本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，人們對(duì)顯示設(shè)備的需求日益增長(zhǎng)。為了滿足這種要求，各種平板顯示裝置如薄膜晶體管液晶顯示屏(TFT-LCD)、等離子體顯示屏(PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示屏都得到了迅猛的發(fā)展。在這些發(fā)光型平板顯示裝置中，OLED顯示屏由于具有注入寬視角、高對(duì)比度和短響應(yīng)時(shí)間等優(yōu)異的特性，正在逐步占據(jù)平板顯示的主導(dǎo)地位。目前，OLED顯示屏已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于諸如數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、筆記本電腦、平板、手機(jī)等產(chǎn)品中。

有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有陽(yáng)極、陰極和有機(jī)功能層，如圖1所示，陽(yáng)極設(shè)置有反光金屬層1和透明導(dǎo)電層2，在制造過程中，需要在透明導(dǎo)電層2上形成光致抗蝕劑圖案，然后使用該光致抗蝕劑圖案作為掩模，最后刻蝕暴露的透明導(dǎo)電層和剝離掉光致抗蝕劑掩模。但是在刻蝕暴露的透明導(dǎo)電層和剝離掉光刻膠掩模時(shí)會(huì)使用到電解液，使得反光金屬層1和透明導(dǎo)電層2形成原電池，造成反光金屬層1被腐蝕，這些被腐蝕的區(qū)域3會(huì)最終導(dǎo)致顯示屏顯示不良。

為了解決這一問題，現(xiàn)有技術(shù)中的一種方法是在反光金屬層1與透明導(dǎo)電層2之間插入一金屬氧化層4，如公開號(hào)為CN1622729A的中國(guó)專利申請(qǐng)就是采用鋁作為反光金屬層1，然后讓其暴露形成約的鋁氧化物層4，從而避免了反光金屬層1與透明導(dǎo)電層2直接接觸，也就不會(huì)形成原電池。但這種方案會(huì)影響陽(yáng)極的導(dǎo)電能力。

因此，如何在確保陽(yáng)極導(dǎo)電能力的基礎(chǔ)上，有效改善原電池效應(yīng)，是一個(gè)重要的攻堅(jiān)方向。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，在解決原電池效應(yīng)的同時(shí)，有效確保陽(yáng)極導(dǎo)電能力。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，包括：

提供前端結(jié)構(gòu)；

在所述前端結(jié)構(gòu)上形成反光金屬層；

對(duì)所述反光金屬層進(jìn)行處理以形成晶格缺陷金屬層；

在所述晶格缺陷金屬層上形成透明導(dǎo)電層；以及

對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化過程。

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，利用離子轟擊所述反光金屬層形成所述晶格缺陷金屬層。

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述離子轟擊為采用氬等離子體，在真空條件下進(jìn)行。

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述離子轟擊的持續(xù)時(shí)間為3s-60s。

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述晶格缺陷金屬層的厚度為

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，在對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化過程之后，還包括：

修復(fù)所述晶格缺陷金屬層的晶格缺陷。

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，采用熱處理修復(fù)所述晶格缺陷金屬層的晶格缺陷，所述熱處理為在100℃-550℃的溫度范圍下，持續(xù)2min-120min。

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述反光金屬層的材料為鋁、鋁合金、銀或銀合金，經(jīng)由濺射工藝形成。

可選的，對(duì)于所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，所述透明導(dǎo)電層的材料為氧化銦錫和/或氧化銦鋅。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種由如上所述的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法制造的有機(jī)發(fā)光器件。

在本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法中，先對(duì)反光金屬層進(jìn)行處理以形成晶格缺陷金屬層；接著在所述晶格缺陷金屬層上形成透明導(dǎo)電層；然后對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化過程。由此通過所述晶格缺陷金屬層作為阻隔層，避免了圖案化過程中透明導(dǎo)電層和反光金屬層形成原電池，從而確保了反光金屬層的質(zhì)量，有利于確保最終顯示效果不受影響；進(jìn)一步的，在圖案化之后，對(duì)晶格缺陷金屬層的晶格缺陷進(jìn)行了修復(fù)，使得陽(yáng)極的導(dǎo)電能力得以保證。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光器件的陽(yáng)極的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光器件的陽(yáng)極的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的流程圖；

圖4-圖8為本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件在制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

本發(fā)明的核心思想是，提供一種有機(jī)發(fā)光器件的制造方法，包括：

步驟S11，提供前端結(jié)構(gòu)；

步驟S12，在所述前端結(jié)構(gòu)上形成反光金屬層；

步驟S13，對(duì)所述反光金屬層進(jìn)行處理以形成晶格缺陷金屬層；

步驟S14，在所述晶格缺陷金屬層上形成透明導(dǎo)電層；

步驟S15，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化過程。

以下列舉所述有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法的較優(yōu)實(shí)施例，以清楚的說明本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例，其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。

下面結(jié)合圖3、圖4-圖8對(duì)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明，其中，圖3本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的流程圖，圖4-圖8為本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件在制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

