相關(guān)申請的交叉引用

2015年12月31日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局且題目為“藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件以及包括藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的顯示器件”的韓國專利申請第10-2015-0190821號通過引用被整體合并于此。

本文的本公開涉及一種藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件以及包括藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的顯示器件。

背景技術(shù)：

平板顯示器件主要可分為發(fā)光型和受光型。發(fā)光型包括平板陰極射線管、等離子體顯示面板、有機(jī)發(fā)光顯示器(oled)等。oled是自發(fā)光顯示器且具有寬視角、良好對比度以及快速響應(yīng)時(shí)間的優(yōu)勢。

oled可以用作諸如數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、便攜式攝像機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、智能手機(jī)、超薄筆記本電腦、平板電腦、柔性顯示器等之類的移動(dòng)器件、或諸如超薄電視機(jī)的大型電子產(chǎn)品或大型電氣產(chǎn)品的顯示器。oled基于從第一電極和第二電極注入的空穴和電子在發(fā)射層復(fù)合以及由所注入的空穴和電子在發(fā)射層的結(jié)合生成的激子通過其從激發(fā)態(tài)到基態(tài)的躍遷而發(fā)光的原理來顯示顏色。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的實(shí)施例提供一種藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件，包括：第一電極，面對第一電極的第二電極，設(shè)置在第一電極與第二電極之間的第一電荷產(chǎn)生層，設(shè)置在第一電極與第一電荷產(chǎn)生層之間且發(fā)射具有第一波長區(qū)域的第一藍(lán)光的第一發(fā)射層，以及設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層與第二電極之間且發(fā)射具有與第一波長區(qū)域不同的第二波長區(qū)域的第二藍(lán)光的第二發(fā)射層。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域中的峰值波長與第二波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或更小。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約440nm至小于約460nm，并且第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的另一個(gè)波長區(qū)域可以從約460nm至約490nm。

在實(shí)施例中，可以進(jìn)一步包括設(shè)置在第二發(fā)射層與第二電極之間的第二電荷產(chǎn)生層，以及設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層與第二電極之間且發(fā)射具有第三波長區(qū)域的第三藍(lán)光的第三發(fā)射層。第三波長區(qū)域可以不同于第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的每一個(gè)。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域中的峰值波長與第二波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或更小，并且第二波長區(qū)域中的峰值波長與第三波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或更小。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域、第二波長區(qū)域和第三波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約440nm至小于約460nm，剩余兩個(gè)波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約460nm至小于約470nm，并且剩余波長區(qū)域可以從約470nm至約490nm。

在實(shí)施例中，第一電荷產(chǎn)生層可以包括：鄰近第一電極的n型電荷產(chǎn)生層，以及p型電荷產(chǎn)生層，p型電荷產(chǎn)生層鄰近第二電極且設(shè)置在n型電荷產(chǎn)生層上。

在本公開的實(shí)施例中，一種顯示器件包括：藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件，以及設(shè)置在藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件上的顏色改變層，且藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件包括：第一電極，面對第一電極的第二電極，設(shè)置在第一電極與第二電極之間的第一電荷產(chǎn)生層，設(shè)置在第一電極與第一電荷產(chǎn)生層之間并且發(fā)射具有第一波長區(qū)域的第一藍(lán)光的第一發(fā)射層，以及設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層與第二電極之間且發(fā)射具有與第一波長區(qū)域不同的第二波長區(qū)域的第二藍(lán)光的第二發(fā)射層。

在實(shí)施例中，顏色改變層可以包括樹脂層以及包括在樹脂層中的顏色改變材料。

在實(shí)施例中，顏色改變材料可以包括從由無機(jī)熒光體、有機(jī)熒光體、量子點(diǎn)和有機(jī)染料組成的組中選擇的至少一種。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域中的峰值波長與第二波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或更小。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約440nm至小于約460nm，并且第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的另一個(gè)波長區(qū)域可以從約460nm至約490nm。

在實(shí)施例中，可以進(jìn)一步包括設(shè)置在第二發(fā)射層與第二電極之間的第二電荷產(chǎn)生層，以及設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層與第二電極之間并且發(fā)射具有第三波長區(qū)域的第三藍(lán)光的第三發(fā)射層，并且所述第三波長區(qū)域可以不同于第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的每一個(gè)。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域中的峰值波長與第二波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或更小，并且第二波長區(qū)域中的峰值波長與第三波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或更小。

在實(shí)施例中，第一波長區(qū)域、第二波長區(qū)域和第三波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約440nm至小于約460nm，剩余兩個(gè)波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約460nm至小于約470nm，且剩余波長區(qū)域可以從約470nm至約490nm。

在實(shí)施例中，第一電荷產(chǎn)生層可以包括鄰近第一電極的n型電荷產(chǎn)生層以及鄰近第二電極且設(shè)置在n型電荷產(chǎn)生層上的p型電荷產(chǎn)生層。

在實(shí)施例中，顯示器件可以包括多個(gè)像素，每個(gè)像素可以被劃分為紅色發(fā)射區(qū)域、綠色發(fā)射區(qū)域以及藍(lán)色發(fā)射區(qū)域，并且顏色改變層可以包括設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域中的第一顏色改變材料以及設(shè)置在綠色發(fā)射區(qū)域中的第二顏色改變材料。

在實(shí)施例中，顏色改變層可以進(jìn)一步包括設(shè)置在藍(lán)色發(fā)射區(qū)域中的散射層。

在實(shí)施例中，散射層可以包括樹脂層以及包括在樹脂層中的散射材料。

在實(shí)施例中，第一電極可以是反射型電極，并且第二電極可以被設(shè)置在第一電極與顏色改變層之間，且可以是透射型電極或半透射型電極。

附圖說明

通過參考所附附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例，各特征對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將變得顯而易見，其中：

圖1示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的剖面示意圖；

圖2示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的剖面示意圖；

圖3示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的剖面示意圖；

圖4示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件的示意性透視圖；

圖5a示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件中包括的一個(gè)子像素的電路圖；

圖5b示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件中包括的一個(gè)子像素的布局圖；

圖5c示出了與圖5b的線i-i’相對應(yīng)的剖面示意圖；

圖6示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件中包括的一個(gè)像素的平面示意圖；

圖7示出了沿圖6的線ii-ii’取得的剖面示意圖；

圖8示出了與圖6的線ii-ii’相對應(yīng)的剖面示意圖；

圖9示出了圖7和圖8的顏色改變層的詳細(xì)剖面示意圖；

圖10示出了圖7和圖8的顏色改變層的詳細(xì)剖面示意圖；以及

圖11示出了與圖6的線ii-ii’相對應(yīng)的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述示例性實(shí)施例；然而，它們可以以不同形式體現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于此處闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開是徹底且完整的，并將充分向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)示例性實(shí)施方案。

