本申請要求于2015年12月30日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0189279號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用被包含于此。

本公開涉及一種線圈電子組件及其制造方法。

背景技術(shù)：

作為一種片式電子組件的電感器是一種與電阻器和電容器一起構(gòu)成電子電路以去除噪聲的代表性的無源元件。

薄膜型電感器可通過以下步驟制造：通過鍍覆形成內(nèi)線圈部；使磁性粉末與樹脂彼此混合的磁性粉末-樹脂復(fù)合物硬化來制造磁性主體；然后在磁性主體的外表面上形成外電極。

作為電感器的一個主要性質(zhì)的直流(dc)電阻(rdc)可隨著內(nèi)線圈部的橫截面積的增大而減小。此外，電感器的電感可隨著磁通量通過的磁性材料的面積的增大而增大。

因此，為了減小dc電阻(rdc)并提高電感，可增大內(nèi)線圈部的橫截面積和磁性材料的面積。

用于增大內(nèi)線圈部的橫截面積的方法的示例可包括增大線圈的寬度的方法和增大線圈的厚度的方法。

然而，當(dāng)線圈的寬度增大時，相鄰線圈之間產(chǎn)生短路的風(fēng)險增大，并且可能對線圈的可實現(xiàn)的匝數(shù)造成限制，導(dǎo)致與效率有關(guān)的磁性材料的面積劣化。此外，可存在對于實現(xiàn)高容量產(chǎn)品的限制。

因此，應(yīng)該增大線圈的厚度和寬度，以提供高的厚寬比(ar)結(jié)構(gòu)的內(nèi)線圈部。

內(nèi)線圈部的厚寬比(ar)可意指通過使線圈的厚度除以線圈的寬度而獲得的值。由于使線圈的厚度增大的量比線圈的寬度增大的量大，因此可實現(xiàn)較高的厚寬比(ar)。

然而，當(dāng)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通過執(zhí)行圖案鍍覆方法(通過曝光和顯影工藝使抗鍍層被圖案化且被鍍覆)來形成線圈部時，為了增大線圈的厚度，抗鍍層的厚度也需要增大。由于存在曝光工藝的限制(其中，由于抗鍍層的厚度在厚度上增大而使抗鍍層的下部不能被順利地曝光)，因此可能難于增大線圈的厚度。

此外，為了保持厚的抗鍍層的形式，抗鍍層需要具有預(yù)定寬度或更大的寬度。由于抗鍍層的寬度與相鄰線圈之間的間距相對應(yīng)，因此會增大相鄰線圈之間的間距。結(jié)果是，在改善dc電阻(rdc)和電感(ls)特性上存在限制。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決根據(jù)抗鍍膜的厚度的曝光限制，公開了以下工藝：在通過使抗鍍膜曝光和顯影形成第一抗鍍圖案之后形成第一鍍覆導(dǎo)體圖案；在通過使抗鍍膜再次曝光和顯影而在第一抗鍍圖案上形成第二抗鍍圖案之后形成第二鍍覆導(dǎo)體圖案。

然而，當(dāng)通過僅執(zhí)行圖案鍍覆方法來形成內(nèi)線圈部時，在增大內(nèi)線圈部的橫截面積上存在限制。此外，由于相鄰線圈之間的間距增大，因此難于改善dc電阻(rdc)和電感(ls)特性。

此外，為了形成具有高厚寬比(ar)的結(jié)構(gòu)的線圈部，已經(jīng)大體上嘗試了通過將各向異性鍍覆增設(shè)到通過各向同性鍍覆獲得的鍍層上來實現(xiàn)線圈部的方法。

上面提到的各向異性鍍覆方案可實現(xiàn)線圈在通過各向同性鍍覆形成種子圖案之后所需的剩余高度。根據(jù)上面提到的方案，由于線圈(為扇狀)呈均勻地減小的形狀，因此可能影響dc電阻(rdc)的分布。

