1.一種晶片，包括：
前表面；
后表面；以及
邊緣，位于所述前表面與所述后表面之間，所述邊緣具有位于所述前表面的邊緣與所述晶片的邊緣的側(cè)面之間的彎曲邊緣輪廓，其中所述彎曲邊緣輪廓包括：
第一凸曲線，接合所述前表面的邊緣，
第二凸曲線，接合所述側(cè)面，和
中間凹曲線，接合所述第一凸曲線和所述第二凸曲線，其中所述第二凸曲線包括距所述前表面第一距離的第一拐點(diǎn)，其中所述中間凹曲線包括距所述前表面第二距離的第二拐點(diǎn)，其中所述第二距離大于所述第一距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中所述第一凸曲線的最小曲率半徑小于所述第二凸曲線的最小曲率半徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中所述中間凹曲線的至少一部分和所述第一凸曲線具有正梯度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中所述中間凹曲線在所述前表面的水平下方的第一深度處接合所述第一凸曲線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片，其中所述第一凸曲線的最小曲率半徑等于或小于所述第一深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片，其中所述第二凸曲線在所述前表面的水平下方的第二深度處接合所述側(cè)面，并且其中所述第二深度大于所述第一深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片，其中所述中間凹曲線在所述前表面的水平下方的中間深度處接合所述第二凸曲線，并且其中所述中間深度大于所述第一深度且小于所述第二深度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片，其中所述第一深度等于或小于150微米。
9.一種晶片，包括：
前表面；
后表面；
圓周邊緣，位于所述前表面與所述后表面之間，所述圓周邊緣具有位于所述前表面的邊緣與所述晶片的所述圓周邊緣的側(cè)面之間的彎曲邊緣輪廓，其中所述彎曲邊緣輪廓包括：
第一凸曲線，與距所述側(cè)面第一徑向距離的所述前表面的邊緣接合，
第二凸曲線，與所述側(cè)面接合，和
中間凹曲線，位于所述第一凸曲線與所述第二凸曲線之間，其中所述中間凹曲線與距所述側(cè)面第二徑向距離的所述第一凸曲線接合且與距所述側(cè)面第三徑向距離的所述第二凸曲線接合，并且其中所述第一徑向距離大于所述第二徑向距離，并且所述第二徑向距離大于所述第三徑向距離，其中所述第二凸曲線包括距所述前表面第一距離的最大值，其中所述中間凹曲線包括距所述前表面第二距離的最小值，其中所述第二距離大于所述第一距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片，其中所述第一凸曲線的最小曲率半徑小于所述第二凸曲線的最小曲率半徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片，其中所述中間凹曲線的至少一部分和所述第一凸曲線具有正梯度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片，其中所述中間凹曲線在所述前表面的水平下方的第一深度處接合所述第一凸曲線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片，其中所述第一凸曲線的最小曲率半徑等于或小于所述第一深度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片，其中所述第二凸曲線在所述前表面的水平下方的第二深度處接合所述側(cè)面，并且其中所述第二深度大于所述第一深度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片，其中所述中間凹曲線在所述前表面的水平下方的中間深度處接合所述第二凸曲線，并且其中所述中間深度大于所述第一深度且小于所述第二深度。
16.一種形成晶片的方法，包括：
提供晶片，所述晶片包括前表面、后表面以及位于所述前表面與所述后表面之間的邊緣；以及
在所述前表面的邊緣與所述晶片的邊緣的側(cè)面之間形成彎曲邊緣輪廓，所述彎曲邊緣輪廓包括接合所述前表面的邊緣的第一凸曲線、接合所述側(cè)面的第二凸曲線以及接合所述第一凸曲線和所述第二凸曲線的中間凹曲線，其中所述第二凸曲線包括距所述前表面第一距離的第一拐點(diǎn)，其中所述中間凹曲線包括距所述前表面第二距離的第二拐點(diǎn)，其中所述第二距離大于所述第一距離。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述彎曲邊緣輪廓包括：在相對于邊緣的徑向上形成所述晶片的邊緣，以形成所述第一凸曲線、所述第二凸曲線和所述中間凹曲線。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述彎曲邊緣輪廓包括：
在相對于邊緣的徑向上形成所述晶片的邊緣，以形成所述第一凸曲線和所述第二凸曲線的至少一部分；以及
在垂直于所述前表面的方向上形成所述晶片的邊緣，以形成所述中間凹曲線。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述彎曲邊緣輪廓包括：形成所述第一凸曲線，以具有小于所述第二凸曲線的最小曲率半徑的最小曲率半徑。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述彎曲邊緣輪廓包括：形成所述中間凹曲線，以在所述前表面的水平下方的第一深度處接合所述第一凸曲線。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中形成所述彎曲邊緣輪廓包括：形成所述第一凸曲線，以具有等于或小于所述第一深度的最小曲率半徑。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中形成所述彎曲邊緣輪廓包括：形成所述第二凸曲線，以在所述前表面的水平下方的第二深度處接合所述側(cè)面，并且其中所述第二深度大于所述第一深度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述彎曲邊緣輪廓包括：形成所述中間凹曲線，以在所述前表面的水平下方的中間深度處接合所述第二凸曲線，并且其中所述中間深度大于所述第一深度且小于所述第二深度。