在附圖中，為了圖示清楚起見，層和區(qū)域的尺寸可能被夸大。還將理解的是，當(dāng)一個(gè)層或元件被稱為在另一層或基板“上”時(shí)，它可以直接在另一層或基板上，或也可以存在中間層。此外，將理解的是，當(dāng)一個(gè)層被稱為在另一層“下方”時(shí)，它可以直接在其下方，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還將理解的是，當(dāng)一個(gè)層被稱為在兩層“之間”時(shí)，它可以是這兩層之間的唯一層，或也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。

為說明每個(gè)附圖，相同的附圖標(biāo)記指示相同元件。在附圖中，為了本公開的清楚起見，元件的大小和相對大小可能被放大。將理解的是，雖然術(shù)語“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各種元件，但這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只用來將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)分開。例如，下面討論的第一元件可以被稱為第二元件，同樣，第二元件可以被稱為第一元件。在這里所使用的單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有清楚的表示。

應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，術(shù)語“包括”在本說明書中使用時(shí)指定所陳述的特征、步驟、操作和/或器件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、步驟、操作和/或器件的存在或添加。還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)層、薄膜、區(qū)域、板等被稱為在另一部分“上”時(shí)，它可以直接在另一部分上，或者也可以存在中間層。此外，當(dāng)層、薄膜、區(qū)域、板等被稱為在另一部分“下方”時(shí)，它可以直接在另一部分下方，或者也可以存在中間層。下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件。

圖1示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的剖面示意圖。圖2示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的剖面示意圖。圖3示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的剖面示意圖。為了簡明起見，將首先討論所有這三個(gè)實(shí)施例所共同的元件。

參考圖1、圖2以及圖3，根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel包括可以在第二方向dr2上順序堆疊(例如逐一層疊)的第一電極el1、第一發(fā)射層eml1、第一電荷產(chǎn)生層cgl1、第二發(fā)射層eml2以及第二電極el2。

第一電極el1和第二電極el2彼此面對。第一電荷產(chǎn)生層cgl1被設(shè)置在第一電極el1與第二電極el2之間。第一發(fā)射層eml1被設(shè)置在第一電極el1與第一電荷產(chǎn)生層cgl1之間。第二發(fā)射層eml2被設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層cgl1與第二電極el2之間。

根據(jù)本公開實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件oel是藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel。根據(jù)本公開實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件oel是發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件。第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2中的每一個(gè)都發(fā)射藍(lán)光。具體地，第一發(fā)射層eml1發(fā)射具有第一波長區(qū)域的第一藍(lán)光，并且第二發(fā)射層eml2發(fā)射具有第二波長區(qū)域的第二藍(lán)光。第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域彼此不同，例如，可以彼此完全不同或者可以部分重疊。

即，第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光。換言之，根據(jù)本公開實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件oel包括均發(fā)射藍(lán)光并且發(fā)出的光的最終混合也是藍(lán)光的第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2。通過使用兩個(gè)發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光的發(fā)射層，藍(lán)色發(fā)射峰可以被更寬地分布，并且可以提高在側(cè)視角處的色彩可視性。

第一波長區(qū)域中的峰值波長與第二波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm。峰值波長表示在被發(fā)射的波長區(qū)域之內(nèi)的具有最大強(qiáng)度的波長。第一波長區(qū)域中的峰值波長與第二波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以從約5nm至約20nm，但不限于此。

第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的一個(gè)波長區(qū)域可以從約440nm至小于約460nm，而第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的另一個(gè)波長區(qū)域可以從約460nm至約490nm。然而，第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域不限于此，第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域可以部分重疊。例如，第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域均可以包括460nm。第一波長區(qū)域與第二波長區(qū)域之間的重疊可以是例如從約1nm至約30nm。第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的一個(gè)波長區(qū)域可以是深藍(lán)光區(qū)域，而第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域中的另一個(gè)波長區(qū)域可以是天藍(lán)光區(qū)域。

發(fā)射藍(lán)光的兩個(gè)發(fā)射層中的一個(gè)發(fā)射波長區(qū)域可以發(fā)射藍(lán)色區(qū)域中相對較長的波長，而另一個(gè)發(fā)射波長區(qū)域可以發(fā)射藍(lán)色區(qū)域中相對較短的波長。因此，該藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件相比于使用單個(gè)發(fā)射層或單個(gè)發(fā)射區(qū)域，可以發(fā)出具有更寬分布的發(fā)射峰的組合藍(lán)光。由此，相比于發(fā)出具有尖發(fā)射峰的藍(lán)光的傳統(tǒng)藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件，可以提高在側(cè)視角處的色彩可視性。

第一電極el1具有導(dǎo)電性。第一電極el1可以是像素電極或陽極。第一電極el1可以是透射型電極、半透射型電極或反射型電極。當(dāng)?shù)谝浑姌Oel1是透射型電極時(shí)，第一電極el1可以包括透明的金屬氧化物，例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦錫鋅(itzo)等。當(dāng)?shù)谝浑姌Oel1是半透射型電極或反射型電極時(shí)，第一電極el1可以包括例如銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、金屬的混合物等。

第二電極el2具有導(dǎo)電性并且可以是公共電極或者陰極。第二電極el2可以是透射型電極、半透射型電極或反射型電極。當(dāng)?shù)诙姌Oel2是透射型電極時(shí)，第二電極el2可以包括例如鋰(li)、鈣(ca)、氟化鋰(lif)/ca、lif/al、al、mg、氟化鋇(baf)、ba、ag、其化合物或其混合物(例如，ag和mg的混合物)等。然而，實(shí)施例并不限于此，第二電極el2可以包括例如ito、izo、zno或itzo。

第二電極el2可以與輔助電極相連接。輔助電極可以使用本領(lǐng)域中已知的任何材料。例如，輔助電極可以包括li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、baf、ba、ag、其化合物或其混合物(例如，ag和mg的混合物)、ito、izo、zno、itzo等。輔助電極可以與第二電極el2相連接，以減小第二電極el2的電阻值。

當(dāng)?shù)诙姌Oel2是半透射型電極或反射型電極時(shí)，第二電極el2可以包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、其化合物或其混合物(例如，ag和mg的混合物)等。第二電極el2可以是使用上述材料形成的反射層或半透射層、或者是包括使用ito、izo、zno、itzo等形成的透明導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。

當(dāng)根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel是前發(fā)光型時(shí)，第一電極el1可以是反射型電極，并且第二電極el2可以是透射型電極或者半透射型電極。當(dāng)藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel是前發(fā)光型時(shí)，可以有利地獲得高開口率。

根據(jù)本公開實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件oel是串聯(lián)型藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel。如上所述，根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel包括被設(shè)置在第一電極el1與第二電極el2之間的第一電荷產(chǎn)生層cgl1。以第一電荷產(chǎn)生層cgl1作為參照，根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel具有包括第一疊層和第二疊層的結(jié)構(gòu)，第一疊層包括被設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層cgl1下方的第一發(fā)射層eml1，第二疊層包括被設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層cgl1上的第二發(fā)射層eml2。在第一疊層上設(shè)置第一電荷產(chǎn)生層cgl1。第一疊層和第二疊層在第二方向dr2上依次堆疊，例如逐一層疊。