此外，根據(jù)上面提到的方案，由于線圈的形狀是彎曲的，因此可能難以在線圈圖案上形成絕緣層。因此，在線圈圖案之間可能出現(xiàn)非絕緣空間，從而引起缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的一方面提供一種能夠通過使線圈部之間的厚度均勻而實現(xiàn)低直流(dc)電阻(rdc)的線圈電子組件及其制造方法。

根據(jù)本公開的一方面，一種線圈電子組件包括磁性主體。所述磁性主體包括基板和線圈部，所述線圈部包括設(shè)置在所述基板上的圖案化的絕緣膜、通過鍍覆形成在所述圖案化的絕緣膜之間的第一鍍層以及設(shè)置在所述第一鍍層上的第二鍍層。

根據(jù)本公開的另一方面，一種制造線圈電子組件的方法包括：使基底導(dǎo)體層在基板上圖案化；使絕緣膜圖案化為使得基底導(dǎo)體層被暴露；通過對基底導(dǎo)體層執(zhí)行鍍覆而在圖案化的絕緣膜之間形成第一鍍層；通過在第一鍍層上執(zhí)行各向異性鍍覆而形成第二鍍層；通過在其上形成有絕緣膜以及第一鍍層和第二鍍層的基板之上和之下堆疊磁性片形成磁性主體。

根據(jù)本公開的另一方面，一種制造線圈電子組件的方法包括：在基板上形成基底導(dǎo)體層；在基底導(dǎo)體層上形成抗蝕圖案；通過執(zhí)行蝕刻工藝而使基底導(dǎo)體層圖案化；使抗蝕圖案分離；在基板的暴露于基底導(dǎo)體層之間的部分上形成絕緣膜；通過執(zhí)行各向同性鍍覆形成第一鍍層；通過執(zhí)行各向異性鍍覆形成第二鍍層；在絕緣膜和第二鍍層上形成覆蓋絕緣層；通過在基板之上和之下堆疊磁性片來形成磁性主體。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本公開的上述和其它方面、特征和優(yōu)點將會被更加清楚地理解，其中：

圖1是示出根據(jù)本公開中的示例性實施例的線圈電子組件的內(nèi)線圈部的使得線圈電子組件的內(nèi)線圈部可見的示意性透視圖；

圖2是沿圖1的i-i′線截取的剖視圖；

圖3是圖2的“a”部分的示例的放大示意圖；

圖4a至圖4g是順序地示出根據(jù)本公開中的示例性實施例的制造線圈電子組件的方法的示圖；以及

圖5是示出根據(jù)本公開中的示例性實施例的形成磁性主體的工藝的示圖。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖如下地描述本公開的實施例。

然而，本公開可按照多種不同的形式來舉例說明，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的特定的實施例。更確切地說，這些實施例被提供為使得本公開將是徹底的和完整的，且將本公開的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

在整個說明書中，將被理解的是，當(dāng)元件(諸如，層、區(qū)域或晶圓(基板))被稱為“在”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結(jié)合到”另一元件時，其可直接“在”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于它們之間的其它元件。相比而言，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”、“直接連接到”另一元件或“直接結(jié)合到”另一元件時，可不存在介于它們之間的其它元件或?qū)?。相同的?biāo)號始終指示相同的元件。如在此所使用的，術(shù)語“和/或”包括所列出的相關(guān)項的一項或更多項的任何以及全部組合。

將顯而易見的是，盡管可在這里使用“第一”、“第二”、“第三”等術(shù)語來描述各個構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用于將一個構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分相區(qū)分。因此，在不脫離示例性實施例的教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。

為了便于描述，在這里可使用諸如“在……之上”、“上面”、“在……之下”和“下面”等的空間關(guān)系術(shù)語，以描述如附圖所示的一個元件相對于其它一個(或多個)元件的關(guān)系。將理解的是，空間關(guān)系術(shù)語意圖除了包括在附圖中所描繪的方位之外，還包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為相對于其它元件或特征位于“上面”或“之上”的元件隨后將定位為相對于其它元件或特征位于“下面”或“之下”。因此，術(shù)語“在……之上”可根據(jù)附圖的特定方向而包括“在……之上”和“在……之下”兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并可對在這里使用的空間關(guān)系描述符做出相應(yīng)的解釋。

