1.一種TVS管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在所述TVS管完成前半段工藝后形成器件區(qū)域，在器件區(qū)域進(jìn)行隔離槽刻蝕；
S2、在所述隔離槽內(nèi)熱氧化生長(zhǎng)第一預(yù)設(shè)厚度的二氧化硅；
S3、在所述隔離槽的二氧化硅上通過(guò)化學(xué)氣相淀積生長(zhǎng)第二預(yù)設(shè)厚度的N型摻雜多晶硅以填滿所述隔離槽；
S4、用光刻膠遮擋住介質(zhì)電容區(qū)和隔離槽進(jìn)行光刻后，再進(jìn)行多晶硅刻蝕，刻蝕完成后將光刻膠去除；
S5、在所述多晶硅上采用LPCVD淀積第三預(yù)設(shè)厚度的氮化硅；
S6、淀積第四預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)層，采用接觸式刻蝕方法刻蝕出引線孔；
S7、在所述引線孔上淀積頂層金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的TVS管的制作方法，其特征在于，在步驟S3中，并將具有第二預(yù)設(shè)厚度的N型摻雜多晶硅作為所述TVS管的介質(zhì)電容區(qū)的下極板。
3.如權(quán)利要求2所述的TVS管的制作方法，其特征在于，在步驟S6中，在進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕掉二氧化硅并在所述介質(zhì)電容區(qū)保留氮化硅；
在步驟S7中，將所述頂層金屬層作為上極板和電極。
4.如權(quán)利要求3所述的TVS管的制作方法，其特征在于，所述第四預(yù)設(shè)厚度為3000A～7000A。
5.如權(quán)利要求2所述的TVS管的制作方法，其特征在于，在步驟S6之前還包括以下步驟：
S56、在所述氮化硅上淀積第五預(yù)設(shè)厚度的第一金屬層后，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行光刻和刻蝕，并將所述第一金屬層作為介質(zhì)電容區(qū)的上極板；
在步驟S6中，在淀積第四預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)層后，再采用接觸式刻蝕方法在所述層間介質(zhì)層的所述TVS管的器件區(qū)域、所述上極板和所述下極板上方分別刻蝕出引線孔。
6.如權(quán)利要求5所述的TVS管的制作方法，其特征在于，在步驟S6中，在淀積第四預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)層之后，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光磨去第六預(yù)設(shè)厚度的層間介質(zhì)層，再進(jìn)行刻蝕。
7.如權(quán)利要求6所述的TVS管的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層的材質(zhì)為AlCu或TiN，所述第四預(yù)設(shè)厚度為3微米～4微米，所述第五預(yù)設(shè)厚度為1000A～5000A，所述第六預(yù)設(shè)厚度為0.5微米～1.5微米。
8.如權(quán)利要求1所述的TVS管的制作方法，其特征在于，在步驟S1中，所述隔離槽的深度為20微米～30微米，所述隔離槽的寬度為1微米～2微米。
9.如權(quán)利要求1所述的TVS管的制作方法，其特征在于，在步驟S2中，所述第一預(yù)設(shè)厚度為400A～1000A；在步驟S3中，所述第二預(yù)設(shè)厚度為4000A～8000A；在步驟S6中，所述第三預(yù)設(shè)厚度為600A～1000A；所述頂層金屬層的材質(zhì)為AlCu。
10.如權(quán)利要求1所述的TVS管的制作方法，其特征在于，在步驟S7中，在所述引線孔上淀積頂層金屬層之前，淀積金屬鎢以填充所述引線孔，并采用化學(xué)機(jī)械拋光將其他區(qū)域的金屬鎢去除。