第一電荷產(chǎn)生層cgl1可以將電荷注入到每個(gè)發(fā)射層中。第一電荷產(chǎn)生層cgl1可以控制第一疊層與第二疊層之間的電荷平衡。第一電荷產(chǎn)生層cgl1可以包括n型電荷產(chǎn)生層n-cgl1和p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1。p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1可以設(shè)置在n型電荷產(chǎn)生層n-cgl1上。

第一電荷產(chǎn)生層cgl1可以具有n型電荷產(chǎn)生層n-cgl1和p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1的結(jié)型結(jié)構(gòu)。n型電荷產(chǎn)生層n-cgl1可以被設(shè)置為相比第二電極el2更靠近第一電極el1。p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1可以被設(shè)置為相比第一電極el1更靠近第二電極el2。換言之，n型電荷產(chǎn)生層n-cgl1可以比p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1更靠近第一電極el1，并且p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1可以比n型電荷產(chǎn)生層n-cgl1更靠近第二電極el2。

n型電荷產(chǎn)生層n-cgl1將電子供給到與第一電極el1相鄰的第一發(fā)射層eml1，并且p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1將空穴供給到包括在第二疊層中的第二發(fā)射層eml2?？梢栽趎型電荷產(chǎn)生層n-cgl1與p型電荷產(chǎn)生層p-cgl1之間進(jìn)一步設(shè)置緩沖層。通過在第一疊層與第二疊層之間設(shè)置第一電荷產(chǎn)生層cgl1并提供電荷到每個(gè)發(fā)射層，可以提高發(fā)射效率并可以降低驅(qū)動(dòng)電壓。

第一疊層可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第一電極el1與第一發(fā)射層eml1之間的第一空穴傳輸區(qū)域htr1。第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以進(jìn)一步包括空穴緩沖層和電子阻擋層中的至少一個(gè)。

第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以具有使用單一材料形成的單層、使用多種不同材料形成的單層或者包括使用多種不同材料形成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。

例如，第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以具有使用多種不同材料形成的單層的結(jié)構(gòu)，或者從第一電極el1堆疊(例如層疊)的空穴注入層/空穴傳輸層、空穴注入層/空穴傳輸層/空穴緩沖層、空穴注入層/空穴緩沖層、空穴傳輸層/空穴緩沖層或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結(jié)構(gòu)，但不限于此。

第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以使用本領(lǐng)域中已知的常用方法形成。例如，第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以使用諸如真空沉積法、旋涂法、鑄造法、朗繆爾-布洛杰特(lb)法、噴墨印刷法、激光印刷法、激光誘導(dǎo)熱成像(liti)法等之類的各種方法來形成。

當(dāng)?shù)谝豢昭▊鬏攨^(qū)域htr1包括空穴注入層時(shí)，第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以包括諸如銅酞菁的酞菁化合物、n,n'-二苯基-n,n'-雙-[4-(苯基-間甲苯基-氨基)-苯基]-聯(lián)苯基-4,4'-二胺(dntpd)、4,4',4”-三[3-甲基苯基苯基氨基]三苯基胺(m-mtdata)、4,4',4”-三(n,n-二苯基氨基)三苯基胺(tdata)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2-tnata)、聚-3,4-乙撐-二氧噻吩/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(pani/pss)等，但不限于此。

當(dāng)?shù)谝豢昭▊鬏攨^(qū)域htr1包括空穴傳輸層htl時(shí)，第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以包括例如n-苯基咔唑和聚乙烯咔唑的咔唑類衍生物、芴類衍生物、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1-聯(lián)苯]-4,4'-二胺(tpd)、例如4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)的三苯基胺類衍生物、n,n'-二萘-1-基-n,n'-聯(lián)苯-聯(lián)苯胺(npb)、4,4'-環(huán)亞己基雙[n,n-雙(4-甲基苯基)苯胺(tapc)等，但不限于此。

第一空穴傳輸區(qū)域htr1的厚度可以從約至約例如，從約至約當(dāng)?shù)谝豢昭▊鬏攨^(qū)域htr1包括空穴注入層和空穴傳輸層兩者時(shí)，空穴注入層的厚度可以從約至約例如，從約至約并且空穴傳輸層的厚度可以從約至約例如，從約至約當(dāng)?shù)谝豢昭▊鬏攨^(qū)域htr1、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度滿足上述范圍時(shí)，可以在沒有大幅提高驅(qū)動(dòng)電壓的情況下獲得令人滿意的空穴傳輸性能。

除了上述材料以外，第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以進(jìn)一步包括電荷產(chǎn)生材料，以提高導(dǎo)電性。電荷產(chǎn)生材料可以均勻地或非均勻地散布在第一空穴傳輸區(qū)域htr1中。電荷產(chǎn)生材料可以是例如p摻雜劑。該p摻雜劑可以是醌衍生物、金屬氧化物和含氰基化合物中的一種，但不限于此。例如，p摻雜劑的非限制性示例可以包括諸如四氰基醌二甲烷(tcnq)、2,3,5,6-四氟-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)等的醌衍生物、諸如鎢氧化物、鉬氧化物等的金屬氧化物，但不限于此。

如上所述，除了空穴注入層和空穴傳輸層之外，第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以進(jìn)一步包括空穴緩沖層和電子阻擋層中的一個(gè)?？昭ň彌_層可以根據(jù)從第一發(fā)射層eml1發(fā)射的光的波長來補(bǔ)償光諧振范圍以及提高發(fā)光效率。包含在第一空穴傳輸區(qū)域htr1中的材料可以用作包含在空穴緩沖層中的材料。電子阻擋層是防止電子從第一電子傳輸區(qū)域etr1注入到第一空穴傳輸區(qū)域htr1的層，這將在之后描述。

第一疊層可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第一發(fā)射層eml1與第一電荷產(chǎn)生層cgl1之間的第一電子傳輸區(qū)域etr1。第一電子傳輸區(qū)域etr1可以包括空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個(gè)，但不限于此。

當(dāng)?shù)谝浑娮觽鬏攨^(qū)域etr1包括電子傳輸層時(shí)，第一電子傳輸區(qū)域etr1可以包括三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯基(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tbu-pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-n1,o8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-醇根合)鋁(balq)、雙(苯并喹啉-10-醇根合鈹)(bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)和其混合物中的至少一種，但不限于此。電子傳輸層的厚度可以從約至約例如，從約至約如果電子傳輸層的厚度滿足上述范圍，則可以在沒有大幅提高驅(qū)動(dòng)電壓的情況下獲得令人滿意的電子傳輸性能。