首先，執(zhí)行步驟S11，請(qǐng)參考圖4，提供前端結(jié)構(gòu)10。所述前端結(jié)構(gòu)10例如為襯底，在有源矩陣型發(fā)光器件的情況下，該襯底包括至少一個(gè)薄膜晶體管。詳細(xì)地，所述襯底上還可以形成有掃描線、數(shù)據(jù)線和電源線等，所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義了以矩陣方式排列的多個(gè)子像素，每個(gè)子像素內(nèi)包括至少一個(gè)存儲(chǔ)電容。所述有源矩陣型發(fā)光器件可以采用最基本的像素電路，包括1個(gè)開關(guān)晶體管、1個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管和1個(gè)存儲(chǔ)電容，即2T1C結(jié)構(gòu)，所述開關(guān)晶體管的柵極與掃描線連接(二者實(shí)際上為一體結(jié)構(gòu))，所述開關(guān)晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接(二者實(shí)際上為一體結(jié)構(gòu))，所述開關(guān)晶體管的漏極、存儲(chǔ)電容的下極板以及驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和存儲(chǔ)電容的上極板均與電源線連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極連接。所述掃描線用于向開關(guān)晶體管提供開啟或關(guān)斷電壓，所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于控制數(shù)據(jù)線向有機(jī)發(fā)光二極管提供數(shù)據(jù)電壓。當(dāng)然，以上的2T1C電路結(jié)構(gòu)僅是舉例，實(shí)際上所述子像素也可采用更多的晶體管和/或更多的存儲(chǔ)電容，本發(fā)明并不限制晶體管和存儲(chǔ)電容的數(shù)量。以上是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的內(nèi)容，在此不再贅述。

其次，執(zhí)行步驟S12，請(qǐng)繼續(xù)參考圖4在所述前端結(jié)構(gòu)10上形成反光金屬層11。所述反光金屬層11用作對(duì)光進(jìn)行反射，因而優(yōu)選為具有極佳反光特性的金屬材質(zhì)，例如，可以由金屬鋁、鋁合金、金屬銀或是銀合金制成，當(dāng)然，所述反光金屬層11的材質(zhì)并不限于本發(fā)明實(shí)施例所列舉的部分，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以依據(jù)實(shí)際需要而進(jìn)行具體用材的選擇。在本步驟中，所述反光金屬層11可以經(jīng)過濺射形成，其厚度可以為過薄不利于進(jìn)行反射，過厚則會(huì)導(dǎo)致整個(gè)器件的厚度增加。

接著，執(zhí)行步驟S13，請(qǐng)參考圖5，對(duì)所述反光金屬層11進(jìn)行處理以形成晶格缺陷金屬層12。具體的，本步驟中利用離子轟擊(如圖5中箭頭所示)所述反光金屬層11形成所述晶格缺陷金屬層12。在一個(gè)較佳選擇中，所述離子轟擊為采用氬等離子體，在真空條件下進(jìn)行。更具體的，所述離子轟擊的持續(xù)時(shí)間可以為3s-60s。經(jīng)由本步驟之后，可以獲得厚度為的晶格缺陷金屬層12，所述晶格缺陷金屬層12由于產(chǎn)生了晶格缺陷，其導(dǎo)電率下降，在后續(xù)接觸到刻蝕液的情況下，可以起到保護(hù)作用，防止與透明導(dǎo)電層13(參見圖6)形成原電池。

然后，執(zhí)行步驟S14，請(qǐng)參考圖6，在所述晶格缺陷金屬層12上形成透明導(dǎo)電層13。所述透明導(dǎo)電層13優(yōu)選為兼具導(dǎo)電性、透明度和功函數(shù)較高的材質(zhì)，例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等的至少一種，其厚度例如為

之后，執(zhí)行步驟S15，請(qǐng)參考圖7，對(duì)所述透明導(dǎo)電層13進(jìn)行圖案化過程。可見，在圖案化的過程中(如圖7中箭頭所示)，由于反光金屬層11上具有一層晶格缺陷金屬層12，其活性差，因此，基本上不會(huì)與刻蝕液及透明導(dǎo)電層13形成原電池，也就避免了反光金屬層11被侵蝕破壞。所述圖案化的過程可以采用現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行，包括光刻、對(duì)反光金屬層11的刻蝕、去膠、清洗等過程，相比現(xiàn)有技術(shù)，反光金屬層11會(huì)確保刻蝕、清洗等過程不會(huì)產(chǎn)生不良影響。

之后，繼續(xù)執(zhí)行步驟S16，請(qǐng)參考圖8，修復(fù)所述晶格缺陷金屬層的晶格缺陷?？梢姡?jīng)過修復(fù)后，晶格缺陷金屬層消失，反光金屬層11得以恢復(fù)。由此獲得的反光金屬層11質(zhì)量完好，不會(huì)對(duì)最終的顯示效果產(chǎn)生影響。

具體的，在本實(shí)施例中，采用熱處理修復(fù)所述晶格缺陷金屬層的晶格缺陷。所述熱處理為在100℃-550℃的溫度范圍下，持續(xù)2min-120min。

進(jìn)一步的，還可以繼續(xù)進(jìn)行其他后續(xù)操作，例如形成像素定義層、有機(jī)功能層等，這些過程可以按照現(xiàn)有技術(shù)執(zhí)行，本發(fā)明對(duì)此不進(jìn)行詳述。

根據(jù)上述內(nèi)容，本發(fā)明可以獲得一種有機(jī)發(fā)光器件。所述有機(jī)發(fā)光器件的反光金屬層質(zhì)量完好，有著較佳的光反射效果。

綜上所述，在本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法中，先對(duì)反光金屬層進(jìn)行處理以形成晶格缺陷金屬層；接著在所述晶格缺陷金屬層上形成透明導(dǎo)電層；然后對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化過程。由此通過所述晶格缺陷金屬層作為阻隔層，避免了圖案化過程中透明導(dǎo)電層和反光金屬層形成原電池，從而確保了反光金屬層的質(zhì)量，有利于確保最終顯示效果不受影響；

進(jìn)一步的，在圖案化之后，對(duì)晶格缺陷金屬層的晶格缺陷進(jìn)行了修復(fù)，使得陽(yáng)極的導(dǎo)電能力得以保證。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。