昊;周琦;張波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611065159
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.28
技術(shù)公布日：2017.02.22