當(dāng)?shù)谝浑娮觽鬏攨^(qū)域etr1包括電子注入層時(shí)，第一電子傳輸區(qū)域etr1可以包括lif、喹啉鋰(liq)、li2o、bao、nacl、csf、諸如yb的鑭系元素中的金屬或諸如rbcl和rbi的金屬鹵化物，但不限于此。電子注入層也可以使用空穴傳輸材料和絕緣有機(jī)金屬鹽的混合物材料形成。有機(jī)金屬鹽可以是具有大于或等于約4ev的能帶隙的材料。具體地，有機(jī)金屬鹽可以包括例如金屬乙酸鹽、金屬苯甲酸鹽、金屬乙酰乙酸酯、金屬乙酰丙酮化物或金屬硬脂酸鹽。電子注入層的厚度可以從約至約例如從約至約當(dāng)電子注入層的厚度滿足上述范圍時(shí)，可以在沒有大幅提高驅(qū)動(dòng)電壓的情況下獲得令人滿意的電子注入性能。

如上所述，第一電子傳輸區(qū)域etr1可以包括空穴阻擋層?？昭ㄗ钃鯇涌梢园ɡ鏱cp和菲咯啉中的至少一種，但不限于此。

第二疊層被設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層cgl1上。第二疊層可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層cgl1與第二發(fā)射層eml2之間的第二空穴傳輸區(qū)域htr2。上述對第一空穴傳輸區(qū)域htr1的說明可應(yīng)用于第二空穴傳輸區(qū)域htr2的說明。第一空穴傳輸區(qū)域htr1和第二空穴傳輸區(qū)域htr2可以相同或不同。

第二疊層可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第二發(fā)射層eml2與第二電極el2之間的第二電子傳輸區(qū)域etr2。由于對第一電子傳輸區(qū)域etr1的說明可以應(yīng)用于第二電子傳輸區(qū)域etr2，因此其具體說明將不再重復(fù)。第一電子傳輸區(qū)域etr1和第二電子傳輸區(qū)域etr2可以相同或不同。

在根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel中，第一空穴傳輸區(qū)域htr1和第二空穴傳輸區(qū)域htr2中的至少一個(gè)可以包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)。在根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel中，第一電子傳輸區(qū)域etr1和第二電子傳輸區(qū)域etr2中的至少一個(gè)可以包括電子注入層和電子傳輸層中的至少一個(gè)。例如，參照圖2，第一空穴傳輸區(qū)域htr1可以包括第一空穴注入層hil1以及設(shè)置在第一空穴注入層hil1上的第一空穴傳輸層htl1，并且第一電子傳輸區(qū)域etr1可以包括第一電子傳輸層etl1以及設(shè)置在第一電子傳輸層etl1上的第一電子注入層eil1。

然而，實(shí)施例并不限于圖2的結(jié)構(gòu)。例如，盡管未示出，但第二空穴傳輸區(qū)域htr2可以包括第二空穴注入層以及設(shè)置在第二空穴注入層上的第二空穴傳輸層，并且第二空穴注入層和第二空穴傳輸層可以設(shè)置為一層。

第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2中的每一個(gè)可以包括主體和摻雜劑。主體可以是沒有特別限制的任何常用的材料，并且包括alq3、4,4'-雙(n-咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、adn、tcta、tpbi、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、二苯乙烯基亞芳(dsa)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基聯(lián)苯(cdbp)、2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽(madn)等。

發(fā)射藍(lán)光的第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2可以包括熒光材料，熒光材料包括從由例如螺-dpvbi、螺-6p、二苯乙烯基苯(dsb)、dsa、聚芴(pfo)類聚合物以及聚(對苯撐乙烯)(ppv)類聚合物構(gòu)成的組中選擇的至少一種。在另一個(gè)實(shí)施例中，可以包括磷光材料，磷光材料包括諸如(4,6-f2ppy)2irpic的有機(jī)金屬絡(luò)合物。

如上所述，第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2可以發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光。為了發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光，第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2可以包括相同的材料，并且可以使用控制諧振范圍的方法。然而，根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以具有非諧振結(jié)構(gòu)，但不限于此。為了發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光，第一發(fā)射層eml1和第二發(fā)射層eml2可以具有不同的材料。

參照圖3，根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第二發(fā)射層eml2與第二電極el2之間的第二電荷產(chǎn)生層cgl2。第一電荷產(chǎn)生層cgl1和第二電荷產(chǎn)生層cgl2中的至少一個(gè)可以包括n型電荷產(chǎn)生層和p型電荷產(chǎn)生層。第一電荷產(chǎn)生層cgl1和第二電荷產(chǎn)生層cgl2中的至少一個(gè)可以具有n型電荷產(chǎn)生層和p型電荷產(chǎn)生層的結(jié)型結(jié)構(gòu)。

第二電荷產(chǎn)生層cgl2可以具有與上述第一電荷產(chǎn)生層cgl1相同的結(jié)構(gòu)。例如，第二電荷產(chǎn)生層cgl2可以包括被設(shè)置為相比第二電極el2更靠近第一電極el1的n型電荷產(chǎn)生層n-cgl2，以及被設(shè)置為相比第一電極el1更靠近第二電極el2的p型電荷產(chǎn)生層p-cgl2。p型電荷產(chǎn)生層p-cgl2可以被設(shè)置在n型電荷產(chǎn)生層n-cgl2上。

第二電荷產(chǎn)生層cgl2可以具有n型電荷產(chǎn)生層n-cgl2和p型電荷產(chǎn)生層p-cgl2的結(jié)型結(jié)構(gòu)。然而，實(shí)施例不限于此。例如，可以在第二電荷產(chǎn)生層cgl2的n型電荷產(chǎn)生層n-cgl2與p型電荷產(chǎn)生層p-cgl2之間設(shè)置緩沖層。第一電荷產(chǎn)生層cgl1和第二電荷產(chǎn)生層cgl2可以使用不同的材料或使用相同的材料形成。

當(dāng)然，第一電荷產(chǎn)生層cgl1和第二電荷產(chǎn)生層cgl2中的僅僅一個(gè)可以具有n型電荷產(chǎn)生層和p型電荷產(chǎn)生層的結(jié)型結(jié)構(gòu)。

第二電荷產(chǎn)生層cgl2的n型電荷產(chǎn)生層n-cgl2將電子供給到第二發(fā)射層eml2，并且第二電荷產(chǎn)生層cgl2的p型電荷產(chǎn)生層p-cgl2將空穴供給到第三發(fā)射層eml3。