在此使用的術(shù)語僅描述特定實施例，而并非限制本公開。除非上下文另外清楚地指明，否則如在此所使用的單數(shù)的形式也意圖包括復(fù)數(shù)的形式。還將理解的是，當(dāng)該說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，列舉存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或它們組成的組，但不排除存在或添加一個或更多個其它特征、整體、步驟、操作、構(gòu)件、元件和/或它們組成的組。

在下文中，將參照示出本公開的實施例的示意圖描述本公開的實施例。在附圖中，例如，可估計由于制造技術(shù)和/或公差而導(dǎo)致的所示出的形狀的變型。因此，本公開的實施例不應(yīng)該被解釋為限于這里所示出的區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)被解釋為例如包括由制造導(dǎo)致的形狀上的改變。下面的實施例也可由一個或它們的組合構(gòu)成。

下面描述的本公開的內(nèi)容可具有各種構(gòu)造且這里僅提出需要的構(gòu)造，但不限于此。

線圈電子組件

圖1是示出根據(jù)本公開中的示例性實施例的線圈電子組件的使得線圈電子組件的內(nèi)線圈部可見的示意性透視圖。

參照圖1，作為線圈電子組件100的示例，公開了電源電路的電力線中使用的薄膜型電感器。

根據(jù)本公開中的示例性實施例的線圈電子組件100可包括：磁性主體50；第一線圈部41和第二線圈部42，嵌入在磁性主體50中；第一外電極81和第二外電極82，設(shè)置在磁性主體50的外表面上，并且分別電連接到第一線圈部41和第二線圈部42。

在根據(jù)示例性實施例的線圈電子組件100中，“長度方向”指的是圖1的“l(fā)”方向，“寬度方向”指的是圖1的“w”方向，“厚度方向”指的是圖1的“t”方向。

磁性主體50可形成線圈電子組件100的外觀，并且可由任何材料形成而沒有限制，只要所述材料顯示出磁特性即可。例如，磁性主體50可通過設(shè)置鐵氧體或磁性金屬粉末形成。

鐵氧體可以是例如mn-zn基鐵氧體、ni-zn基鐵氧體、ni-zn-cu基鐵氧體、mn-mg基鐵氧體、ba-基鐵氧體、li-基鐵氧體等。

磁性金屬粉末可包括從由鐵(fe)、硅(si)、鉻(cr)、鋁(al)和鎳(ni)組成的組中選擇的任意一種或更多種。例如，磁性金屬粉末可包括fe-si-b-cr基非晶態(tài)金屬，但是不限于此。

磁性金屬粉末可具有0.1μm至30μm的粒徑，并可以以分散在環(huán)氧樹脂或熱固性樹脂(諸如聚酰亞胺等)中的形式被包含。

呈線圈形狀的第一線圈部41可形成在設(shè)置在磁性主體50中的基板20的第一表面上，呈線圈形狀的第二線圈部42可形成在基板20的與基板20的第一表面背對的第二表面上。

第一線圈部41和第二線圈部42可通過執(zhí)行電鍍而形成。

基板20可由例如聚丙二醇(ppg)基板、鐵氧體基板、金屬基軟磁性基板等形成。

基板20的中央部分可被穿透以形成孔，所述孔可用磁性材料填充，以形成芯部55。當(dāng)用磁性材料填充芯部55時，可改善電感l(wèi)s。

第一線圈部41和第二線圈部42可形成為呈螺旋狀，分別形成在基板20的第一表面和第二表面上的第一線圈部41和第二線圈部42可通過形成為穿透基板20的通路45而彼此電連接。

第一線圈部41和第二線圈部42以及通路45可包含具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬。例如，第一線圈部41和第二線圈部42以及通路45可包含銀(ag)、鈀(pd)、鋁(al)、鎳(ni)、鈦(ti)、金(au)、銅(cu)、鉑(pt)或它們的合金。

