技術(shù)特征：

1.方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線，其特征在于，該微電子機(jī)械天線以砷化鎵為襯底，在襯底上設(shè)有微帶天線饋線、星型結(jié)構(gòu)微帶天線輻射元、MEMS懸臂梁、懸臂梁橋墩；所述星型結(jié)構(gòu)微帶天線輻射元的任四個(gè)輻射端分別與一個(gè)懸臂梁橋墩連接，每個(gè)懸臂梁橋墩連接一個(gè)MEMS懸臂梁，其中，在每個(gè)MEMS懸臂梁的下方在懸臂梁橋墩的兩側(cè)各設(shè)置一個(gè)懸臂梁下拉電極，每個(gè)懸臂梁下拉電極上設(shè)有介質(zhì)層，每個(gè)懸臂梁下拉電極上的介質(zhì)層與相應(yīng)的MEMS懸臂梁之間設(shè)有犧牲層；未連接懸臂梁橋墩的星型結(jié)構(gòu)微帶天線輻射元的輻射端與微帶天線饋線連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線，其特征在于，每個(gè)懸臂梁下拉電極、懸臂梁橋墩均與襯底連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線，其特征在于，所述介質(zhì)層為SiN，所述犧牲層為聚酰亞胺犧牲層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線，其特征在于，四個(gè)所述懸臂梁橋墩相同，四個(gè)所述MEMS懸臂梁相同。

5.如權(quán)利要求1至4中任一所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

1)選用未摻雜的半絕緣砷化鎵作為襯底；

2)去除在懸臂梁下拉電極、微帶天線饋線和星型結(jié)構(gòu)微帶天線輻射元處的光刻膠；

3)濺射金，形成懸臂梁下拉電極、微帶天線饋線和星型結(jié)構(gòu)微帶天線輻射元；

4)在懸臂梁下拉電極的上方淀積氮化硅介質(zhì)層；

5)光刻并刻蝕氮化硅介質(zhì)層，保留位于懸臂梁及其下方的懸臂梁下拉電極之間的氮化硅介質(zhì)層；

6)在砷化鎵襯底上涂覆聚酰亞胺犧牲層，再光刻聚酰亞胺犧牲層，保留懸臂梁下方的犧牲層；

7)濺射鈦/金/鈦，形成濺射用于懸臂梁及相應(yīng)的懸臂梁橋墩；

8)去除懸臂梁及相應(yīng)的懸臂梁橋墩處的光刻膠；

9)電鍍懸臂梁及相應(yīng)的懸臂梁橋墩；

10)釋放犧牲層：用顯影液釋放懸臂梁結(jié)構(gòu)下方的聚酰亞胺犧牲層，并用無水乙醇脫水，形成懸浮的懸臂梁結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線的制備方法，其特征在于，步驟3)中，金的厚度為0.3μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線的制備方法，其特征在于，步驟4)中，用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積法工藝生長(zhǎng)的氮化硅介質(zhì)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線的制備方法，其特征在于，步驟6)中，聚酰亞胺犧牲層的厚度為1.6μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線的制備方法，其特征在于，步驟7)中，

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方向性可重構(gòu)的微電子機(jī)械天線的制備方法，其特征在于，步驟9)中，電鍍的懸臂梁的厚度為2μm。