根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層cgl2與第二電極el2之間的第三發(fā)射層eml3。根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以進(jìn)一步包括第三疊層，該第三疊層包括設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層cgl2上的第三發(fā)射層eml3。根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以具有包括第一疊層、第二疊層以及第三疊層的結(jié)構(gòu)，第一疊層包括被設(shè)置在第一電極el1與第一電荷產(chǎn)生層cgl1之間的第一發(fā)射層eml1，第二疊層包括被設(shè)置在第一電荷產(chǎn)生層cgl1與第二電荷產(chǎn)生層cgl2之間的第二發(fā)射層eml2，第三疊層包括被設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層cgl2與第二電極el2之間的第三發(fā)射層eml3。第一疊層、第二疊層以及第三疊層可以在第二方向dr2上順序堆疊，例如逐一層疊。

第三發(fā)射層eml3發(fā)射具有第三波長區(qū)域的第三藍(lán)光。第三波長區(qū)域與從第一發(fā)射層eml1發(fā)射的第一波長區(qū)域不同。第三波長區(qū)域與從第二發(fā)射層eml2發(fā)射的第二波長區(qū)域不同。即，根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以包括發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光的三個(gè)發(fā)射層，其中不同波長區(qū)域可以都不重疊，其中兩個(gè)可以重疊，或者其中一個(gè)可以部分地與其它兩個(gè)重疊。

第一波長區(qū)域中的峰值波長與第二波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或者更小。第二波長區(qū)域中的峰值波長與第三波長區(qū)域中的峰值波長之間的差值可以大于約0nm且小于約30nm或者更小。然而，實(shí)施例不限于此。

從第一發(fā)射層eml1發(fā)射的第一波長區(qū)域、從第二發(fā)射層eml2發(fā)射的第二波長區(qū)域和從第三發(fā)射層eml3發(fā)射的第三波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約440nm至小于約460nm，余下的兩個(gè)波長區(qū)域中的一個(gè)可以從約460nm至小于約470nm，而余下的波長區(qū)域可以從約470nm至約490nm。然而，實(shí)施例不限于此，第一波長區(qū)域和第二波長區(qū)域可以部分地重疊。例如，第一波長區(qū)域與第二波長區(qū)域均可以包括約460nm的波長。第二波長區(qū)域與第三波長區(qū)域可以部分地重疊。例如，第二波長區(qū)域與第三波長區(qū)域均可以包括約470nm的波長。第一波長區(qū)域與第三波長區(qū)域的部分可以不重疊。

相比于僅包括發(fā)射具有單一波長區(qū)域的藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)射層的有機(jī)發(fā)光器件，通過設(shè)置發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光的三個(gè)發(fā)射層，藍(lán)色發(fā)射峰可以更寬地分布。因此，可以提高在側(cè)視角處的色彩可視性。更具體地，在發(fā)射藍(lán)光的三個(gè)發(fā)射層之中，一個(gè)發(fā)射波長區(qū)域可以發(fā)射長波長，余下兩個(gè)波長區(qū)域中的一個(gè)可以發(fā)射中波長，而余下的波長區(qū)域可以發(fā)射短波長。因此，有機(jī)發(fā)光器件發(fā)射具有更寬分布的發(fā)射峰的組合藍(lán)光。結(jié)果，有機(jī)發(fā)光器件的側(cè)視角的色彩可視性可被改善。

第三疊層可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第二電荷產(chǎn)生層cgl2與第三發(fā)射層eml3之間的第三空穴傳輸區(qū)域htr3。對第一空穴傳輸區(qū)域htr1的說明可應(yīng)用于對第三空穴傳輸區(qū)域htr3的說明。第三空穴傳輸區(qū)域htr3可以與第一空穴傳輸區(qū)域htr1相同或不同。第三空穴傳輸區(qū)域htr3可以與第二空穴傳輸區(qū)域htr2相同或不同。

第三疊層可以進(jìn)一步包括被設(shè)置在第三發(fā)射層eml3與第二電極el2之間的第三電子傳輸區(qū)域etr3。上述對第一電子傳輸區(qū)域etr1的說明可應(yīng)用于對第三電子傳輸區(qū)域etr3的說明，其具體說明將不再重復(fù)。第三電子傳輸區(qū)域etr3可以與第一電子傳輸區(qū)域etr1相同或不同。第三電子傳輸區(qū)域etr3可以與第二電子傳輸區(qū)域etr2相同或不同。

相比于不采用串聯(lián)型結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光器件，根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel具有增大的驅(qū)動(dòng)電壓。然而，相對于驅(qū)動(dòng)電壓增長率，根據(jù)實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件具有通過應(yīng)用具有不同波長區(qū)域的兩個(gè)或三個(gè)發(fā)射層而獲得的高的效率增長率。根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel具有效率高、壽命長的優(yōu)點(diǎn)。

根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel中所包括的每個(gè)元件的厚度、厚度關(guān)系等并不限于圖1、圖2以及圖3所示的厚度、厚度關(guān)系等。

下文中，將說明根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件。說明將集中在與上面描述的根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件不同的點(diǎn)，并且未說明的部分將遵循對上面描述的根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件的說明。

圖4示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件的透視示意圖。

參照圖4，根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10包括顯示區(qū)da和非顯示區(qū)nda。顯示區(qū)da顯示圖像。當(dāng)從顯示器件10的厚度方向(例如，在與第二方向dr2反向延伸的dr4上)觀察時(shí)，顯示區(qū)da可近似具有矩形形狀。然而，形狀不限于此。

顯示區(qū)da包括多個(gè)像素區(qū)pa。像素區(qū)pa可以被布置成矩陣?？稍谙袼貐^(qū)pa中設(shè)置多個(gè)像素px。像素px中的每一個(gè)包括藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件(圖1或圖2的oel，不過也可以采用圖3的oel)。像素px中的每一個(gè)包括多個(gè)子像素spx。子像素spx將在下面說明。

非顯示區(qū)nda不顯示圖像。當(dāng)從顯示器件10的厚度方向(在dr4上)觀察時(shí)，非顯示區(qū)nda可以例如包圍顯示區(qū)da。非顯示區(qū)nda可以分別在第一方向dr1和第三方向dr3鄰近顯示區(qū)da。第三方向dr3垂直于第一方向dr1和第二方向dr2中的每一個(gè)。

圖5a是包括在根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件中的子像素的電路圖。圖5b是包括在根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件中的子像素的布局圖。圖5c是與圖5b中的線i-i'線相對應(yīng)的示意性剖面圖。

參照圖5a至圖5c，每個(gè)子像素spx可以與包括柵極線gl、數(shù)據(jù)線dl以及驅(qū)動(dòng)電壓線dvl的導(dǎo)線部分相連。每個(gè)子像素spx可包括連接至導(dǎo)線部分的薄膜晶體管tft1和tft2、連接至薄膜晶體管tft1和tft2的子有機(jī)發(fā)光器件oel以及電容器cst。