根據(jù)本公開中的示例性實施例，線圈部具有通過以下步驟而呈高厚寬比(ar)的結(jié)構(gòu)：利用具有小的厚度分布的各向同性鍍覆，然后通過在各向同性鍍層上增設(shè)各向異性鍍覆而進一步增大厚寬比(ar)。

圖2是沿圖1的i-i′線截取的剖視圖。

參照圖2，根據(jù)示例性實施例的線圈電子組件可包括磁性主體50，其中，磁性主體50可包括基板20以及線圈部41和42，線圈部41和42分別包括設(shè)置在基板20上的圖案化的絕緣膜30、通過鍍覆而形成在圖案化的絕緣膜30之間的第一鍍層61以及設(shè)置在第一鍍層61上的第二鍍層62。

第一鍍層61可通過具有小的厚度分布的各向同性鍍覆形成，并可通過單次鍍覆(singleplating)形成。

由于第一鍍層61通過單次鍍覆形成，因此不會出現(xiàn)當(dāng)通過兩次或更多次鍍覆形成第一鍍層61時所出現(xiàn)的內(nèi)部界面(即，將鍍層分成兩層或更多層的至少一個內(nèi)部界面)。

內(nèi)部界面會引起線圈電子組件中dc電阻(rdc)特性和電氣特性的劣化。

因此，根據(jù)示例性實施例，由于第一鍍層61通過單次鍍覆形成，因此可改善dc電阻(rdc)特性和電氣特性。

然而，第一鍍層61的構(gòu)造不限于此，第一鍍層61還可被構(gòu)造為各種鍍層。

第一鍍層61可通過具有小的厚度分布的各向同性鍍覆來形成，其中，各向同性鍍覆可意指鍍層的寬度和厚度同時生長的鍍覆方法，并且是一種與各向異性鍍覆方法形成對比的技術(shù)，其中，在各向異性鍍覆方法中，鍍層在鍍層的寬度方向上和其厚度方向上鍍覆的生長速度不同。

此外，由于第一鍍層61通過各向同性鍍覆而形成在圖案化的絕緣膜30之間，因此其形狀可以呈矩形形狀。然而，第一鍍層61的形狀可通過工藝變化而略微地改變。

由于第一鍍層61呈矩形形狀，因此可增大線圈部的橫截面積，并且可增大磁性材料的面積，從而減小dc電阻(rdc)并提高電感。

此外，由于線圈部的厚度與寬度的比增大，因此可實現(xiàn)具有高厚寬比(ar)的結(jié)構(gòu)，從而增大線圈部的橫截面積并改善dc電阻(rdc)特性。

根據(jù)示例性實施例，磁性主體50可包括設(shè)置在基板20上的圖案化的絕緣膜30。

在一般的線圈電子組件的情況下，在將線圈部形成在基板上之后，可形成覆蓋線圈部的絕緣膜。

然而，根據(jù)示例性實施例，為了通過使線圈部的厚度差均勻而實現(xiàn)低dc電阻(rdc)，并且通過筆直而不彎曲地形成線圈部來減少絕緣層未形成在線圈圖案之間的空間中的缺陷，可在形成第一鍍層61之前使絕緣膜30在基板20上圖案化。

具體地說，通過使絕緣膜30圖案化為具有窄的寬度和厚的厚度，以使第一鍍層61具有高厚寬比(ar)，可在圖案化的絕緣膜30之間執(zhí)行各向同性鍍覆工藝，從而實現(xiàn)具有高厚寬比(ar)的第一鍍層61。

