技術(shù)編號：12275117
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。可改善電流崩塌效應(yīng)的GaNHEMT技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種GaNHEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管），尤其是一種可改善電流崩塌效應(yīng)的GaNHEMT。背景技術(shù)目前，GaNHEMT已應(yīng)用于微波通訊和電力電子轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。現(xiàn)有的GaNHEMT的結(jié)構(gòu)是以硅、藍(lán)寶石或碳化硅為襯底，在襯底上依次有AlxGa1-xN緩沖層、GaN或InGaN溝道層及InxAlyGa1-x-yN勢壘層（可有GaN或SiN帽層覆蓋其上），在InxAlyGa1-x-yN勢壘層上的有源區(qū)內(nèi)設(shè)有源電極、柵電極及漏電極，在柵電極上表面依次有...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。