技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其包含第一摻雜區(qū)域、第二摻雜區(qū)域、以及溝道區(qū)域。所述第一摻雜區(qū)域摻雜有第一類(lèi)型的摻雜劑。所述第二摻雜區(qū)域摻雜有所述第一類(lèi)型的摻雜劑。所述溝道區(qū)域摻雜有第二類(lèi)型的摻雜劑，其中所述溝道區(qū)域經(jīng)配置以使第一區(qū)域具有第一濃度的所述第二類(lèi)型的摻雜劑并使第二區(qū)域具有第二濃度的所述第二類(lèi)型的摻雜劑，且所述第二濃度高于所述第一濃度。

技術(shù)研發(fā)人員：金俊德
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.18
技術(shù)公布日：2017.08.08