絕緣膜30是光敏絕緣膜，可由例如環(huán)氧基材料形成，但是不限于此。

此外，絕緣膜30可通過光刻膠(pr)的曝光和顯影工藝形成。

由于具有圖案化的絕緣膜30，因此構(gòu)成線圈部41和42的第一鍍層61可不與形成磁性主體50的磁性材料直接接觸。

下面將對根據(jù)示例性實施例的形成圖案化的絕緣膜30和設(shè)置在圖案化的絕緣膜30之間的鍍層61的詳細過程進行描述。

根據(jù)示例性實施例，第二鍍層62可設(shè)置在第一鍍層61上。

第二鍍層62可以是通過其中在第二鍍層62的寬度方向和其厚度方向上鍍覆的生長速度不同的各向異性鍍覆方法而形成的各向異性鍍層。

第二鍍層62(是各向異性鍍層)可以是在其寬度方向上的生長被抑制而在其厚度方向上的生長相當(dāng)大的鍍層。

同樣，第二鍍層62(是各向異性鍍層)還形成在作為各向同性鍍層的第一鍍層61上，因此，可實現(xiàn)具有較高的厚寬比(ar)的內(nèi)線圈部41和42，并且可進一步改善dc電阻(rdc)特性。

第二鍍層62(是各向異性鍍層)可通過調(diào)節(jié)電流密度、鍍覆溶液的濃度、鍍覆速度等來形成。

由于第二鍍層62的上部呈圓形或彎曲形，因此設(shè)置在絕緣膜30和第二鍍層62上的覆蓋絕緣層31可根據(jù)第二鍍層62的表面形狀而形成。

根據(jù)示例性實施例，磁性主體50還可包括設(shè)置在絕緣膜30和第二鍍層62上的覆蓋絕緣層31。

覆蓋絕緣層31可由與絕緣膜30的材料不同的材料形成。

此外，由于在設(shè)置了圖案化的絕緣膜30以及位于圖案化的絕緣膜30之間的第一鍍層61并且在第一鍍層61上設(shè)置了第二鍍層62之后，在絕緣膜30和第二鍍層62上形成覆蓋絕緣層31，因此由與絕緣膜30的材料不同的材料形成且具有與絕緣膜30的形狀不同的形狀的覆蓋絕緣層31可通過絕緣膜30和第二鍍層62之間的邊界而與絕緣膜30和第二鍍層62區(qū)分開。

形成在基板20的一個表面上的第一線圈部41的一個端部可暴露到磁性主體50的在磁性主體50的長度l方向上的一個端表面，形成在基板20的另一表面上的第二線圈部42的一個端部可暴露到磁性主體50的在磁性主體50的長度l方向上的另一端表面。

然而，第一線圈部41和第二線圈部42中的每個的一個端部不限于此。例如，第一線圈部41和第二線圈部42中的每個的一個端部可暴露到磁性主體50的至少一個表面。

第一外電極81和第二外電極82可形成在磁性主體50的外表面上，以分別連接到暴露于磁性主體50的端表面的第一線圈部41和第二線圈部42。

圖3是沿圖2的“a”部分的示例的放大示意圖。

參照圖3，根據(jù)示例性實施例的線圈部41可包括：基底導(dǎo)體層25，設(shè)置在基板20上；第一鍍層61，設(shè)置在基板20上，并且通過鍍覆在圖案化的絕緣膜30之間形成在基底導(dǎo)體層25上；第二鍍層62，是在第一鍍層61上的各向異性鍍層；覆蓋絕緣層31，設(shè)置在絕緣膜30和第二鍍層62上。

基底導(dǎo)體層25可通過以下步驟形成：在基板20上執(zhí)行無電鍍覆或濺射法，并且在基板20上形成抗蝕圖案，然后執(zhí)行蝕刻工藝和抗蝕圖案分離工藝。

基底導(dǎo)體層25的寬度(wp)可以是10μm至30μm，但不限于此。

絕緣膜30的寬度可以是1μm至20μm，其厚度不受具體限制且可以根據(jù)通過各向同性鍍覆形成的第一鍍層61的厚度需要來確定。

形成絕緣膜30的方法不受具體限制，可以通過形成電路的通用技術(shù)來執(zhí)行。

第一鍍層61的厚度tp可以是200μm或更大，其厚寬比tp/wp可以是1.0或更大。

第一鍍層61形成為具有200μm或更大的厚度tp以及1.0或更大的厚寬比tp/wp，因此可實現(xiàn)具有高厚寬比(ar)的內(nèi)線圈部41和42。

由于第一鍍層61通過各向同性鍍覆方法形成在圖案化的絕緣膜30之間，因此可以克服由抗鍍層的厚度導(dǎo)致的曝光限制，并且可實現(xiàn)作為具有200μm或更大的總厚度tp的各向同性鍍層的第一鍍層61。

