技術(shù)編號(hào)：12160259
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于太陽電池材料與器件領(lǐng)域，涉及一種疊層太陽電池及其制備方法，具體地涉及一種p型晶體硅/Cu2ZnSnS4疊層太陽電池及其制備方法。背景技術(shù)太陽電池可以直接將太陽能轉(zhuǎn)換為電能，具有清潔、高效、維護(hù)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，是一種理想的清潔能源。目前光伏市場(chǎng)占主導(dǎo)地位仍為晶體硅太陽電池，傳統(tǒng)的晶體硅太陽電池采用p型單晶或多晶硅片作為基底，通過在硅片表面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成pn結(jié)，再通過沉積表面鈍化膜、背面鋁漿擴(kuò)散形成背電場(chǎng)、印刷電極等工藝形成太陽電池。這種電池結(jié)構(gòu)具有制備方法簡(jiǎn)單，發(fā)電效率高的優(yōu)點(diǎn)。但是由于采用...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。