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一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12275118

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種逆阻型氮化鎵高電子遷移率晶體管。背景技術(shù)具有雙向傳導(dǎo)電流和阻斷電壓特性的雙向開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、航空器、交流電源裝置、船舶電力推進(jìn)和電動(dòng)汽車(chē)之中。傳統(tǒng)的雙向開(kāi)關(guān)是由兩個(gè)反向串聯(lián)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和兩個(gè)功率二極管組成,結(jié)構(gòu)類(lèi)似于圖1(a),在這樣的結(jié)構(gòu)中,電流將流經(jīng)兩個(gè)會(huì)不同的器件,較長(zhǎng)的電流通路將導(dǎo)致較大的導(dǎo)通壓降,進(jìn)而會(huì)使雙向開(kāi)關(guān)具有較高的功率損耗。為了減小雙向開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率,近幾年提出了基于逆阻型器件的雙向開(kāi)關(guān),例如...
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