此外，第一鍍層61的厚寬比tp/wp可以是1.0或更大，但是根據(jù)示例性實施例，由于第一鍍層61的寬度與基底導(dǎo)體層25的寬度相似，因此可實現(xiàn)3.0或更大的高厚寬比。

同樣，根據(jù)示例性實施例，由于第一鍍層61通過各向同性鍍覆在圖案化的絕緣膜30之間形成在基底導(dǎo)體層25上，因此線圈部可筆直地形成而不彎曲，從而可減少在線圈圖案之間的空間中沒有形成絕緣層的缺陷。

此外，由于外線圈圖案與內(nèi)線圈圖案之間的厚度差可被形成為均勻的，因此可增大內(nèi)線圈部的橫截面積，并且可改善dc電阻(rdc)特性。

覆蓋絕緣層31可通過化學(xué)氣相沉積(cvd)法、使用具有低粘度的聚合物涂覆液的浸漬法等形成，但不限于此。

制造線圈電子組件的方法

圖4a至圖4g是順序地示出根據(jù)本公開中的示例性實施例的制造線圈電子組件的方法的示圖。

參照圖4a至4c，可準(zhǔn)備基板20，并且可使基底導(dǎo)體層25在基板20上圖案化。

可在基板20中形成過孔(未示出)，所述過孔可通過使用機械鉆機或激光鉆機形成，但是不限于此。

激光鉆機可以是例如co2激光器或yag激光器。

具體地，參照圖4a，在通過在基板20上執(zhí)行無電鍍覆或濺射法形成基底導(dǎo)體層25之后，可形成抗蝕圖案71。

參照圖4b，為了使基底導(dǎo)體層25圖案化，可執(zhí)行蝕刻工藝。

接著，如圖4c中所示，可通過分離抗蝕圖案71的工藝，在基板20上形成圖案化的基底導(dǎo)體層25。

基底導(dǎo)體層25的寬度(wp)可以是10μm至30μm，但是不限于此。

接著，參照圖4d，可在基板20上形成圖案化的絕緣膜30。

絕緣膜30可形成在暴露于圖案化的基底導(dǎo)體層25之間的基板20上，從而被圖案化。

絕緣膜30的寬度wi可以是1μm至20μm，并且其厚度不受具體限制，可根據(jù)通過各向同性鍍覆形成的第一鍍層61的需要厚度來確定。

形成絕緣膜30的方法不受具體限制，可通過形成電路的通用技術(shù)來執(zhí)行。

此外，絕緣膜30可以是光敏絕緣膜。例如，絕緣膜30可由環(huán)氧基材料形成，但是不限于此。

此外，絕緣膜30可通過光刻膠(pr)的曝光和顯影工藝形成。

由于具有圖案化的絕緣膜30，在下面的操作中形成的構(gòu)成線圈部41和42的第一鍍層61可不與形成磁性主體50的磁性材料直接接觸。

由于絕緣膜30用作用于形成具有200μm或更大的厚度的第一鍍層61的各向同性鍍覆的壩(dam)，所以其實際厚度可以是200μm或更大。

參照圖4e，第一鍍層61可通過各向同性鍍覆方法形成在圖案化的絕緣膜30之間。

第一鍍層61的厚度可以是200μm或更大。

第一鍍層61可具有200μm或更大的厚度和高的厚寬比(ar)。

第一鍍層61通過各向同性鍍覆方法形成在圖案化的絕緣膜30之間，因此可以克服由抗鍍層的厚度導(dǎo)致的曝光限制，并且可實現(xiàn)具有200μm或更大的總厚度tp的第一鍍層61。