柵極線gl在第一方向dr1上延伸。數(shù)據(jù)線dl在與柵極線gl交叉的第三方向dr3上延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線dvl大致平行于數(shù)據(jù)線dl(即，第三方向dr3)延伸。柵極線gl傳輸掃描信號到薄膜晶體管tft1和tft2。數(shù)據(jù)線dl傳輸數(shù)據(jù)信號到薄膜晶體管tft1和tft2。驅(qū)動(dòng)電壓線dvl提供驅(qū)動(dòng)電壓到薄膜晶體管tft1和tft2。

薄膜晶體管tft1和tft2可以包括用于控制有機(jī)發(fā)光器件oel的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2和用于開關(guān)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的開關(guān)薄膜晶體管tft1。在本公開的實(shí)施例中，每個(gè)子像素spx包括兩個(gè)薄膜晶體管tft1和tft2，不過實(shí)施例并不限于此。每個(gè)子像素spx可以包括一個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電容器，或者每個(gè)子像素spx可以包括至少三個(gè)薄膜晶體管和至少兩個(gè)電容器。

開關(guān)薄膜晶體管tft1包括第一柵電極ge1、第一源電極se1和第一漏電極de1。第一柵電極ge1連接至柵極線gl，并且第一源電極se1連接至數(shù)據(jù)線dl。第一漏電極de1通過第六接觸孔ch6連接至第一公共電極ce1。開關(guān)薄膜晶體管tft1根據(jù)施加至柵極線gl的掃描信號而將施加至數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2包括第二柵電極ge2、第二源電極se2和第二漏電極de2。第二柵電極ge2連接至第一公共電極ce1。第二源電極se2連接至驅(qū)動(dòng)電壓線dvl。第二漏電極de2通過第三接觸孔ch3連接至第一電極el1。

電容器cst連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的第二柵電極ge2與第二源電極se2之間，并且充入并保持輸入到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的第二柵電極ge2的數(shù)據(jù)信號。電容器cst可以包括經(jīng)由第六接觸孔ch6連接至第一漏電極de1的第一公共電極ce1和連接至驅(qū)動(dòng)電壓線dvl的第二公共電極ce2。

根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10可以包括基底基板bs，薄膜晶體管tft1和tft2以及有機(jī)發(fā)光器件(圖1的oel或圖2的oel)堆疊(例如，層疊)在基底基板bs上。任何常用的基板可被用作基底基板bs，例如但不限于例如玻璃、塑料、石英等的絕緣材料。作為形成基底基板bs的有機(jī)聚合物，可以使用聚對苯二甲酸乙二酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚酰亞胺、聚醚砜等?？梢钥紤]機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑度、處理容易度、防水性能等來選擇基底基板bs。

可以在基底基板bs上提供基板緩沖層?；寰彌_層可以防止雜質(zhì)擴(kuò)散到開關(guān)薄膜晶體管tft1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2中?；寰彌_層可以使用氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氮氧化硅(sioxny)等形成，并且可以根據(jù)基底基板bs的材料和工藝條件而省略。

可以在基底基板bs上提供第一半導(dǎo)體層sm1和第二半導(dǎo)體層sm2。第一半導(dǎo)體層sm1和第二半導(dǎo)體層sm2使用半導(dǎo)體材料形成，并且分別用作開關(guān)薄膜晶體管tft1的有源層以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的有源層。第一半導(dǎo)體層sm1和第二半導(dǎo)體層sm2中的每一個(gè)包括源區(qū)sa、漏區(qū)dra以及位于源區(qū)sa與漏區(qū)dra之間的溝道區(qū)ca。第一半導(dǎo)體層sm1和第二半導(dǎo)體層sm2中的每一個(gè)可以通過分別選擇無機(jī)半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體來形成。源區(qū)sa和漏區(qū)dra可以摻雜有n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)。

可以在第一半導(dǎo)體層sm1和第二半導(dǎo)體層sm2上提供柵絕緣層gi。柵絕緣層gi覆蓋第一半導(dǎo)體層sm1和第二半導(dǎo)體層sm2。柵絕緣層gi可以使用有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料形成?？稍跂沤^緣層gi上提供第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。第一柵電極ge1和第二柵電極ge2中的每一個(gè)可以覆蓋第一半導(dǎo)體層sm1和第二半導(dǎo)體層sm2的溝道區(qū)ca中的對應(yīng)區(qū)域。

可在第一柵電極ge1和第二柵電極ge2上提供絕緣中間層il。絕緣中間層il可以覆蓋(例如完全覆蓋)第一柵電極ge1和第二柵電極ge2，并且可以位于柵絕緣層gi上。絕緣中間層il可以使用有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料形成。

可以在絕緣中間層il上提供第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2以及第二漏電極de2。第二漏電極de2經(jīng)由形成在柵絕緣層gi和絕緣中間層il中的第一接觸孔ch1與第二半導(dǎo)體層sm2的漏區(qū)dra進(jìn)行接觸。第二源電極se2經(jīng)由形成在柵絕緣層gi和絕緣中間層il中的第二接觸孔ch2與第二半導(dǎo)體層sm2的源區(qū)sa進(jìn)行接觸。第一源電極se1經(jīng)由形成在柵絕緣層gi和絕緣中間層il中的第四接觸孔ch4與第一半導(dǎo)體層sm1的源區(qū)進(jìn)行接觸。第一漏電極de1經(jīng)由形成在柵絕緣層gi和絕緣中間層il中的第五接觸孔ch5與第一半導(dǎo)體層sm1的漏區(qū)進(jìn)行接觸。

可在第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2以及第二漏電極de2上提供鈍化層pl。鈍化層pl可以鈍化開關(guān)薄膜晶體管tft1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2，和/或可以使其頂面平坦化。

可在鈍化層pl上提供第一電極el1。第一電極el1可以是例如陽極。第一電極el1經(jīng)由形成在鈍化層pl中的第三接觸孔ch3連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的第二漏電極de2。

根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10包括多個(gè)像素px。圖6是包括在根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件中的像素的示意性平面圖。

參照圖6，像素px中的每一個(gè)可以包括多個(gè)上述子像素spx。子像素中的每一個(gè)可以被劃分為發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域。具體地，像素px中的每一個(gè)可以包括紅色子像素r_spx、綠色子像素g-spx以及藍(lán)色子像素b_spx。紅色子像素r_spx發(fā)射紅光，綠色子像素g-spx發(fā)射綠光，并且藍(lán)色子像素b_spx發(fā)射藍(lán)光。

在圖6中，紅色子像素r_spx、綠色子像素g-spx和藍(lán)色子像素b_spx在第一方向dr1上逐一連接，但是實(shí)施例并不限于此。紅色子像素r_spx、綠色子像素g-spx和藍(lán)色子像素b_spx可以在第三方向dr3上逐一連接，或者紅色子像素r_spx、綠色子像素g-spx和藍(lán)色子像素b_spx可以在平面上在第一方向dr1上逐一連接。

