技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種可降低缺陷密度的碲化鎘太陽(yáng)能電池制備方法，包括以下步驟：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜；（C）沉積窗口層硫化鎘薄膜；（D）在所述硫化鎘薄膜上沉積吸收層碲化鎘薄膜；（E）在所述碲化鎘薄膜表面噴涂CdCl2溶液，然后進(jìn)行熱處理；（F）對(duì)所述經(jīng)過(guò)熱處理的碲化鎘薄膜用含硝酸的溶液進(jìn)行刻蝕；（G）對(duì)所述刻蝕的碲化鎘薄膜進(jìn)行PECVD等離子體處理以鈍化缺陷。本發(fā)明的方法是通過(guò)在碲化鎘薄膜（CdTe）太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中，引入等離子體處理，鈍化缺陷，有效降低碲化鎘薄膜的缺陷密度，提高材料的性能，進(jìn)一步提高碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，從而提高電池性能。

技術(shù)研發(fā)人員：藍(lán)仕虎;何光俊;陳金良;齊鵬飛;唐智勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中山瑞科新能源有限公司
文檔號(hào)碼：201610867198
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.28
技術(shù)公布日：2016.12.21