技術總結
本發(fā)明公開一種可改善電流崩塌效應的GaN?HEMT，有溝道層（3）及勢壘層（4），在有源區(qū)內設有源電極（5）、漏電極（6）及柵電極（7），所述漏電極（6）的寬度為W，所述源電極（5）與柵電極（7）之間的間距為Ls，所述柵電極（7）與漏電極（6）之間的間距為Ld，其特征在于：在柵電極（7）與漏電極（6）之間的勢壘層（4）上設有可阻擋部分柵電極電子通過施主能級向漏電極遷移的阻擋區(qū)（9），使800V下歸一化后的動態(tài)導通電阻趨于1。

技術研發(fā)人員：王榮華
受保護的技術使用者：大連芯冠科技有限公司
文檔號碼：201610908528
技術研發(fā)日：2016.10.19
技術公布日：2017.02.22