技術總結
本發(fā)明公開了一種p型晶體硅/Cu2ZnSnS4疊層太陽電池,包括層疊的晶體硅底電池和Cu2ZnSnS4薄膜頂電池,所述晶體硅底電池包括從下到上依次層疊的背電極、p型晶體硅基底和n型晶體硅發(fā)射極,所述Cu2ZnSnS4薄膜頂電池包括下到上依次層疊的Cu2ZnSnS4吸收層、緩沖層、窗口層、減反射層和頂電極,所述吸收層層疊在n型晶體硅發(fā)射極上。提高了現(xiàn)有p型晶體硅太陽電池的光電轉換效率,同時可以有效避免其它薄膜太陽電池與晶體硅太陽電池形成疊層結構時由于晶格失配所產生的過多界面態(tài)。
技術研發(fā)人員:張磊;倪志春;魏青竹;葛振華;陸天裕;錢斌;馮金福
受保護的技術使用者:常熟理工學院;蘇州騰暉光伏技術有限公司
文檔號碼:201610971063
技術研發(fā)日:2016.11.04
技術公布日:2017.03.01