在本公開中，術(shù)語“平面上”可以表示從厚度方向(例如，在圖4中的dr4上)觀察顯示器件10時(shí)的平面。

此外，圖6示出在平面上具有相同形狀和相同尺寸的紅色子像素r_spx、綠色子像素g-spx和藍(lán)色子像素b_spx，然而該形狀和尺寸可以是不同的，并不限于此。

像素px中的每一個(gè)可被劃分為紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2以及藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3。具體地，紅色子像素r_spx被劃分為紅色發(fā)射區(qū)域ea1和第一非發(fā)射區(qū)域nea1，綠色子像素g-spx被劃分為綠色發(fā)射區(qū)域ea2和第二非發(fā)射區(qū)域nea2，并且藍(lán)色子像素b_spx被劃分為藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3和第三非發(fā)射區(qū)域nea3。在一個(gè)平面上，紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2以及藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3可以在第一方向dr1上分離地逐一設(shè)置。紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2以及藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的每一個(gè)的形狀可以是第三方向dr3上的邊比第一方向dr1上的邊長的矩形。然而，紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2以及藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的每一個(gè)的形狀并不限于圖6所示的形狀。

圖7、圖8和圖11中的每一個(gè)是與圖6中的線ii-ii'相對應(yīng)的示意剖面圖。具體地，圖7和圖11示出了使用圖1的oel的器件，而圖8示出了使用圖3的oel的器件。

參照圖7、圖8和圖11，根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10包括藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel，以及設(shè)置在藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel上的顏色改變層ccl。顏色改變層ccl可以與藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel例如在第二方向dr2上隔開。

藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel包括如上所述在第二方向dr2上順序地堆疊(例如逐一層疊)的第一電極el1、發(fā)射第一藍(lán)光的第一發(fā)射層eml1、第一電荷產(chǎn)生層cgl1、發(fā)射第二藍(lán)光的第二發(fā)射層eml2和第二電極el2。如上所述，藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel最終只發(fā)射藍(lán)光。

第一電極el1包括設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1中的第一子電極110、設(shè)置在綠色發(fā)射區(qū)域ea2中的第二子電極120以及設(shè)置在藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的第三子電極130。

第一子電極110、第二子電極120和第三子電極130可以例如沿著第一方向dr1布置并分開一距離。第一電極el1可以通過本領(lǐng)域中已知的常見方法設(shè)置。例如，第一電極el1可以使用包括與紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2和藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的每一個(gè)相對應(yīng)的孔開口部分的掩模而設(shè)置在鈍化層pl上。

第一發(fā)射層eml1可以共同地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2和藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中。具體地，第一發(fā)射層eml1可以共同且連續(xù)地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、第一非發(fā)射區(qū)域nea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2、第二非發(fā)射區(qū)域nea2、藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3以及第三非發(fā)射區(qū)域nea3中。因此，第一發(fā)射層eml1具有整體形狀。

第一電荷產(chǎn)生層cgl1可以共同且連續(xù)地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2和藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中。具體地，第一電荷產(chǎn)生層cgl1可以共同地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、第一非發(fā)射區(qū)域nea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2、第二非發(fā)射區(qū)域nea2、藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3以及第三非發(fā)射區(qū)域nea3中。因此，第一電荷產(chǎn)生層cgl1具有整體形狀。

第二發(fā)射層eml2可以共同且連續(xù)地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2和藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中。具體地，第二發(fā)射層eml2可以共同地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、第一非發(fā)射區(qū)域nea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2、第二非發(fā)射區(qū)域nea2、藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3以及第三非發(fā)射區(qū)域nea3中。因此，第二發(fā)射層eml2具有整體形狀。

第二電極el2可以共同且連續(xù)地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2和藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3。具體地，第二電極el2可以共同地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、第一非發(fā)射區(qū)域nea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2、第二非發(fā)射區(qū)域nea2、藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3以及第三非發(fā)射區(qū)域nea3中。第二電極el2具有整體形狀。

第一電極el1可以是反射型電極，并且第二電極el2可以是透射型電極或半透射型電極。在這種情況下，第二電極el2可以設(shè)置在第一電極el1與顏色改變層ccl之間。即，根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10中所包括的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以是前發(fā)光型。當(dāng)藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel是前發(fā)光型時(shí)，可以有利地獲得高開口率。

藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel可以包括除上述那些之外的構(gòu)成元件。例如，可進(jìn)一步包括設(shè)置在第一電極el1與第一發(fā)射層eml1之間的第一空穴傳輸區(qū)域htr1。附加構(gòu)成元件中的每一個(gè)可以共同且連續(xù)地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2和藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中。因此，附加構(gòu)成元件中的每一個(gè)可以具有整體形狀。在根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10中所包括的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel中，第一電極el1與第二電極el2之間的每一層可以在無掩模的情況下沉積。例如，第一電極el1與第二電極el2之間的每一層可以使用不同成分在真空中沉積，但不限于此。

根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10通過使用最終發(fā)射藍(lán)色混合光的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel作為光源并且通過在藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel上設(shè)置顏色改變層，來實(shí)現(xiàn)紅色、綠色和藍(lán)色。

根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10中所包括的每個(gè)元件的厚度、厚度關(guān)系等不限于圖7、圖8和圖11示出的厚度、厚度關(guān)系等。

圖9示出了用于具體地示出根據(jù)實(shí)施例的圖7和圖8中的顏色改變層的詳細(xì)剖面圖。圖10示出了根據(jù)實(shí)施例的圖7和圖8中的顏色改變層的詳細(xì)剖面圖。顏色改變層ccl將從藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel提供的藍(lán)光變換成紅光或綠光。

參照圖9和圖10，顏色改變層ccl可以包括樹脂層re1、re2和re3以及顏色改變材料ccm1和ccm2。顏色改變材料ccm1和ccm2分別包括在樹脂層re1和re2中。顏色改變材料ccm1和ccm2分別分散在樹脂層re1和re2中。樹脂層re1、re2和re3可以是透光粘合材料。考慮到保證耐久性，樹脂層re1、re2和re3可以具有彈性。樹脂層re1、re2和re3可以不使用吸收藍(lán)光的材料。樹脂層re1、re2和re3的非限制性示例可以包括環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸聚合物、碳酸酯聚合物或其混合物。然而，實(shí)施例不限于此，顏色改變層ccl可以是通過在有機(jī)溶液(未示出)中分散顏色改變材料ccm1和ccm2而形成的層。

樹脂層re1、re2和re3可以分別設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2和藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中。樹脂層re可以包括設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1中的第一樹脂層re1、設(shè)置在綠色發(fā)射區(qū)域ea2中的第二樹脂層re2以及設(shè)置在藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的第三樹脂層re3。第一樹脂層re1、第二樹脂層re2和第三樹脂層re3可以相同或不同。