參照圖4f，第二鍍層62可通過各向異性鍍覆方法形成在第一鍍層61上。

通過各向異性鍍覆方法形成第二鍍層62的方法可通過調(diào)節(jié)電流密度、鍍覆溶液的濃度、鍍覆速度等來執(zhí)行。

作為各向異性鍍層的第二鍍層62可通過調(diào)節(jié)電流密度、鍍覆溶液的濃度、鍍覆速度等而形成為使得在第二鍍層62的寬度方向上的生長被抑制而在其厚度方向上的生長相當(dāng)大。

作為各向異性鍍層的第二鍍層62可形成在第一鍍層61上，以具有1.0或更大的厚寬比tp/wp，因此可實現(xiàn)具有高厚寬比(ar)的內(nèi)線圈部41和42。

第一鍍層61可通過各向同性鍍覆方法形成在圖案化的絕緣膜30之間，作為各向異性鍍層的第二鍍層62可形成在第一鍍層61上。因此，可以克服由抗鍍層的厚度導(dǎo)致的曝光限制，并且可實現(xiàn)具有200μm或更大的總厚度的第一鍍層61和第二鍍層62。

參照圖4g，可在絕緣膜30和第二鍍層62上形成覆蓋絕緣層31。

覆蓋絕緣層31可由與絕緣膜30的材料不同的材料形成。

此外，由于在設(shè)置了圖案化的絕緣膜30以及位于圖案化的絕緣膜30之間的第一鍍層61且在第一鍍層61上設(shè)置第二鍍層62之后、在絕緣膜30和第二鍍層62上形成覆蓋絕緣層31，因此由與絕緣膜30的材料不同的材料形成且具有與絕緣膜30的形狀不同的形狀的覆蓋絕緣層31可通過絕緣膜30與第二鍍層62之間的邊界而與絕緣膜30和第二鍍層62區(qū)分開。

覆蓋絕緣層31可通過絲網(wǎng)印刷法、諸如噴涂工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)法的方法、使用具有低粘度的聚合物涂覆液的浸漬法等來形成，但是不限于此。

在圖4a至圖4f中，示出了基底導(dǎo)體層25，但基底導(dǎo)體層25的寬度不一定等于圖4a至圖4g中所示的寬度，其實際寬度可以更小。

圖5是示出根據(jù)本公開中的示例性實施例的形成磁性主體的工藝的示圖。

參照圖5，磁性片51a、51b、51c、51d、51e和51f可堆疊在其上分別形成有內(nèi)線圈部41和42的基板20之上和之下。

磁性片51a、51b、51c、51d、51e和51f可通過以下步驟以片式制造：通過將磁性材料(例如磁性金屬粉末)與有機材料(諸如熱固性樹脂等)混合來制造漿料，通過刮片法將所述漿料涂敷在載體膜上，然后干燥所涂敷的漿料。

在堆疊多個磁性片51a、51b、51c、51d、51e和51f之后，可通過利用層壓法或靜液壓制法對所堆疊的磁性片51a、51b、51c、51d、51e和51f進行壓制和固化，從而形成磁性主體50。

除了上面所提到的描述之外，將省略與上面所描述的根據(jù)示例性實施例的線圈電子組件的特征重復(fù)的特征的描述。

如上面所闡述的，根據(jù)本公開中的示例性實施例，線圈部可筆直地形成而不彎曲，從而減少諸如絕緣層未形成在線圈圖案之間的空間中的缺陷的出現(xiàn)。

根據(jù)本公開中的示例性實施例，通過使外線圈圖案與內(nèi)線圈圖案之間的厚度差均勻，可增大內(nèi)線圈部的橫截面積，并可改善dc電阻(rdc)特性。

此外，在將各向異性鍍層增設(shè)于線圈部上的情況下，可實現(xiàn)具有較高厚寬比(ar)的結(jié)構(gòu)，從而可進一步改善dc電阻(rdc)特性。

雖然上面已經(jīng)示出和描述了示例性實施例，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離由附加的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出修改和變型。