技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體整流二極管，包括：芯片、N區(qū)電極、N區(qū)引線、P區(qū)電極和P區(qū)引線，所述芯片包括：N區(qū)半導(dǎo)體層、P區(qū)半導(dǎo)體層，以及N區(qū)半導(dǎo)體層與P區(qū)半導(dǎo)體層之間形成的PN結(jié)，N區(qū)半導(dǎo)體層包括輕摻雜N區(qū)半導(dǎo)體層與重?fù)诫sN區(qū)半導(dǎo)體層，重?fù)诫sN區(qū)半導(dǎo)體層與P區(qū)半導(dǎo)體層在輕摻雜N區(qū)半導(dǎo)體層同側(cè)摻雜擴(kuò)散形成。本發(fā)明整流二極管N區(qū)電極以及P區(qū)電極在芯片的同側(cè)，芯片厚度減小，利于器件的小型化，同時(shí)簡(jiǎn)化二極管電路制備工藝過(guò)程。

技術(shù)研發(fā)人員：李風(fēng)浪;李舒歆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市聯(lián)洲知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)管理有限公司
文檔號(hào)碼：201610963220
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.04
技術(shù)公布日：2017.02.22