樹脂層re1、re2和re3可以不設(shè)置在第一非發(fā)射區(qū)域nea1、第二非發(fā)射區(qū)域nea2和第三非發(fā)射區(qū)域nea3中。因此，樹脂層可以不是共同且連續(xù)地設(shè)置的。然而，實(shí)施例不限于此，樹脂層re1、re2和re3中的一部分可以被設(shè)置在第一非發(fā)射區(qū)域nea1、第二非發(fā)射區(qū)域nea2和第三非發(fā)射區(qū)域nea3中的每一個(gè)的至少一部分中。

在圖9和圖10中，第一樹脂層re1、第二樹脂層re2和第三樹脂層re3中的每一個(gè)的剖面形狀被示為矩形，然而實(shí)施例不限于此，剖面形狀可以是梯形，或者根據(jù)需要可以被變換成其它形狀。

顏色改變層ccl可以包括用于層壓顏色改變材料ccm1和ccm2的基板sub?；錽ub可以是透明基板，例如玻璃基板?；錽ub可以共同且連續(xù)地設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1、第一非發(fā)射區(qū)域nea1、綠色發(fā)射區(qū)域ea2、第二非發(fā)射區(qū)域nea2、藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3和第三非發(fā)射區(qū)域nea3中。因此，基板sub可被設(shè)置為整體形狀。

顏色改變層ccl可以包括設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1中的第一顏色改變材料ccm1和設(shè)置在綠色發(fā)射區(qū)域ea2中的第二顏色改變材料ccm2。第一顏色改變材料ccm1可以分散在第一樹脂層re1中。第二顏色改變材料ccm2可以分散在第二樹脂層re2中。

顏色改變材料ccm1和ccm2可以改變從藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel提供的藍(lán)光的波長。第一顏色改變材料ccm1和第二顏色改變材料ccm2中的每一個(gè)可以包括選自由無機(jī)熒光體、有機(jī)熒光體、量子點(diǎn)和有機(jī)染料組成的組的至少一種。

在藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中沒有顏色改變材料，使得從藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel提供的藍(lán)光在沒有變化的情況下發(fā)射。在藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中，可以只設(shè)置不包括顏色改變材料的第三樹脂層re3，或者可以在藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的基板sub上不提供材料。

設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1的第一顏色改變材料ccm1將來自藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel的藍(lán)光變成紅光。例如，第一顏色改變材料ccm1可以將來自藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel的藍(lán)光變成具有從約630nm至約660nm的波長區(qū)域的紅光。然而，在經(jīng)由顏色改變層ccl改變后發(fā)出的紅光的波長區(qū)域不限于此。例如，第一顏色改變材料ccm1可以將來自藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel的藍(lán)光變成具有從約600nm至約640nm的波長區(qū)域的紅光。

設(shè)置在綠色發(fā)射區(qū)域ea2的第二顏色改變材料ccm2將來自藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel的藍(lán)光變成綠光。例如，第二顏色改變材料ccm2可以將來自藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel的藍(lán)光變成具有從約520nm至約560nm的波長區(qū)域的綠光。然而，在經(jīng)由顏色改變層ccl改變后發(fā)出的綠光的波長區(qū)域不限于此。例如，第二顏色改變材料ccm2可以將來自藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel的藍(lán)光變成具有從約500nm至約540nm的波長區(qū)域的綠光。

白色光可以通過組合在經(jīng)由紅色發(fā)射區(qū)域ea1中的顏色改變層ccl改變后發(fā)出的紅光、在經(jīng)由綠色發(fā)射區(qū)域ea2中的顏色改變層ccl改變后發(fā)出的綠光以及在經(jīng)由藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的顏色改變層ccl未改變的情況下發(fā)出的藍(lán)光來獲得。即，根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10可最終發(fā)出白光。根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10的最終混合光可以是白光。

在通過接收來自有機(jī)發(fā)光器件的藍(lán)光并使其通過顏色改變層來顯示紅光、綠光、藍(lán)光的普通顯示器件中，藍(lán)光的發(fā)射峰窄，并且在側(cè)視角處的色彩可視性不理想。具體地，紅光和綠光可經(jīng)由顏色改變層被散射，發(fā)射峰的分布可以是寬的。然而，藍(lán)光沒有在顏色改變層被散射而是照原樣發(fā)射，且窄發(fā)射峰可以照原樣發(fā)射。因此，在視角從正面(0°視角)增大的情況中，藍(lán)色發(fā)射峰與紅色發(fā)射峰和綠色發(fā)射峰的重疊區(qū)域可能減少，從而劣化色彩可視性。具體地，在視角增加的情況中，除了藍(lán)色以外的色彩可視性可能變得更加顯著。

根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10使用藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel作為光源，其中藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel包括發(fā)射具有不同波長區(qū)域的藍(lán)光的至少兩個(gè)發(fā)射層。因此，藍(lán)光的發(fā)射峰可以更寬地分布，并且由于視角改變而引起的色彩可視性的劣化可以被最小化。即，依照根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件10，在側(cè)視角處的色彩可視性可以被提高。

參考圖10，顏色改變層ccl可以進(jìn)一步包括設(shè)置在藍(lán)色發(fā)射區(qū)域ea3中的散射層sl。散射層sl可以散射來自藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel的藍(lán)光，以更寬地分布藍(lán)光的發(fā)射峰。散射層sl可以不大幅降低藍(lán)光的強(qiáng)度。當(dāng)藍(lán)光的發(fā)射峰沒有被藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件oel單獨(dú)地增加到期望程度時(shí)，散射層sl可以用于擴(kuò)大藍(lán)光的發(fā)射峰。

散射層sl可以包括第三樹脂層re3以及包括在第三樹脂層re3中的散射材料sm。散射材料sm可以分散在第三樹脂層re3中。第三樹脂層re3可以與設(shè)置在紅色發(fā)射區(qū)域ea1中的第一樹脂層re1以及設(shè)置在綠色發(fā)射層ea2中的第二樹脂層re2相同。散射材料sm可以是本領(lǐng)域中已知的任何常用材料，但不限于此。散射材料sm的非限制性示例可以包括二氧化鈦(tio2)、氧化鋯(zro2)、氧化鋅(zno)和氧化鋁(al2o3)。

依照根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件，效率可以提高，且壽命可以延長。

依照根據(jù)本公開實(shí)施例的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件，可提供寬的藍(lán)色發(fā)射峰，并且視角性能可被提高。

依照根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件，效率可以提高，且壽命可以延長。

依照根據(jù)本公開實(shí)施例的顯示器件，可提供寬的藍(lán)色發(fā)射峰，并且視角性能可被提高。本公開提供了具有高效率和長壽命的藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件。

在本文中已經(jīng)公開了示例性實(shí)施例，盡管使用了特定的術(shù)語，但它們僅以一般和描述性的意思被使用和說明，而不是為了限制的目的。在某些情況下，如對遞交本申請的領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的那樣，結(jié)合特定實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用，也可以和結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另有明確說明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在不脫離如以下權(quán)利要求中提出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下對形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。